The photoresist used to pattern the

The photoresist used to pattern the polyimide layer needs to be removed in a sequence of hot acetone followed by hot IPA and
DI water.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Photoresist ที่ใช้รูปแบบชั้น polyimide ต้องออกในลำดับของอะซีโตนร้อนตาม IPA ร้อน และน้ำ DI

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไวแสงที่ใช้ในการรูปแบบชั้น polyimide จะต้องมีการถอดออกในลำดับของอะซิโตนร้อนตามด้วย IPA
ร้อนและน้ำDI

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระบบที่ใช้รูปแบบ polyimide ชั้นต้องลบออกในลำดับรองลงมา คือ ร้อน และร้อน สำหรับ IPA
น้ำ DI .