Chlorine doped SnO2 thin films were

Chlorine doped SnO2 thin films were prepared using atomic layer deposition at temperatures between 300 and 450 °C using SnCl4 and H2O as the reactants. Composition, structure, surface morphology, and electrical properties of the as-deposited films were examined. Results showed that the as-deposited SnO2 films all exhibited rutile structure with [O]/[Sn] ratios between 1.35 and 1.40. The electrical conductivity was found independent on [O]/[Sn] ratio but dependent on chlorine doping concentration, grain size, and surface morphology. The 300 °C-deposited film performed a higher electrical conductivity of 315 S/cm due to its higher chlorine doping level, larger grain size, and smoother film surface. The existence of Sn2+ oxidation state was demonstrated to minimize the effects of chlorine on raising the electrical conductivity of films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คลอรีน doped SnO2 ฟิล์มบางเตรียมไว้ใช้สะสมชั้นของอะตอมที่อุณหภูมิระหว่าง 300 และ 450 ° C โดยใช้ H2O และ SnCl4 reactants องค์ประกอบ โครงสร้าง สัณฐานวิทยาผิว และคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มฝากเป็นถูกตรวจสอบ ผลพบว่า SnO2 ฝากเป็นภาพยนตร์โครงสร้าง rutile จัดแสดงทั้งหมด ด้วย [O] / [Sn] อัตราส่วนระหว่าง 1.35 และ 1.40 ค่าการนำไฟฟ้าพบอิสระบน [O] / โดปปิงค์ [Sn] อัตราส่วนแต่ขึ้นอยู่กับคลอรีนความเข้มข้น เมล็ดขนาด และสัณฐานวิทยาของผิว 300 ° C ฝากฟิล์มดำเนินการสูงกว่าค่าการนำไฟฟ้าของ S 315 ซม.เนื่องจากคลอรีนสูงโดปปิงค์ระดับ เมล็ดข้าวขนาดใหญ่ และพื้นผิวฟิล์มเรียบขึ้น การดำรงอยู่ของรายการ Sn2 + สถานะออกซิเดชันถูกแสดงเพื่อลดผลของคลอรีนในการนำไฟฟ้าของฟิล์ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คลอรีนเจือ SnO2 ฟิล์มบางได้จัดทำขึ้นโดยใช้การสะสมชั้นอะตอมที่อุณหภูมิระหว่าง 300 และ 450 องศาเซลเซียสโดยใช้ SnCl4 H2O และเป็นสารตั้งต้น องค์ประกอบโครงสร้างลักษณะพื้นผิวและคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าของภาพยนตร์ตามที่ฝากมีการตรวจสอบ ผลการศึกษาพบว่าในขณะที่ฝากภาพยนตร์ SnO2 โครงสร้าง rutile แสดงด้วย [O] / [Sn] อัตราส่วนระหว่าง 1.35 และ 1.40 การนำไฟฟ้าถูกพบเป็นอิสระเกี่ยวกับ [O] / [Sn] อัตราส่วน แต่ขึ้นอยู่กับความเข้มข้นของการเติมคลอรีนขนาดเม็ดและลักษณะพื้นผิว 300 ° C-ภาพยนตร์ฝากดำเนินการนำไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ 315 S / ซม. เนื่องจากระดับที่สูงกว่าการเติมคลอรีนของขนาดของเมล็ดข้าวขนาดใหญ่และพื้นผิวของฟิล์มเรียบเนียน การดำรงอยู่ของสถ​​านะออกซิเดชัน SN2 + ที่ได้รับการแสดงให้เห็นถึงลดผลกระทบของคลอรีนเกี่ยวกับการเพิ่มการนำไฟฟ้าของภาพยนตร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คลอรีนเจือ SnO2 ฟิล์มเตรียมการสะสมชั้นอะตอมที่อุณหภูมิระหว่าง 300 และ 450  ° C ใช้ sncl4 และ H2O เป็นก๊าซ องค์ประกอบ , โครงสร้างพื้นผิวและสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มที่ฝากล่อง ผลการศึกษาพบว่า เมื่อตกตะกอน SnO2 ฟิล์มมีโครงสร้างที่มีรูไทล์ [ o ] / [ SN ] อัตราส่วนระหว่าง 1.35 และ 1.40 .ค่าการนำไฟฟ้าพบอิสระ [ o ] / [ SN ] อัตราส่วนแต่ขนาดเม็ดขึ้นอยู่กับการเติมคลอรีน ความเข้มข้น และพื้นผิว . 300  ° c-deposited ภาพยนตร์แสดงการนำไฟฟ้าสูงกว่า 315   S / cm เนื่องจากสูงกว่าการเติมคลอรีนในระดับขนาดใหญ่ขนาดเกรนของฟิล์มและเรียบผิวการดำรงอยู่ของ sn2 สถานะออกซิเดชัน ) เพื่อลดผลของคลอรีนในการเพิ่มค่าการนำไฟฟ้าของฟิล์ม