Devices with ZnCds/TiOxsemiconducti

Devices with ZnCds/TiOxsemiconducting layer have shown higherefficiency due to higher band gap of these compounds as compared to devices withZnS OrCdS semiconducting layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์ มีชั้น ZnCds/TiOxsemiconducting ได้แสดง higherefficiency เนื่องจากแบนด์ช่องว่างที่สูงของสารเหล่านี้เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ withZnS OrCdS ตัวชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์ที่มี ZnCds / TiOxsemiconducting ชั้นได้แสดงให้เห็น higherefficiency เนื่องจากการช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของสารเหล่านี้เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ OrCdS withZnS ชั้นกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์ที่มี zncds / tioxsemiconducting ชั้นได้แสดง higherefficiency เนื่องจากจะมีช่องว่างแถบของสารประกอบเหล่านี้เมื่อเทียบกับอุปกรณ์กึ่งตัวนำ withzns orcds ชั้น