Nelson reported epitaxiel layers th

Nelson reported epitaxiel layers that were typically 60 to 80 µm thick. Surfaces were
rough due to rapid growth in the low temperature regime near the completion of the
process and large (in the order of several µm) droplets of Ga were also noted at the
interface. A.R. Goodwin et al (1968) recognised this problem of rapid growth. Their
solution was to introduce a temperature gradient, approximately 10°C cm-1 so that the
seed was always colder than the melt by a fixed amount. As before, the boat was tipped
at 850°C and the furnace temperature lowered at a rate of 10°C/min to 600°C. Thus
layers of 150 to 200 µm thickness were grown over 3 hours. The surfaces of the epilayer
were good and occasionally mirror bright. Such experimental work led Goodwin et al to
reconsider the travelling solvent technique (TST) reported earlier by Miavsky and
Weinstein (1963). The Ga solvent is saturated with As by adding GaAs crystals, some are
dissolved while others remain floating on the surface throughout the growth cycle.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนลสันรายงานชั้น epitaxiel ที่ปกติ 60-80 ไมครอนหนา พื้นผิวได้ขรุขระเนื่องจากเจริญเติบโตอย่างรวดเร็วในระบอบการปกครองอุณหภูมิต่ำใกล้ความสำเร็จของการกระบวนการและหยดขนาดใหญ่ (ลำดับหลาย µm) ของสมาคมฯ ได้ยังตั้งข้อสังเกตในการอินเตอร์เฟซ เอ Goodwin et al (1968) รับรู้ปัญหานี้เติบโตอย่างรวดเร็ว ของพวกเขาเป็นการ แนะนำการไล่ระดับสีอุณหภูมิ ประมาณ 10° C ซม.-1 เพื่อให้การเมล็ดมาตลอดเย็นกว่าละลายตามยอดเงินคงที่ เป็นปลายเรือก่อนที่ 850° C และอุณหภูมิเตาลดลงด้วยอัตรา 10° C/นาที ที่ 600 องศาเซลเซียส ดังนั้นชั้นความหนา 150 ถึง 200 ไมครอนที่ปลูกช่วงเวลา พื้นผิวของ epilayerได้ดี และบางครั้งสะท้อนสดใส เช่นงานทดลองนำอัล et Goodwin เพื่อพิจารณาการเดินทางเป็นตัวทำละลายเทคนิค (TST) รายงานก่อนหน้านี้ โดย Miavsky และโอ (1963) ตัวทำละลาย Ga อิ่มตัวด้วย โดยการเพิ่มผลึก GaAs อย่างนี้ละลายในขณะที่คนอื่นยังคงลอยบนพื้นผิวตลอดช่วงการเจริญ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เนลสันรายงานชั้น epitaxiel ว่าโดยทั่วไปแล้ว 60-80 ไมครอนหนา พื้นผิวที่มีความ
ขรุขระเนื่องจากการเติบโตอย่างรวดเร็วในระบอบการปกครองของอุณหภูมิต่ำใกล้เสร็จสิ้นการที่
กระบวนการและขนาดใหญ่ (ในคำสั่งของหลายไมโครเมตร) หยด Ga นอกจากนี้ยังได้ตั้งข้อสังเกตที่
อินเตอร์เฟซ AR กูดวิน, et al (1968) ได้รับการยอมรับปัญหาของการเจริญเติบโตอย่างรวดเร็วนี้ พวกเขา
แก้ปัญหาเพื่อแนะนำการไล่ระดับสีอุณหภูมิประมาณ 10 องศาเซลเซียส CM-1 เพื่อให้
เมล็ดพันธุ์ก็มักจะเย็นกว่าละลายตามจำนวนเงินที่ได้รับการแก้ไข ก่อนที่เรือถูกปลาย
ที่ 850 องศาเซลเซียสและอุณหภูมิของเตาเผาลดลงในอัตรา 10 ° C / นาทีถึง 600 ° C ดังนั้น
ชั้นของ 150-200 ไมโครเมตรความหนาเป็นผู้ใหญ่กว่า 3 ชั่วโมง พื้นผิวของ epilayer
ดีและบางครั้งก็สะท้อนสดใส การทดลองดังกล่าวนำกูดวิน et al, การ
พิจารณาเดินทางเทคนิคตัวทำละลาย (TST) รายงานก่อนหน้านี้โดย Miavsky และ
ไวน์สไตน์ (1963) ตัวทำละลาย Ga อิ่มตัวด้วยในฐานะที่เป็นโดยการเพิ่ม GaAs ผลึกบางส่วนจะ
เลือนหายไปในขณะที่คนอื่น ๆ ยังคงลอยอยู่บนพื้นผิวตลอดวงจรการเจริญเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เนลสันรายงาน epitaxiel ชั้นที่มักจะ 60 ถึง 80 µเมตรหนา พื้นผิวคือขรุขระเนื่องจากการเจริญเติบโตอย่างรวดเร็วในอุณหภูมิต่ำ ความสมบูรณ์ของระบอบใกล้กับกระบวนการและขนาดใหญ่ ( ในคำสั่งของหลายµ M ) หยดกา ยังตั้งข้อสังเกตที่อินเตอร์เฟซ รถยนต์ กู๊ดวิน et al ( 1968 ) การยอมรับปัญหานี้ของการเจริญเติบโตอย่างรวดเร็ว ของพวกเขาโซลูชั่นเพื่อแนะนำอุณหภูมิสีประมาณ 10 องศา C cm-1 ดังนั้นว่าเมล็ดมักจะเย็นกว่าละลายด้วยปริมาณคงที่ ก่อนที่เรือจะถูกทำร้ายที่ 850 องศา C และเตาอุณหภูมิลดลงในอัตรา 10 ° C / นาที 600 องศา ดังนั้นชั้น 150 ถึง 200 เมตร ความหนาµปลูกมากกว่า 3 ชั่วโมง พื้นผิวของ epilayerดี และมีกระจกใส งานทดลองเช่น LED กู๊ดวิน et al เพื่อพิจารณาการเดินทางตัวทำละลายเทคนิค ( TST ) รายงานว่า ก่อนหน้านี้ โดย miavsky และไวน์สไตน์ ( 1963 ) เกมละลายอิ่มตัวกับผลึกแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยเพิ่มบางละลายในขณะที่คนอื่นยังคงลอยบนพื้นผิวตลอดวงจรการเจริญเติบโต