Microstructure of the films changes

Microstructure of the films changes on varying film preparation conditions, particularly the annealing temperature. The surface morphology of deposited copper oxide films on glass substrate show grains of micrometric sizes. Each of these grains might correspond to an aggregate of copper oxide crystallites. Kinetic grain growth has been evaluated in copper oxide thin films by the calculation of its grain size at different temperatures. Optical band gap of the films, measured by employing a UV-VIS spectrophotometer, lies at 1.73 - 2.40 eV. Hence, the films of copper oxide obtained by this method may be exploited as cheap and efficient solar light absorber.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างจุลภาคของการเปลี่ยนแปลงของภาพยนตร์บนเงื่อนไขเตรียมฟิล์มแตกต่างกัน โดยเฉพาะอย่างยิ่งอุณหภูมิหลอม สัณฐานวิทยาพื้นผิวของฟิล์มออกไซด์ทองแดงฝากบนผิวกระจกแสดงธัญพืชด้วยระบบไมโครเมตริกขนาด ของธัญพืชเหล่านี้อาจตรงกับการรวมของออกไซด์ทองแดง crystallites เติบโตเคลื่อนไหวได้รับการประเมินในออกไซด์ทองแดงฟิล์มบาง โดยการคำนวณขนาดของเมล็ดข้าวที่อุณหภูมิต่าง ๆ ช่องว่างในวงแสงของฟิล์ม วัด โดยการใช้สเปคเครื่อง UV-VIS อยู่ที่ 1.73-2.40 eV ด้วยเหตุนี้ ฟิล์มของออกไซด์ทองแดงได้ โดยวิธีนี้อาจใช้ประโยชน์เป็นเสมือนแสงอาทิตย์ราคาประหยัด และมีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จุลภาคของภาพยนตร์ที่มีการเปลี่ยนแปลงในเงื่อนไขที่แตกต่างกันการเตรียมฟิล์มโดยเฉพาะอย่างยิ่งอุณหภูมิการหลอม พื้นผิวทางสัณฐานวิทยาของฝากฟิล์มออกไซด์ทองแดงบนกระจกพื้นผิวแสดงธัญพืชขนาด micrometric แต่ละธัญพืชเหล่านี้อาจตรงตามลักษณะที่รวมของ crystallites ออกไซด์ทองแดง การเจริญเติบโตของข้าว Kinetic ได้รับการประเมินในฟิล์มบางทองแดงออกไซด์โดยการคำนวณขนาดของเมล็ดข้าวที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน ช่องว่างวงออปติคอลของภาพยนตร์ที่วัดโดยการใช้ spectrophotometer UV-VIS อยู่ที่ 1.73-2.40 eV ดังนั้นฟิล์มออกไซด์ทองแดงได้รับโดยวิธีนี้อาจจะใช้ประโยชน์ราคาถูกและมีประสิทธิภาพการดูดกลืนแสงพลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างจุลภาคของฟิล์มการเปลี่ยนแปลงในเงื่อนไขที่แตกต่างการเตรียมฟิล์ม โดยเฉพาะการอบอุณหภูมิ ลักษณะพื้นผิวของฟิล์มฝากคอปเปอร์ออกไซด์บนแผ่นแก้วแสดงเม็ดขนาดไมโครเมตริก . แต่ละของธัญพืชเหล่านี้จะสอดคล้องกับการรวมของทองแดงออกไซด์ crystallites . การเติบโตของเกรนพลังงานจลน์ได้รับการประเมินในฟิล์มบางคอปเปอร์ออกไซด์โดยการคำนวณขนาดของเมล็ดข้าวที่อุณหภูมิต่าง ๆ ช่องว่างแถบเชิงแสงของฟิล์ม วัดโดยการใช้วัสดุเหล็กอยู่ที่ 1.73 - 2.40 EV ดังนั้น ฟิล์มออกไซด์ทองแดงที่ได้จากวิธีนี้อาจจะใช้ประโยชน์ เช่น ราคาถูก และมีประสิทธิภาพดูดซับแสงพลังงานแสงอาทิตย์