1) Individual cell modelIndi vidual

1) Individual cell model
Indi vidual cell 1D model is depicted in Fig. 9 (a). The cell is
divided in N sub-domains. Notation on the Fig is following: P�
are losses of t sub-domain, Cj is thermal capacitance of f
sub-domain, Rj is fh sub-domain to the cell case thermal
residence, � is temperature of t sub-domain, Bc is
temperature of the cell case, RCA is the case to ambient
thermal resistance and BAMB is the cell ambient temperature.
2) Entire module model
Simplified ID thermal model of the entire module is
depicted in Fig. 9 (b). The model notation is: PCI! are losses of
the N'h cell, CCII is thermal capacitance of the N'h cell, RIIII is
the N'h cell to the module case thermal resistance, Rill is the 1 st
cell to the N'h cell cross-coupling thermal resistance, and BCII is
temperature of the N'h cell.
C. The module thermal design steps
The module design process can be summarized as follows.
o If possible, identify hot spot domain power losses Pj and
thermal resistance R,h
j.
o Define maximum hot-spot temperature f1max.
o Compute the cell maximum temperature for given losses
profile and maximum hot-spot temperature �max
o Compute the module case maximum temperature
Compute the module to ambient thermal resistance
The module cooling system design.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1) รุ่นที่แต่ละเซลล์Indi vidual เซลล์ 1D รุ่นนั้นมีกล่าวใน (ก) 9 Fig. เป็นเซลล์แบ่งออกเป็นโดเมนย่อยที่ N ตามบันทึกในฟิกนี้: Pเป็นขาดทุนโดเมนย่อย t, Cj เป็นค่าความจุความร้อนของ fโดเมนย่อย Rj เป็นโดเมนย่อย fh กรณีเซลล์ความร้อนเรสซิเดนซ์ อุณหภูมิของโดเมนย่อย t, Bc เป็นอุณหภูมิของเซลล์เช่น RCA เป็นกรณีไปล้อมต้านทานความร้อนและ BAMB เป็นอุณหภูมิของเซลล์2) รูปแบบโมดูลทั้งหมดโมเดลความร้อนรหัสภาษาของโมดูลทั้งหมดแสดงใน Fig. 9 (b) มีสัญลักษณ์รุ่น: PCI เป็นขาดทุนของเซลล์ N'h, CCII คือ ค่าความจุความร้อนของเซลล์ N'h, RIIIIเซลล์ N'h ไปที่โมดูลกรณีต้านทานความร้อน Rill เป็นเซนต์ 1เซลล์ต้านทานความร้อนระหว่างคลัปเซลล์ N'h และ BCIIอุณหภูมิของเซลล์ N'hค.โมดูความร้อนออกแบบขั้นตอนการออกแบบโมดูลสามารถสรุปได้ดังนี้o ถ้าเป็นไปได้ ระบุโดเมนพลังงานสูญเสียในจุดร้อนพีเจ และต้านทานความร้อน R, hเจo f1max จุดร้อนอุณหภูมิสูงสุดกำหนดo คำนวณอุณหภูมิสูงสุดเซลล์สำหรับให้ขาดทุนโพรไฟล์และสูงสุดจุดร้อนอุณหภูมิสูงสุด o คำนวณราคาโมดูลอุณหภูมิสูงสุดในกรณีคำนวณโมเพื่อต้านทานความร้อนล้อมรอบโมดูลระบายความร้อนระบบแบบนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1) รูปแบบมือถือส่วนบุคคล
Indi vidual มือถือรูปแบบ 1D เป็นที่ปรากฎในรูป 9 (ก) เซลล์มีการแบ่งออกเป็นไม่มีโดเมนย่อย
สัญกรณ์ในรูปต่อไปนี้: P
มีการสูญเสียของเสื้อโดเมนย่อย, Cj
คือความจุความร้อนของฉโดเมนย่อย, Rj เป็นโดเมนย่อย FH
กรณีเซลล์ความร้อนที่อยู่อาศัยคืออุณหภูมิของเสื้อโดเมนย่อย, Bc
คืออุณหภูมิของคดีเซลล์อาร์ซีเอเป็นกรณีไปโดยรอบต้านทานความร้อนและ
BAMB คืออุณหภูมิของเซลล์.
2)
โมดูลทั้งรูปแบบย่อID
รูปแบบการระบายความร้อนของโมดูลทั้งหมดจะปรากฎในรูป 9 (ข) สัญกรณ์รูปแบบคือ: PCI! มีการสูญเสียของเซลล์ N'h, CCII คือความจุความร้อนของเซลล์ N'h, RIIII เป็นเซลล์N'h ความต้านทานความร้อนกรณีโมดูลที่เป็นสายน้ำที่ 1 เซลล์ไปยังเซลล์ N'h ข้ามเพศสัมพันธ์ความร้อน ความต้านทานและ BCII คืออุณหภูมิของเซลล์N'h. ซี การออกแบบการระบายความร้อนโมดูลขั้นตอนขั้นตอนการออกแบบโมดูลที่สามารถสรุปได้ดังนี้. o ถ้าเป็นไปได้ระบุการสูญเสียพลังงานโดเมนจุดร้อน Pj และความต้านทานความร้อนR, เอชj. o การกำหนดอุณหภูมิร้อนจุดสูงสุด f1max. o การคำนวณเซลล์อุณหภูมิสูงสุดสำหรับ ความสูญเสียที่ได้รับรายละเอียดและสูงสุดอุณหภูมิร้อนจุดสูงสุดo Compute กรณีโมดูลอุณหภูมิสูงสุดคำนวณโมดูลที่จะเหมาะกับความต้านทานความร้อนโมดูลระบายความร้อนการออกแบบระบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 ) เซลล์เซลล์แต่ละรุ่น
vidual indi 1D รุ่นจะแสดงในรูปที่ 9 ( ) เซลล์จะแบ่งโดเมนย่อย
n . หมายเหตุ ในรูปคือต่อไปนี้ : P �
มีการสูญเสียของโดเมนย่อย t , CJ คือความจุความร้อนของ F
ซับโดเมน อาร์เจเป็น FH โดเมนย่อยไปยังเซลล์กรณีร้อน
เรสซิเดนซ์ �คืออุณหภูมิของโดเมนย่อย T , BC
อุณหภูมิของเซลล์ คดีเป็นกรณีแวดล้อม
อาร์ซีเอ