potential-induced degradation in n-

potential-induced degradation in n-type silicon photovoltaic modules can be basically explained by enhanced front surface recombination between electron and hole on the silicon cell, whereas the polarity of voltage leading to potential-induced degradation depends on structure of silicon cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลดเกิดศักยภาพในอาทิตย์สามารถโดยทั่วไปอธิบายได้ โดยการรวมตัวกันผิวหน้าเพิ่มขึ้นอิเล็กตรอนและหลุมบนเซลล์ซิลิคอน ในขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่การลดศักยภาพที่เกิดขึ้นกับโครงสร้างของเซลล์ซิลิคอนซิลิคอนชนิด n

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน N-ประเภทโมดูลซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์สามารถอธิบายได้โดยทั่วไปโดยเพิ่ม recombination พื้นผิวด้านหน้าระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมบนมือถือซิลิกอนในขณะที่ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปสู่​​การสลายตัวที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นอยู่กับโครงสร้างของเซลล์ซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่อาจเกิดขึ้นจากการย่อยสลายในแผงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนทั่วไปสามารถอธิบายได้โดยทั่วไป โดยการปรับปรุงพื้นผิวด้านหน้า การรวมตัวกันระหว่างอิเล็กตรอนและหลุมในซิลิคอนเซลล์ ส่วนขั้วของแรงดันเหนี่ยวนำศักยภาพการสลายตัวขึ้นอยู่กับโครงสร้างของซิลิคอนเซลล์