The value of the gate resistance (R

The value of the gate resistance (Rgate) has a significant impact on the dynamic performance of the IGBTs. A smaller Rgate charges and discharges the IGBT input capacitance faster, which reduces the switching time and hence the switching losses and provides immunity to dV/dt turn on. But, a small Rgate can cause oscillation between the IGBT input capacitance and parasitic lead inductance.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ค่าของความต้านทานเก (Rgate) มีผลกระทบสำคัญต่อประสิทธิภาพการทำงานแบบไดนามิกของการ IGBTs Rgate ขนาดเล็กค่าธรรมเนียม และ discharges ความเข้า IGBT ซึ่งลดเวลาที่สลับ และดังนั้นการสลับขาดทุน และให้ภูมิคุ้มกันเพื่อ dV/dt เปิด แต่ Rgate ขนาดเล็กสามารถทำให้สั่นระหว่างความเข้า IGBT และ inductance รอเสียงฟู่เหมือนกาฝาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ค่าของความต้านทานประตู (Rgate) มีผลกระทบอย่างมากต่อประสิทธิภาพการทำงานแบบไดนามิกของ IGBTs ค่าใช้จ่ายที่มีขนาดเล็ก Rgate และปล่อยความจุป้อนข้อมูล IGBT ได้เร็วขึ้นซึ่งจะช่วยลดเวลาการเปลี่ยนและด้วยเหตุนี้การสูญเสียการเปลี่ยนและให้ภูมิคุ้มกันเพื่อ DV / dt เปิด แต่ Rgate ขนาดเล็กที่สามารถก่อให้เกิดความผันผวนระหว่างการป้อนข้อมูลความจุ IGBT และเหนี่ยวนำปรสิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ค่าความต้านทานที่ประตู ( rgate ) ที่มีผลกระทบต่อประสิทธิภาพแบบไดนามิกของ igbts . ขนาดเล็ก rgate ค่าธรรมเนียมและการจำหน่าย IGBT ที่ป้อนข้อมูลความจุได้อย่างรวดเร็ว ซึ่งช่วยลดเวลาการเปลี่ยนจึงขาดทุนสลับและมีภูมิต้านทานต่อ DV / DT เปิด แต่ rgate ขนาดเล็กสามารถทำให้เกิดการสั่นระหว่างความจุและความเหนี่ยวนำ IGBT ใส่นำปรสิต