Processing of copper printed circui

Processing of copper printed circuit boards is similar to the photo lithographic steps of semiconductor processing.

We start with a copper foil laminated to an epoxy fiberglass board in Figure above (a). We also need positive artwork with black lines corresponding to the copper wiring lines and pads that are to remain on the finished board. Positive artwork is required because positive acting resist is used. Though, negative resist is available for both circuit boards and semiconductor processing. At (b) the liquid positive photo resist is applied to the copper face of the printed circuit board (PCB). It is allowed to dry and may be baked in an oven. The artwork may be a plastic film positive reproduction of the original artwork scaled to the required size. The artwork is placed in contact with the circuit board under a glass plate at (c). The board is exposed to ultraviolet light (d) to form a latent image of softened photo resist. The artwork is removed (e) and the softened resist washed away by an alkaline solution (f). The rinsed and dried (baked) circuit board has a hardened resist image atop the copper lines and pads that are to remain after etching. The board is immersed in the etchant (g) to remove copper not protected by hardened resist. The etched board is rinsed and the resist removed by a solvent.

The major difference in the patterning of semiconductors is that a silicon dioxide layer atop the wafer takes the place of the resist during the high temperature processing steps. Though, the resist is required in low temperature wet processing to pattern the silicon dioxide.

An N-type doped silicon wafer in Figure below (a) is the starting material in the manufacture of semiconductor junctions. A silicon dioxide layer (b) is grown atop the wafer in the presence of oxygen or water vapor at high temperature (over 1000o C in a diffusion furnace. A pool of resist is applied to the center of the cooled wafer, then spun in a vacuum chuck to evenly distribute the resist. The baked on resist (c) has a chrome on glass mask applied to the wafer at (d). This mask contains a pattern of window which is exposed to ultraviolet light (e).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประมวลผลของวงจรทองแดงจะคล้ายกับขั้นตอนของการประมวลผลสารกึ่งตัวนำภาพสีบนแผ่นเหล็กเราเริ่มต้น ด้วยฟอยล์ทองแดงที่เคลือบเพื่อคณะกรรมการอีพ็อกซี่ไฟเบอร์กลาสในรูปด้านบน (a) นอกจากนี้เรายังต้องการงานศิลปะบวกกับเส้นสีดำที่สอดคล้องกับเส้นสายไฟทองแดงและแผ่นที่มีอยู่บนกระดานเสร็จแล้ว งานศิลปะจำเป็นเนื่องจากใช้ต้านทานทำหน้าที่บวกบวก แม้ว่า ต้านทานเชิงลบมีทั้งวงจรและสารกึ่งตัวนำการประมวลผล (ข) ของเหลวบวกภาพที่ ต่อต้านจะใช้กับหน้าทองแดงของวงจรพิมพ์ (PCB) มันได้รับอนุญาตให้แห้ง และอาจอบในเตาอบ งานศิลปะอาจเป็นฟิล์มพลาสติกที่ทำผลงานศิลปะบวกภาพปรับขนาดต้อง งานศิลปะอยู่ติดต่อกับวงจรใต้แผ่นกระจกที่ (c) คณะมีสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต (d) ฟอร์มรูปแฝงภาพอ่อนตัวต้านทาน ผลงานจะถูกเอาออก (e) และต้านทานอ่อนที่ล้างไป โดยละลายด่าง (f) รูปภาพต่อต้านแข็งบนสายทองแดงและแผ่นที่จะยังคงอยู่หลังจากแกะสลักกระเด็นเมื่อจะ และแห้ง (อบ) วงจรได้ คณะด่ำ etchant (g) เพื่อเอาทองแดงที่ไม่ป้องกัน โดยต้านทานแข็งแรง คณะสลักได้รวดเร็ว และต่อต้านการเอาออก โดยตัวทำละลายความแตกต่างที่สำคัญในแบบเซมิคอนดักคือ ว่า ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์บนเวเฟอร์ใช้สถานที่ของการต่อต้านในช่วงอุณหภูมิสูงขั้นตอนการประมวลผล แม้ว่า ต้านทานการเป็นในรูปแบบซิลิกอนไดออกไซด์ประมวลเปียกอุณหภูมิต่ำเป็นแผ่นซิลิคอนเจือชนิด N ในรูปด้านล่าง (a) เป็นวัสดุเริ่มต้นในการผลิตของทางแยกสารกึ่งตัวนำ ชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ (b) มีปลูกบนเวเฟอร์ในที่ที่มีออกซิเจนหรือไอน้ำที่อุณหภูมิสูง (มากกว่า 1000o C ในเตากระจายตัว กลุ่มต่อต้านใช้กับศูนย์กลางของแผ่นระบายความร้อนด้วย แล้วปั่นในเชยเป็นสูญญากาศเพื่อกระจายความต้านทาน ต้านทานอบบน (c) มีเป็นโครเมียมบนหน้ากากแก้วที่ใช้กับแผ่นที่ (d) หน้ากากนี้ประกอบด้วยรูปแบบของหน้าต่างที่มีสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต (e)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประมวลผลของทองแดงแผงวงจรพิมพ์คล้ายกับขั้นตอนภาพพิมพ์หินของการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์.

เราเริ่มต้นด้วยฟอยล์ทองแดงเคลือบคณะกรรมการอีพ็อกซี่ไฟเบอร์กลาสในรูปข้างต้น (ก) นอกจากนี้เรายังต้องการงานศิลปะในเชิงบวกที่มีเส้นสีดำที่สอดคล้องกับสายสายทองแดงและแผ่นที่จะยังคงอยู่ในคณะกรรมการดำเนินการเสร็จสิ้น งานศิลปะในเชิงบวกคือต้องเนื่องจากการแสดงในเชิงบวกต่อต้านการถูกนำมาใช้ แม้ว่าเนกาทีฟสามารถใช้ได้ทั้งแผงวงจรไฟฟ้าและการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ ที่ (ข) ภาพบวกของเหลวต่อต้านนำมาใช้กับใบหน้าทองแดงแผงวงจรพิมพ์ (PCB) จะได้รับอนุญาตให้แห้งและอาจมีการอบในเตาอบ งานศิลปะอาจจะเป็นฟิล์มพลาสติกสืบพันธุ์ในเชิงบวกของงานศิลปะเดิมปรับให้มีขนาดที่ต้องการ งานศิลปะที่ถูกวางไว้ในการติดต่อกับแผงวงจรภายใต้แผ่นกระจกที่ (ค) คณะกรรมการมีการสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต (ง) ในรูปแบบภาพแฝงของภาพนิ่มต่อต้าน งานศิลปะจะถูกลบออก (E) และนิ่มต่อต้านล้างออกไปโดยสารละลายด่าง (ฉ) (การอบ) แผงวงจรล้างและแห้งได้แข็งต่อต้านภาพบนสายทองแดงและแผ่นที่จะยังคงอยู่หลังจากการแกะสลัก คณะกรรมการจะแช่อยู่ใน etchant (g) เพื่อเอาทองแดงไม่ได้รับการคุ้มครองโดยแข็งต่อต้าน คณะกรรมการฝังล้างและต่อต้านการลบออกโดยตัวทำละลาย.

ความแตกต่างที่สำคัญในการเลียนแบบของเซมิคอนดักเตอร์ที่เป็นที่ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์บนแผ่นเวเฟอร์จะเกิดขึ้นของการต่อต้านในระหว่างขั้นตอนการประมวลผลที่มีอุณหภูมิสูง แม้ว่าต่อต้านเป็นสิ่งจำเป็นในการประมวลผลเปียกอุณหภูมิต่ำรูปแบบซิลิคอนไดออกไซด์ได้.

เอ็นชนิดเจือเวเฟอร์ซิลิกอนในรูปด้านล่าง (ก) เป็นวัสดุที่เริ่มต้นในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทางแยก ชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ (ข) เป็นที่ปลูกอยู่บนแผ่นเวเฟอร์ในการปรากฏตัวของออกซิเจนหรือไอน้ำที่อุณหภูมิสูงได้ (มากกว่า 1000o C ในเตากระจาย. สระว่ายน้ำของต่อต้านการถูกนำไปใช้เป็นศูนย์กลางของเวเฟอร์เย็นแล้วปั่นใน เชยสูญญากาศที่จะเกลี่ยต่อต้าน. อบบนต่อต้าน (ค) มีโครเมี่ยมหน้ากากแก้วนำไปใช้กับเวเฟอร์ที่ (ง). หน้ากากนี้มีรูปแบบของหน้าต่างที่มีการสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต (จ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การประมวลผลของทองแดงแผงวงจรพิมพ์จะคล้ายกับรูปลิโธกราฟฟิคขั้นตอนของการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์เราเริ่มต้นด้วยฟอยล์ทองแดงเคลือบอีพ็อกซี่ ไฟเบอร์กลาส เป็นบอร์ดในรูปข้างบน ( ) เรายังต้องการงานศิลปะบวกกับสายที่สอดคล้องกับสายทองแดงเส้นและแผ่นรองที่ยังคงอยู่บนเสร็จบอร์ดสีดำ งานศิลปะเชิงบวกต้องเพราะบวกทำตัวต่อต้านใช้ แม้ว่า ลบต้านทานพร้อมทั้งวงจรและประมวลผล ) ( ข ) ในรูปของเหลวต้านทานบวกใช้ทองแดงหน้าของแผ่นวงจรพิมพ์ ( PCB ) จะได้รับอนุญาตให้แห้ง และอาจจะอบในเตาอบ งานศิลปะอาจจะเป็น ฟิล์มพลาสติก บวกการทำซ้ำงานศิลปะต้นฉบับปรับขนาดให้มีขนาดที่ต้องการ . งานศิลปะอยู่ในการติดต่อกับแผงวงจรใต้จานแก้ว ( C ) กระดานสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต ( D ) รูปแบบภาพแฝงของนิ่มรูปต้านทาน งานศิลปะจะถูกเอาออก ( E ) และนิ่มขัดขืน ล้างออกด้วยสารละลายด่าง ( F ) การล้างและอบแห้ง ( อบ ) แผงวงจรมีแข็งกระด้างต่อต้านภาพบนเส้นและแผ่นทองแดงที่ยังคงอยู่หลังจากการ . คณะกรรมการจะแช่อยู่ใน etchant ( G ) จะเอาทองแดงที่ไม่ป้องกัน โดยกล้าขัดขืน แกะสลักบอร์ดล้างและขัดขวางลบออกโดยตัวทำละลายแตกต่างที่สำคัญในภาษาของสารกึ่งตัวนำที่เลเยอร์บนเวเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ใช้สถานที่ของการต่อต้านระหว่างขั้นตอนการประมวลผลที่อุณหภูมิสูง แม้ว่า ขัดขืนต้องมีอุณหภูมิต่ำเปียกการประมวลผลรูปแบบซิลิคอนไดออกไซด์มีทั่วไปในรูปด้านล่างด้วยแผ่นซิลิคอน ( ) เป็นวัตถุดิบตั้งต้นในการผลิตแบบสารกึ่งตัวนำ ซิลิคอนไดออกไซด์ ชั้น ( B ) ปลูกบนแผ่นเวเฟอร์ในการปรากฏตัวของออกซิเจนหรือไอน้ำที่อุณหภูมิสูง ( มากกว่า 1000o C ในการแพร่ เตา สระว่ายน้ำการต่อต้านที่ใช้กับศูนย์ของเย็นแผ่นเวเฟอร์ จากนั้นปั่นในสูญญากาศชัคอย่างเท่าเทียมกันกระจายต่อต้าน อบต่อต้าน ( C ) มีโครเมี่ยมบนแผ่นเวเฟอร์ที่ใช้หน้ากากแก้ว ( D ) หน้ากากนี้มีรูปแบบของหน้าต่างซึ่งเป็นสัมผัสกับแสงอัลตราไวโอเลต ( E )