Upon decreasing the parameter s, th

Upon decreasing the parameter s, the Vav and the Vtr are shown to decrease, which
guarantees the safety of the fragile DDNMOS under ESD stress.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อลด s พารามิเตอร์ Vav และ Vtr ที่แสดงลดลง ซึ่งรับประกันความปลอดภัยของ DDNMOS เปราะบางภายใต้ความเครียด ESD

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อลดลงของพารามิเตอร์ที่ Vav และ VTR
ที่มีการแสดงเพื่อลดซึ่งรับประกันความปลอดภัยของDDNMOS เปราะบางภายใต้ความเครียด ESD

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อลดพารามิเตอร์ s , vav และ VTR แสดงลดลงซึ่ง
รับประกันความปลอดภัยของ ddnmos ESD เปราะบางภายใต้ความเครียด