Metal ionisation: There are several

Metal ionisation: There are several mechanisms to ionise the sputtered species in a magnetron sputtering system, e.g. penning ionisation, electron impact ionisation and
ion charge exchange [4]. Using a zero dimension global model, it has been shown in [6]
that the penning ionisation is important in discharges having ne < 1017 m 3, while
the electron impact ionisation is the main mechanism to produce metal ions when
ne > 1017 m 3. Gudmundsson [39] has developed a time-dependent global model to
investigate the ionisation mechanism in a HiPIMS discharge. It was reported in [39]
that during the pulse on-time phase, where ne 1019 m 3, sputtered species are mainly
ionised by the electron impact ionisation. In the afterglow plasma when ne decays,
the ion charge exchange mechanism is important in the ionisation process. Recently,
Raadu et al. [40] established a time-dependent global model that specically concerns
the ionisation region (IR) above the magnetron target. The IR model can be employed
to predict internal parameters (e.g. electron temperature, electron density and the
degree of ionisation of both the metal and the argon species) of the HiPIMS plasma
using discharge variables as the input parameters. For example, using a HiPIMS current
with at peak of 100 A, the electron density density can be increased up to 2 1019 m 3.
As a result, the degree of ionisation of aluminium reaches a peak of 80-85% [40

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ionisation โลหะ: มีหลายกลไกเพื่อ ionise ชนิด sputtered ใน magnetron พ่นระบบ เช่น penning ionisation อิเล็กตรอนกระทบ ionisation และ
ค่าสารกรอง [4] ใช้ศูนย์มิติสากลแบบ มันได้ถูกแสดงใน [6]
ว่า penning ionisation สำคัญปล่อยในขณะที่มีมุ < 1017 m 3
ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอนเป็นกลไกหลักในการผลิตโลหะประจุเมื่อ
ne > 1017 เมตร 3 Gudmundsson [39] ได้พัฒนาแบบจำลองส่วนกลางขึ้นอยู่กับเวลาการ
ionisation ระบบกลไกในการปล่อย HiPIMS ตรวจสอบ มีรายงาน [39]
ที่ระยะของเวลาชีพจร มุ 1019 m 3 ชนิด sputtered ส่วนใหญ่
ionised โดย ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอน ในพลาสม่า afterglow เมื่อมุ decays,
กลไกอัตราแลกเปลี่ยนค่าไอออนเป็นสิ่งสำคัญในกระบวนการ ionisation ล่าสุด,
Raadu et al. [40] ก่อตั้งขึ้นเป็นเวลาขึ้นอยู่กับส่วนกลางรุ่นที่กังวล cally speci
ionisation ภูมิภาค (IR) เหนือเป้าหมาย magnetron สามารถทำงานแบบ IR
เพื่อทำนายพารามิเตอร์ภายใน (เช่นอุณหภูมิอิเล็กตรอน ความหนาแน่นอิเล็กตรอนและ
องศาของ ionisation โลหะและชนิดอาร์กอน) ของพลาสม่า HiPIMS
ใช้ตัวแปรปล่อยเป็นพารามิเตอร์ป้อนเข้า ตัวอย่าง การใช้ปัจจุบัน HiPIMS
กับที่สูงสุด 100 A ความหนาแน่นความหนาแน่นอิเล็กตรอนสามารถเพิ่มได้ถึง 2 1019 m 3.
ดัง ระดับของ ionisation อะลูมิเนียมถึงสูงสุด 80-85% [40

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ionisation โลหะมีหลายกลไก ionise แมกนีตรอนสปัตเตอร์ชนิดที่เคลือบอนุภาคในระบบ เช่น เพนนิ่ง ionisation อิเล็กตรอนและแลกเปลี่ยนประจุไอออนผลกระทบ ionisation
[ 4 ] การใช้ศูนย์มิติระดับโลกแบบ มันได้ถูกแสดงใน [ 6 ]
ที่เขียน ionisation เป็นสิ่งสำคัญในการจำหน่ายมีเน่ < 1017 เมตรในขณะที่
3อิเล็กตรอนต่อ ionisation เป็นกลไกหลักที่จะผลิตไอออนโลหะเมื่อ
NE > 1017 ม. 3 gudmundsson [ 39 ] ได้พัฒนารูปแบบทั่วโลก

ionisation เวลาศึกษากลไกในการ hipims . มีรายงานใน [ 39 ]
ระหว่างชีพจรในเฟสที่ไม่  1019 ม. 3 sputtered ชนิดส่วนใหญ่
ionised โดยอิเล็กตรอนกระทบ ionisation .ในแสงสายัณห์พลาสมาเมื่อไม่สลายตัว
ไอออนแลกเปลี่ยนประจุคือกลไกสำคัญในกระบวนการ ionisation . เมื่อเร็ว ๆนี้
raadu et al . [ 40 ] สร้างโลกจำลองเวลา speci  คอลลี่กังวล
ionisation ภูมิภาค ( IR ) เหนือตรอนเป้าหมาย และรุ่นที่สามารถใช้ทำนายค่าพารามิเตอร์ภายใน
( อุณหภูมิ ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอน
เช่นระดับของ ionisation ทั้งโลหะและอาร์กอน ชนิดของ hipims พลาสมา
โดยใช้ตัวแปรจำหน่ายเป็นป้อนพารามิเตอร์ ตัวอย่างเช่น การใช้ hipims ปัจจุบัน
กับสูงสุด 100 , ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนความหนาแน่นจะเพิ่มขึ้นถึง 2  1019 ม. 3
เป็นผลให้ระดับของ ionisation อลูมิเนียมถึงจุดสูงสุดของ 80-85% [ 40