Abstract—In this letter, we present

Abstract—In this letter, we present a linear InGaP/GaAs
HBT power amplifier (PA) with parallel-combined transistors
for small-cell applications. Ballast resistors with bypass resistors
and capacitors are employed in parallel-combined transistors.
When the resistors and capacitors are set to appropriate values,
IMD3 components of the parallel-combined transistors are found
to be out of phase with each other by 180◦ and are canceled
out at the output.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นามธรรมซึ่งในจดหมายนี้ เรานำเสนอ InGaP/GaAs เชิงเส้นขยายอำนาจราตรี (PA) กับรวมขนานทรานซิสเตอร์สำหรับการใช้งานในเซลล์ขนาดเล็ก บัลลาสต์ตัวต้านทานกับการเลี่ยงผ่านตัวต้านทานและตัวเก็บประจุทำงานในขนานรวมทรานซิสเตอร์เมื่อตัวต้านทานและตัวเก็บประจุจะถูกตั้งค่าที่เหมาะสมพบ IMD3 ประกอบของทรานซิสเตอร์ขนานรวมกันที่จะออกจากขั้นตอนด้วยกันโดย 180◦ และมีการยกเลิกเช็คผลลัพธ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อในจดหมายฉบับนี้เรานำเสนอเชิงเส้น InGaP / GaAs
HBT ขยายอำนาจ (PA) ทรานซิสเตอร์ขนานร่วมกัน
สำหรับการใช้งานเซลล์ขนาดเล็ก บัลลาสต์ตัวต้านทานตัวต้านทานกับบายพาส
และตัวเก็บประจุที่ถูกว่าจ้างในทรานซิสเตอร์ขนานรวม.
เมื่อตัวต้านทานและตัวเก็บประจุมีการกำหนดให้ค่าที่เหมาะสม,
ส่วนประกอบ IMD3 ของทรานซิสเตอร์ขนานรวมกันจะพบว่า
จะออกจากเฟสกับแต่ละอื่น ๆ โดย180◦และจะถูกยกเลิก
ออกที่ส่งออก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อ ในฉบับนี้เรานำเสนอ ingap / GaAs เชิงเส้นเครื่องขยายเสียง hbt อำนาจ ( PA ) ขนานกับทรานซิสเตอร์รวมสำหรับการใช้งาน small-cell . บัลลาสต์ตัวต้านทานกับตัวต้านทาน บายพาสและตัวเก็บประจุจะใช้ทรานซิสเตอร์แบบขนานเมื่อตัวต้านทานและตัวเก็บประจุเป็นค่านิยมที่เหมาะสมimd3 ส่วนประกอบของขนานรวมทรานซิสเตอร์ที่พบจะออกจากเฟสกัน 180 ◦และยกเลิกที่ออก