This work proposes a low-cost and e

This work proposes a low-cost and easy-to-fabricate sensor based on single ZnO nanowire (ZnO-NW) assembled by dielectrophoresis (DEP) onto gold nanogap electrodes. Thanks to the widespread sensing properties of ZnO-NWs, the fabricated device can be used to monitor in real-time the UV-light. DC measurements have shown a Schottky-like I-V characteristic which varies depending on the UV light intensity. The AC analysis of the ZnO-NW electrical properties has also shown impedance variations proportional to the UV irradiance. In particular, the reported measurements show high sensitivity to low UV irradiance (below 1mW/cm2) translated to both resistive and capacitive variations. Thanks to the low-cost assembly process, the proposed nanowire-on-nanogap-based sensor can be considered a preliminary step to characterize nanomaterials before assembling them onto CMOS technology, opening the field to the Micro-for-Nano approach, i.e. an electronic circuit platform to integrate nanostructured materials and read-out their sensing parameters.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

งานนี้เสนอเซนเซอร์โลว์ และ ปั้นง่ายอิงเดียว ZnO nanowire (ZnO NW) ประกอบ โดย dielectrophoresis (DEP) ไปยังขั้วทอง nanogap จากการตรวจวัดคุณสมบัติอย่างกว้างขวางของ ZnO NWs อุปกรณ์ประดิษฐ์ใช้การตรวจสอบแบบเรียลไทม์แสงยูวี วัด DC ได้แสดงลักษณะเหมือน Schottky ผม V ซึ่งขึ้นอยู่กับความเข้มแสง UV การวิเคราะห์คุณสมบัติทางไฟฟ้าของ ZnO NW AC ยังได้แสดงความต้านทานเปลี่ยนแปลงสัดส่วนกับ UV irradiance โดยเฉพาะ การวัดรายงานแสดงสูงความไวต่ำ UV irradiance (ด้านล่าง 1mW/cm2) แปลทั้งตัวต้านทาน และควบคุมรูปแบบ จากกระบวนการแอสเซมบลีโลว์ เซ็นเซอร์ nanowire บน nanogap คะแนนนำเสนอถือได้ว่าเป็นขั้นตอนเบื้องต้นกับลักษณะ nanomaterials ก่อนประกอบเหล่านั้นลงบนเทคโนโลยี CMOS เปิดฟิลด์วิธี Micro สำหรับนาโน เช่นมีแพลตฟอร์มวงจรอิเล็กทรอนิกส์รวมวัสดุ nanostructured และ read-out พารามิเตอร์การตรวจวัด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

งานนี้นำเสนอเซ็นเซอร์ต้นทุนต่ำและง่ายต่อการสานขึ้นอยู่กับเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์เดียว (ZnO-NW) ประกอบโดย dielectrophoresis (DEP) ไปยังขั้วไฟฟ้า nanogap ทอง ขอบคุณที่คุณสมบัติการตรวจจับอย่างแพร่หลายของ ZnO-NWS อุปกรณ์ประดิษฐ์สามารถนำมาใช้ในการตรวจสอบในเวลาจริงแสงยูวี วัด DC ได้แสดงให้เห็นกีเหมือนลักษณะ IV ซึ่งแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับความเข้มของแสงยูวี การวิเคราะห์ AC ของคุณสมบัติทางไฟฟ้​​า ZnO-NW ยังแสดงให้เห็นรูปแบบความต้านทานสัดส่วนกับรังสียูวี โดยเฉพาะอย่างยิ่งการตรวจวัดรายงานแสดงความไวสูงในการรังสียูวีต่ำ (ต่ำกว่า 1mW / cm2) แปลทั้งทานและรูปแบบ capacitive ขอบคุณที่ขั้นตอนการประกอบต้นทุนต่ำที่เส้นลวดนาโน-on-nanogap ตามเซ็นเซอร์ที่นำเสนอได้รับการพิจารณาเป็นขั้นตอนเบื้องต้นที่จะอธิบายลักษณะ nanomaterials ก่อนที่จะรวบรวมพวกเขาลงบน CMOS เทคโนโลยีเปิดสนามกับวิธี Micro สำหรับนาโนเช่นอิเล็กทรอนิกส์ แพลตฟอร์มวงจรเพื่อบูรณาการวัสดุอิเล็กทรอนิคส์และอ่านออกพารามิเตอร์การตรวจจับของพวกเขา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

งานนี้นำเสนอต้นทุนต่ำและง่ายที่จะสร้างเซ็นเซอร์ที่ใช้ใน nanowire ซิงค์ออกไซด์ ( ZnO เดียว NW ) ประกอบโดยไดอิเล็กโทรโฟรีซิส ( DEP ) nanogap ทองลงบนขั้วไฟฟ้า ขอบคุณแพร่หลายตรวจวัดคุณสมบัติของซิงค์ออกไซด์ NWS , ประดิษฐ์อุปกรณ์ที่สามารถใช้ในการตรวจสอบในเวลาจริงแสง UV วัด DC เป็นเหมือนลักษณะท์ไฟฟ้าซึ่งจะขึ้นอยู่กับความเข้มของแสงยูวี . การวิเคราะห์สมบัติทางไฟฟ้า AC ของ ZnO NW ยังมีแสดงความต้านทานการเปลี่ยนแปลงสัดส่วนกับยูวี irradiance . โดยเฉพาะการรายงานการวัดแสดงความไวสูงเพื่อฉายรังสี UV ต่ำ ( ด้านล่าง 1mw / cm2 ) แปลทั้งตัวต้านทานและตัวเก็บประจุรูปแบบ ขอบคุณสำหรับขั้นตอนการประกอบราคา เสนอ nanowire บน nanogap ตามเซนเซอร์สามารถพิจารณาขั้นเบื้องต้นในลักษณะ nanomaterials ก่อนประกอบกับเทคโนโลยี CMOS , เปิดสนามกับ ไมโคร นาโน เป็นวิธีการ ได้แก่ วงจรอิเล็กทรอนิกส์แพลตฟอร์มรวม nanostructured วัสดุและอ่านออกของข้อมูลพารามิเตอร์