The samples were plasma-etched in a

The samples were plasma-etched in argon at 800 Pa, 350 °C for 30 min.
Nitriding was performed for 5 h in a 80%-N2:20%-H2 gas mixture, flow rate of 20 sccm, and pressure of 800 Pa to maintain the sample temperature at 450 °C, the voltage was adjusted to 347 V and the current to 287 mA.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างถูกสลักพลาสม่าในอาร์กอนที่ 800 Pa, 350 ° C สำหรับ 30 นาทีทำไนไตรด์ถูกดำเนินการสำหรับ h 5% 80-N2:20% H2 แก๊สผสม อัตราการไหลของ 20 sccm และความดันของ 800 ป่าการรักษาอุณหภูมิอย่างที่ 450 ° C แรงดันไฟฟ้าถูกปรับ 347 V และกระแสการ 287 mA

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กลุ่มตัวอย่างที่ได้รับการพลาสม่าฝังในอาร์กอนที่ 800 ป่า 350 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 30 นาที.
Nitriding ได้ดำเนินการเป็นเวลา 5 ชั่วโมงใน 80% -N2: 20% -H2 ก๊าซผสมอัตราการไหล 20 SCCM และความดัน 800 ป่า เพื่อรักษาอุณหภูมิตัวอย่างที่ 450 องศาเซลเซียสแรงดันไฟฟ้าที่ถูกปรับให้ 347 V และปัจจุบัน 287 mA

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างพลาสมาแกะสลักในอาร์กอนที่ 800 PA 350 องศา C เป็นเวลา 30 นาที ทำการ
nitriding 5 H ใน 80% - n2:20 - H2 แก๊สผสม อัตราการไหลของ sccm และความดัน 20 , 800 ป่าเพื่อรักษาอุณหภูมิ 450 องศา C ตัวอย่าง , แรงดันไฟฟ้าให้อยู่ในระดับที่เหมาะสมแล้ว วี และปัจจุบันมา 287 .