we are also concerned that if there

we are also concerned that if there is a negative shift effect of VB of
NiO semiconductor induced by surface protonation, cutting
down the device photovoltage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรายังมีความกังวลที่ว่ามีผลกะค่าลบของ VB ของสารกึ่งตัวนำ NiO ที่เหนี่ยวนำ โดย protonation ผิว ตัดลง photovoltage อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรายังมีความกังวลว่าถ้ามีผลกระทบเชิงลบของการเปลี่ยนแปลง VB
ของเซมิคอนดักเตอร์NiO
ที่เกิดจากพื้นผิวโปรตอนตัดลงphotovoltage อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรายังมีความกังวลว่า หากมี ผล กะ ลบของ VB ของเซมิคอนดักเตอร์และโปรตอนนีโอ

ลงอุปกรณ์พื้นผิวการตัดชิ้นงาน .