A further increase in the contact t

A further increase in the contact time to 12 h resulted in more increase in the
band gap to 2.95 eV for SiO2/CuO12 sample.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพิ่มเติมในเวลาติดต่อการ 12 h ให้เพิ่มมากขึ้นในการช่องว่างของวงการ 2.95 eV สำหรับ SiO2/CuO12 ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพิ่มเติมเพิ่มในที่ติดต่อเวลา 12 ชั่วโมง ส่งผลให้เกิดช่องว่างเพิ่มขึ้น
วง 4.5 EV สำหรับพ่น / cuo12 ตัวอย่าง