Because the electron relaxation tim

Because the electron relaxation time of graphene represents the
average time needed for electrons to dissipate their energy, thus it
should have connections with the intrinsic loss rate c0. To confirm
this idea, we calculate the absorption spectrum numerically by
varying the relaxation time from 0.05 to 4 ps while keeping other
parameters of the device unchanged. Fig. 2(a) shows the spectrums
for 0.05 ps < s < 0.4 ps, where the resonant absorption rate
increases from 38% at s = 0.05 ps to 100% at s = 0.4 ps, and the
bandwidth becomes narrower as s grows. The spectrums for
0.4 ps < s < 4 ps are displayed in Fig. 2(b). Compared with
Fig. 2(a), the resonant absorption rate drops now with the increase

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากเวลาผ่อนคลายอิเล็กตรอน graphene แทนเวลาเฉลี่ยที่จำเป็นสำหรับอิเล็กตรอนพลังงานของพวกเขา ดังนั้นจึงกระจายไปควรมีการเชื่อมต่อกับ c0 อัตราขาดทุน intrinsic เพื่อยืนยันความคิดนี้ เราคำนวณสเปกตรัมดูดซึมโดยเรียงตามตัวเลขแตกต่างกันเวลาผ่อนคลายจาก 0.05 ถึง 4 ps ในขณะที่เก็บอื่น ๆพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ที่เปลี่ยนแปลง Fig. 2(a) แสดง spectrumsสำหรับ 0.05 ps < s < 0.4 ps ที่อัตราการดูดซับคงเพิ่มขึ้นจาก 38% s = 0.05 ps 100% ที่ s = 0.4 ps และแบนด์วิดท์จะแคบลงเป็น s เติบโต Spectrums สำหรับ0.4 ps < s < 4 ps จะแสดงใน Fig. 2(b) เมื่อเทียบกับFig. 2(a) อัตราการดูดซึมคงหยดตอนนี้ มีเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพราะเวลาผ่อนคลายอิเล็กตรอนของกราฟีนหมายถึงเวลาเฉลี่ยที่จำเป็นสำหรับอิเล็กตรอนกระจายพลังงานของพวกเขาดังนั้นจึงควรมีการเชื่อมต่อกับการสูญเสียที่แท้จริงอัตราc0 เพื่อยืนยันความคิดนี้เราคำนวณสเปกตรัมการดูดซึมโดยตัวเลขที่แตกต่างกันเวลาผ่อนคลาย0.05-4 PS ขณะที่การรักษาอื่น ๆพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ที่ไม่เปลี่ยนแปลง รูป 2 (ก) แสดงให้เห็นสเปกตรัมสำหรับ0.05 PS <s <0.4 PS ที่อัตราการดูดซึมจังหวะเพิ่มขึ้นจาก38% ที่ s = 0.05 PS ถึง 100% ที่ s = 0.4 PS และแบนด์วิดธ์จะแคบลงเป็นs เติบโต สเปกตรัมสำหรับ0.4 PS <s <4 PS จะมีการแสดงในรูปที่ 2 (ข) เมื่อเทียบกับรูป 2 (ก) ที่อัตราการดูดซึมลดลงจังหวะตอนนี้มีเพิ่มมากขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพราะถึงเวลาผ่อนคลายของ graphene อิเล็กตรอนแทน
เวลาเฉลี่ยที่จำเป็นสำหรับอิเล็กตรอน เพื่อกระจายพลังงาน ดังนั้นจึงควรมีการเชื่อมต่อกับ
อัตราการสูญเสียภายใน C0 . เพื่อยืนยัน
ความคิดนี้เราคำนวณเชิงตัวเลขโดยการดูดซึมสเปกตรัม
เปลี่ยนการพักผ่อนจาก 0.05 4 PS ในขณะที่รักษา
พารามิเตอร์อื่น ๆของอุปกรณ์ที่ไม่เปลี่ยนแปลง รูปที่ 2 ( ก ) แสดงสเปกตรัม
สำหรับทาง PS < s < 0.4 PS ที่อัตราการดูดซึมเพิ่มขึ้นจาก 38%
เรโซแนนซ์ที่ S = 0.05 PS 100% ที่ S = 0.4 PS และแบนด์วิดธ์จะเป็น S
แคบขึ้น ที่สอดคล้องกับ
0.4 PS < s < 3 PS จะแสดงในรูปที่ 2 ( ข ) เมื่อเทียบกับ
รูปที่ 2 ( ก ) , อัตราการดูดซึมลดลง ขณะนี้มีเพิ่มขึ้นดังกังวาน