Two kinds of ARC coatings were depo

Two kinds of ARC coatings were deposited, either TiOx or SiNx:H. The TiOx antireflection
coating was deposited by sprayed-on using tetraethylorthotitanat ((C2H5O)4Ti) compounds.
Depositing at 300
oC for 5 seconds resulted in a 80 nm thick layer. The main advantages of this
method are simplicity and a very big throughput. The method is very suitable for solar cells based on
Cz-Si wafers but for multicrystalline cells the SiNx:H deposition by PECVD is more profitable.
Fig. 6 shows the reflectance of the Si texturized, passivated surface with and without the layer
of TiOx ARC and of mc-Si with a SiNx layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สองชนิดเคลือบ ARC ถูกฝาก antireflection TiOx หรือ SiNx:H. TiOxเคลือบได้ฝากโดยฉีดพ่นใช้ tetraethylorthotitanat สาร (4Ti (C2H5O))ฝาก 300oC เป็นเวลา 5 วินาทีส่งผลให้ชั้นหนา 80 nm ข้อดีของวิธีเรียบง่ายและอัตราความเร็วขนาดใหญ่ วิธีการคือเหมาะสำหรับใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์เพชรศรีเวเฟอร์ แต่สำหรับ multicrystalline เซลล์สะสม SiNx:H โดย PECVD มีผลกำไรเพิ่มขึ้นรูป 6 แสดงการสะท้อนของสีผ้าทอ passivated พื้นผิวที่มี และไม่ มีชั้นของ TiOx ARC และ mc ในชั้น SiNx ด้วย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สองชนิดของการเคลือบ ARC มีเงินอย่างใดอย่างหนึ่งหรือ TiOx SiNx: H สะท้อน TiOx
เคลือบถูกวางโดยการฉีดพ่นบนใช้ tetraethylorthotitanat ((C2H5O) 4TI) สารประกอบ.
ฝากที่ 300
องศาเซลเซียสเป็นเวลา 5 วินาทีส่งผลให้ชั้นหนา 80 นาโนเมตร ประโยชน์หลักของการนี้
วิธีการที่มีความเรียบง่ายและการส่งผ่านข้อมูลที่ใหญ่มาก วิธีนี้เหมาะมากสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นฐานของ
เวเฟอร์ CZ-Si แต่สำหรับเซลล์ multicrystalline SiNx: H ทับถมโดย PECVD มีผลกำไรมากขึ้น.
รูป 6 แสดงให้เห็นถึงการสะท้อนศรีผ้าทอพื้นผิว Passivated ที่มีและไม่มีชั้น
ของ TiOx ARC และ MC-Si ด้วยชั้น SiNx