The typicalIDS–VGcurve measuredat a

The typicalIDS–VGcurve measured
at aVDSof 100 mV shows that the gate can cause either hole or
electron conduction.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

TypicalIDS – VGcurve วัดใน mV aVDSof 100 แสดงว่า ประตูอาจทำให้เกิดเป็นรู หรือการนำอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

typicalIDS-VGcurve วัด
ที่ aVDSof 100 mV แสดงให้เห็นว่าประตูอาจทำให้เกิดทั้งหลุมหรือ
การนำอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ typicalids – vgcurve วัด
ที่ avdsof 100 หาบ แสดงให้เห็นว่า ประตูสามารถเป็นสาเหตุให้รู
อิเล็กตรอนศาสนา