Bose et al. [9] subjected powdered

Bose et al. [9] subjected powdered silicon obtained by magnesium reduction of rice husk ash at a temperature of 600-650 oC to melting and directional solidification and found that boron was the active impurity in the polycrystalline silicon ingot obtained. They determined the minority carrier life time of their polycrystalline silicon material to be of the order of 1-5μs and concluded that to be promising for photovoltaic applications. A minimum carrier lifetime requirement for efficient solar cells fabricated from multicrystalline silicon wafers is however estimated as 25 μs [11].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เครื่อง et al. [9] ภายใต้ผงซิลิคอนได้ โดยลดแมกนีเซียมของเถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 องศาเซลเซียสเพื่อ solidification ละลาย และทิศทาง และพบว่า โบรอนมีมลทินใช้ในลิ่มซิลิคอนคที่ได้รับ พวกเขากำหนดเวลาชีวิตผู้ขนส่งชนกลุ่มน้อยของวัสดุซิลิคเป็นลำดับ 1-5μs และสรุปที่จะกำหนดการสำหรับการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ อย่างไรก็ตามมีประเมินความต้องการอายุการใช้งานขนส่งที่ต่ำสุดสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์มีประสิทธิภาพหลังสร้างจากซิลิคอน multicrystalline รับเป็น μs 25 [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โบเอตอัล [9] ภายใต้ผงซิลิกอนที่ได้รับจากการลดลงของแมกนีเซียมของเถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 องศาเซลเซียสในการละลายและการแข็งตัวทิศทางและพบโบรอนที่บริสุทธิ์ที่ใช้งานในแท่งคริสตัลไลน์ซิลิคอนที่ได้รับ พวกเขากำหนดเวลาชีวิตของชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการของวัสดุซิลิกอน polycrystalline ของพวกเขาจะมาจากคำสั่งของ 1-5μsและสรุปได้ว่าจะได้รับการสัญญาว่าสำหรับการใช้งานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ อายุการใช้งานของผู้ให้บริการความต้องการขั้นต่ำสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพประดิษฐ์จากช็อคโกแลต multicrystalline ซิลิคอนเป็นที่คาดกัน แต่เป็น 25 μs [11]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Bose et al . [ 9 ] ภายใต้ผงซิลิคอนแมกนีเซียมได้โดยการลดของเถ้าแกลบที่อุณหภูมิ 600-650 OC การหลอมและการทำให้ทิศทาง และพบว่ามีการใช้โบรอนบริสุทธิ์ในก้อนโลหะซิลิคอน polycrystalline )พวกเขากำหนดเวลาชีวิตของพาหะส่วนน้อยของผลึกซิลิคอนวัสดุเป็นลำดับที่ 1-5 μและสรุปได้ว่าเป็นสัญญาสำหรับการใช้งานเซลล์แสงอาทิตย์ ความต้องการขั้นต่ำสำหรับการใช้งานเป็นผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ multicrystalline ที่ประดิษฐ์จากซิลิคอนเวเฟอร์ เป็นอย่างไร ประมาณ 25 μ S [ 11 ]