We report formation of Cu2O thin-fi

We report formation of Cu2O thin-films through successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) process. We have fully characterized the thin-films grown in atmospheric condition with a non-vacuum process. Post-deposition annealing in oxygen environment has led to formation of CuO thin-films. We have formed pn-junctions with a layer of the p-type copper oxides and another layer of n-type SnO2 nanoparticles. Such pn-junctions, along with other oxide semiconductors as carrier blocking layers acted as all-oxide thin-film solar cells which were formed in an atmospheric condition. We report the effect of NiO as a hole-transporting and electron-blocking layer and ZnO as a buffer layer between p- and n-layers to forbid chemical changes occurring at the interface. From scanning tunneling spectroscopy (STS) measurements we could locate band-edges of the materials with respect to their Fermi energy. The NiO/Cu2O/ZnO/SnO2 heterojunction devices having a staircase-like energy level led to facile transport of electrons and holes to the opposite electrodes and thereby acting as all-oxide thin-film solar cells yielding an energy conversion efficiency in excess to 1%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานของ Cu2O บางภาพยนตร์ผ่านการดูดซับไอออนชั้นต่อ ๆ มาและปฏิกิริยา (SILAR) กระบวนการ นอกจากนี้เราอย่างเต็มที่มีลักษณะบางภาพยนตร์ที่ปลูกในสภาพบรรยากาศมีกระบวนการไม่ใช่ดูด หลังสะสมหลอมในออกซิเจนได้นำการก่อตัวของ CuO บางฟิล์ม เรามีขึ้นลีเมอร์ pn มีชั้น p-ประเภททองแดงออกไซด์และอีกชั้นเก็บกัก SnO2 ประเภท n เช่น pn-ลีเมอร์ พร้อมกับสารกึ่งตัวนำออกไซด์อื่น ๆ เป็นผู้ให้บริการบล็อกชั้นที่ทำหน้าที่เป็นเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มออกไซด์ทั้งหมดซึ่งก่อตัวในสภาวะบรรยากาศ เรารายงานผลของ NiO เป็นเลเยอร์ขน ส่งรู และ บล็อกอิเล็กตรอนและ ZnO เป็นชั้นบัฟเฟอร์ระหว่าง p-n-ชั้น และห้ามเปลี่ยนแปลงทางเคมีที่เกิดขึ้นในส่วนติดต่อ จากการสแกนวัดอุโมงค์มิก (STS) เราสามารถหาวงขอบของวัสดุเกี่ยวข้องกับพลังงานพลังงานแฟร์มี NiO/Cu2O/ZnO/SnO2 อุปกรณ์ heterojunction ที่มีระดับพลังงานเหมือนบันไดให้ร่มขนส่งอิเล็กตรอนและรูขั้วตรงข้าม และจึงทำหน้าที่เป็นเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มออกไซด์ทั้งหมดผลผลิตที่มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงานในส่วนที่เกิน 1%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานการก่อตัวของ Cu2O ภาพยนตร์บางผ่านการดูดซับไอออนิกชั้นต่อเนื่องและปฏิกิริยา (SILAR) กระบวนการ เรามีความโดดเด่นอย่างเต็มที่ฟิล์มบางที่ปลูกในสภาพบรรยากาศที่มีกระบวนการที่ไม่ใช่สูญญากาศ หลอมโพสต์ของพยานในสภาพแวดล้อมออกซิเจนได้นำไปสู่​​การก่อตัวของออกไซด์ฟิล์มบาง เราได้เกิดทางแยก-PN ด้วยชั้นของชนิดพีออกไซด์ทองแดงและชั้นของอนุภาคนาโน SnO2 n ชนิดอื่น แยก PN-ดังกล่าวพร้อมกับเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์อื่น ๆ เป็นผู้ให้บริการชั้นปิดกั้นการทำหน้าที่เป็นทุกออกไซด์ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ที่กำลังก่อตัวขึ้นในสภาพบรรยากาศ เรารายงานผลของ NiO เป็นหลุมขนส่งและชั้นอิเล็กตรอนการปิดกั้นและซิงค์ออกไซด์เป็นชั้นกันชนระหว่าง p- และชั้น n-ที่จะห้ามการเปลี่ยนแปลงทางเคมีที่เกิดขึ้นในอินเตอร์เฟซ จากการสแกนสเปกโทรสโกอุโมงค์ (STS) วัดที่เราสามารถหาขอบวงของวัสดุที่เกี่ยวกับพลังงานแฟร์ของพวกเขา NiO / Cu2O / ZnO / SnO2 อุปกรณ์เฮเทอโรมีระดับพลังงานบันไดเหมือนนำไปสู่​​การขนส่งที่สะดวกของอิเล็กตรอนและหลุมเพื่อขั้วตรงข้ามและจึงทำหน้าที่เป็นทุกออกไซด์ฟิล์มบางเซลล์แสงอาทิตย์ผลผลิตประสิทธิภาพการแปลงพลังงานในส่วนที่เกิน 1 %