as mentioned in section 1, it has b

as mentioned in section 1, it has been reported that IO whose volume resistivity is higher than that of EVA significantly suppresses potential-induced degradation in p-type silicon photovoltaic modules

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังกล่าวในส่วนที่ 1 มีรายงานว่า IO ความต้านทานไฟฟ้าที่มีปริมาณสูงกว่าของ EVA มีนัยสำคัญลดลดศักยภาพที่เกิดขึ้นในโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนชนิด p

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นที่กล่าวถึงในส่วนที่ 1 จะได้รับการรายงานว่า IO ที่มีปริมาณความต้านทานสูงกว่าอย่างมีนัยสำคัญจาก EVA ยับยั้งการย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน P-ประเภทโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่กล่าวไว้ในมาตรา 1 , มีรายงานว่าปริมาณไอโอที่มีความต้านทานสูงกว่าของ EVA มีศักยภาพในการยับยั้งการย่อยสลายพีแผงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน