The composition and structure of the oxide films were
determined by XPS depth profiling using argon ions. Fig. 2
shows the depth distribution of all elements in the layer as
registered by the XPS analysis. Their concentration has been
calculated from the intensity of the Cr 2p, Fe 2p, Ni 2p, O
1s, C 1s and Si 2p lines. Using the procedure described in a
previous work [7] and the estimation made there concerning
the sputtering rate under analogous experimental conditions
(3 keV, 16mAcm-2, angle of incidence 45), one may estimate
roughly the thickness of the deposited chromium oxide
layer. From the sputtering time in Fig. 2 (ca. 200 min)
needed for reaching the oxide-substrate interface, it follows
that the layer thickness is of the order of 50 nm.
องค์ประกอบและโครงสร้างของฟิล์มออกไซด์ตามความลึก XPS สร้างโพรไฟล์โดยใช้ประจุอาร์กอน Fig. 2แสดงการกระจายความลึกขององค์ประกอบทั้งหมดในชั้นที่เป็นลงทะเบียน โดยการวิเคราะห์ XPS ความเข้มข้นของพวกเขาได้รับคำนวณความเข้มของ Cr 2p, Fe 2p, Ni 2p, O1s, C 1s และซีพี 2 บรรทัด ใช้กระบวนงานที่อธิบายไว้ในการก่อนหน้างาน [7] และการประเมินทำให้มีเกี่ยวกับอัตรา sputtering ภายใต้เงื่อนไขการทดลองคู่(3 keV, 16mAcm-2 มุมของอุบัติการณ์ 45), หนึ่งอาจประเมินประมาณความหนาของออกไซด์โครเมียมนำฝากชั้น จากเวลา sputtering ใน Fig. 2 (ca. 200 นาที)จำเป็นสำหรับการเข้าถึงอินเทอร์เฟซสำหรับพื้นผิวออกไซด์ เป็นไปตามที่ความหนาของชั้นลำดับ 50 nm
การแปล กรุณารอสักครู่..