Most investigations on Zn diffusion

Most investigations on Zn diffusion in GaAs were processed using the Zn–As alloy sources to prevent the As atoms from escaping GaAs wafers, while we found that the Zn diffusion would change fundamentally if Zn–Ga alloy sources were used. The Ga atoms from the diffusion sources suppressed the formation of the high-concentration surface region in Zn profiles, thus converting a kink-and-tail profile into a box profile. The photoluminescence (PL) analysis was used to identify the diffusion mechanisms. The Ga vacancy defects were found in the surface region of the kink-and-tail profile, indicating that the dissociative mechanism dominated; the PL spectrum in the tail region of kink-and-tail profile and the main region of box profile showed the same signals, no Ga vacancy defects were found, thus the kick-out mechanism dominated.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตรวจสอบส่วนใหญ่ในแพร่ Zn ใน GaAs ถูกประมวลผลโดยใช้ Zn – เป็นโลหะผสมแหล่งเพื่อป้องกันไม่ให้หนีรับ GaAs ในขณะที่พบว่า แพร่ Zn จะเปลี่ยนภาระใช้แหล่งโลหะผสม Zn – Ga เป็นอะตอม อะตอม Ga จากแหล่งแพร่ระงับการก่อตัวของพื้นที่ผิวความเข้มข้นสูงในโพรไฟล์ Zn จึง แปลงโพรไฟล์ kink และหางเป็นโพรไฟล์กล่อง วิเคราะห์ photoluminescence (PL) ถูกใช้เพื่อระบุกลไกการแพร่ ตรวจพบข้อบกพร่องตำแหน่งว่าง Ga ในภูมิภาคพื้นผิวของโพรไฟล์ kink และหาง บ่งชี้ว่า กลไก dissociative ครอบงำ สัญญาณเดียวกัน แสดงสเปกตรัม PL ในแคว้นโพรไฟล์ kink และหางหางและภูมิภาคหลักของกล่องโปรไฟล์ Ga ไม่พบข้อบกพร่องตำแหน่งว่าง ดังนั้นกลไกเตะออกครอบงำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การตรวจสอบมากที่สุดในการแพร่กระจายสังกะสีใน GaAs ถูกประมวลผลโดยใช้สังกะสีในฐานะที่เป็นแหล่งที่มาผสมเพื่อป้องกันไม่ให้เป็นอะตอมจากการหลบหนีเวเฟอร์ GaAs ในขณะที่เราพบว่าการแพร่กระจายสังกะสีจะเปลี่ยนพื้นฐานถ้า Zn-Ga แหล่งอัลลอยด์ถูกนำมาใช้ อะตอม Ga จากแหล่งแพร่ปราบปรามการก่อตัวของภูมิภาคพื้นผิวที่มีความเข้มข้นสูงในโปรไฟล์สังกะสีจึงแปลงรายละเอียดหงิกงอและหางลงไปในรายละเอียดกล่อง สเซนต์ (PL) การวิเคราะห์ถูกใช้ในการระบุกลไกการแพร่กระจาย ข้อบกพร่องที่ว่าง Ga พบในภูมิภาคพื้นผิวของรายละเอียดหงิกงอและหางแสดงให้เห็นว่ากลไกการครอบงำทิฟ; สเปกตรัม PL ในภูมิภาคหางหงิกงอของรายละเอียดและหางและภูมิภาคหลักของรายละเอียดกล่องแสดงให้เห็นสัญญาณเดียวกันไม่มีข้อบกพร่องว่าง Ga พบจึงกลไกเตะออกมาครอบงำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่สุดตรวจสอบ Zn กระจายในนี้ถูกประมวลผลโดยใช้สังกะสีและโลหะผสมเป็นแหล่งป้องกันอะตอมแกลเลียมอาร์เซไนด์จากการเวเฟอร์ ในขณะที่เราพบว่า การแพร่กระจายของสังกะสีจะเปลี่ยนภาระถ้าสังกะสีและโลหะผสมแหล่งกาใช้ เกมอะตอมจากแพร่แหล่งยับยั้งการก่อตัวของผิวความเข้มข้นสูงในภูมิภาคในโปรไฟล์จึงแปลงความคิดและหางรายละเอียดลงในช่องรายละเอียด แบบที่ ( PL ) การวิเคราะห์เพื่อศึกษาการแพร่กระจายของกลไก เกมที่ว่าง ข้อบกพร่องที่พบในเขตของพื้นผิวและรายละเอียดหยิกหยองหาง แสดงว่ากลไกการสูญเสียครอบงำ ;PL สเปกตรัมในเขตหางของคิงและโปรไฟล์หางและภูมิภาคหลักของกล่องโปรไฟล์ พบสัญญาณเดียวกันไม่มีตำแหน่งว่าง ข้อบกพร่องที่พบกาจึงเตะออก
กลไกควบคุม