SiO2–C reaction occurs in a graphit

SiO2–C reaction occurs in a graphite electric resistance
furnace at very high temperature (from 1400 up to
2700 ℃), leading to polycrystalline SiC varying in
purity [3–5]. Depending on temperature, two main
phases are possible: α-SiC, having hexagonal crystal
structure, is the stable form at elevated temperature as
high as 1700 ℃; β-SiC, having cubic zinc-blende
structure, is formed at temperature below 1700 ℃.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SiO2 – C ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นในความต้านทานไฟฟ้าแกรไฟต์เตาเผาที่อุณหภูมิสูงมาก (จาก 1400 ขึ้นไป2700 ℃), นำไปสู่คฉบับที่แตกต่างกันความบริสุทธิ์ [3-5] ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ หลักสองขั้นตอนที่เป็นไปได้: ฉบับα มีหกเหลี่ยมคริสตัลโครงสร้าง เป็นรูปแบบที่เสถียรที่อุณหภูมิสูงเป็นสูงถึง 1700 ℃ Βไฮโล มีลูกบาศก์สังกะสี-blendeโครงสร้าง เกิดขึ้นที่อุณหภูมิต่ำกว่า 1700 ℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiO2-C ปฏิกิริยาเกิดขึ้นในกราไฟท์ต้านทานไฟฟ้า
เตาเผาที่อุณหภูมิสูงมาก (จาก 1400 ถึง
2700 ℃) นำไปสู่การ Polycrystalline SiC แตกต่างกันใน
ความบริสุทธิ์ [3-5] ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิหลักสอง
ขั้นตอนเป็นไปได้: α-SiC มีผลึกหกเหลี่ยม
โครงสร้างเป็นรูปแบบที่มีความเสถียรที่อุณหภูมิสูงเป็น
สูงถึง 1,700 ℃; β-SiC มีสังกะสีแร่สังกะสีลูกบาศก์
โครงสร้างจะเกิดขึ้นที่อุณหภูมิต่ำกว่า 1700 ℃

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SiO2 ) C ปฏิกิริยาเกิดขึ้นในแกรไฟต์ความต้านทานไฟฟ้าเตาหลอมที่อุณหภูมิสูงมาก ( จาก 1400 ขึ้น2700 ℃ ) นำผลึก SiC แตกต่างกันความบริสุทธิ์ [ 3 – 5 ] ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ สองหลักขั้นตอนที่เป็นไปได้ : แอลฟา SiC ที่มีผลึกหกเหลี่ยมโครงสร้างเป็นรูปแบบคงที่ที่อุณหภูมิสูง เช่นสูง 1 , 700 ℃ ; บีตา - ซิลิกอน มีคิวบิกสังกะสีผสมโครงสร้างจะเกิดขึ้นที่อุณหภูมิ 1700 ℃ .