Currently, chemical mechanical poli

Currently, chemical mechanical polishing (CMP) is still one method of the most effective technology to achieve global planarization [5], [6] and [7]. However, owing to the super-high hardness and super-strong chemical innerness, CMP removal of sapphire and SiC wafer is very difficult [8], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15] and [16]. Moreover, the relative research on CMP characteristics of sapphire and SiC wafer is very few, especially CMP mechanism

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในปัจจุบัน เคมีขัดกล (CMP) ยังคงเป็นวิธีการหนึ่งของเทคโนโลยีมีประสิทธิภาพสูงสุดเพื่อให้บรรลุ planarization ทั่วโลก [5], [6] และ [7] อย่างไรก็ตาม เนื่องจากความแข็งสูงและแข็งแรงทางเคมี innerness, CMP ลบแซฟไฟร์และเวเฟอร์ SiC ยากมาก [8], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15] และ [16] นอกจากนี้ การวิจัยญาติ CMP ลักษณะของแซฟไฟร์และเวเฟอร์ SiC จะน้อยมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งกลไกการ CMP

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัจจุบันสารเคมีขัดกล (CMP) ยังคงเป็นวิธีการหนึ่งของเทคโนโลยีที่มีประสิทธิภาพมากที่สุดเพื่อให้บรรลุ planarization โลก [5] [6] [7] อย่างไรก็ตามเนื่องจากการแข็งซุปเปอร์สูงและ innerness เคมีซุปเปอร์แข็งแกร่งกำจัด CMP ของไพลินและ SiC เวเฟอร์เป็นเรื่องยากมาก [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] และ [16] นอกจากนี้ยังมีงานวิจัยที่สัมพันธ์กับลักษณะของซีเอ็มพีไพลินและเวเฟอร์ SiC น้อยมากโดยเฉพาะอย่างยิ่งกลไก CMP

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัจจุบันขัดกลเคมี ( CMP ) ยังคงเป็นวิธีหนึ่งของเทคโนโลยีที่มีประสิทธิภาพมากที่สุดเพื่อให้บรรลุโลก planarization [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] อย่างไรก็ตาม เนื่องจากให้ความแข็งสูงสุดและซูเปอร์ innerness เคมีแข็งแรง ประสิทธิภาพการกำจัดไพลินและซิลิกอนเวเฟอร์ยากมาก [ 8 ] , [ 9 ] , [ 10 ] [ 11 ] [ 12 ] [ 13 ] [ 14 ] [ 15 ] [ 16 ] นอกจากนี้ ญาติของพลอยและการวิจัยในลักษณะ CMP SiC wafer น้อยมาก โดยเฉพาะ ประสิทธิภาพ กลไก