Hence, inserting this diode will in

Hence, inserting this diode will increase the size of the
circuit and also the stray elements. Therefore, it was
decided that using this diode will not improve the circuit
behaviour. As a large proportion of IGBT failures occur
after the DUT has commenced turn off, (RBSOA failure)
it was decided that this type of failure should be
undertaken in the simulation case study. The simulated
turn off failure following a standard double pulse test is
shown in Fig. 11. The figure shows the DUT output
voltage (VDUT) and its current (IDUT). After the DUT
was turned off at t=100µs, a failure is simulated at time
110µs (point ta), Fig. 12 shows the failure region in more
detail. As the DUT fails VDUT will drop and IDUT will
increase triggering the NDT action in the circuit. There is
a delay time both in the controller and the IGBT switches
so IDUT will continue to increase with a di/dt limited by
the stray inductance in the circuit.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังนั้น แทรกไดโอดนี้จะเพิ่มขนาดของการ วงจร และองค์ประกอบหลงทาง ดังนั้น ก็ ตัดสินใจว่า ใช้ไดโอดนี้จะไม่ปรับปรุงวงจร พฤติกรรมการ เป็นสัดส่วนขนาดใหญ่ของ IGBT ความล้มเหลวเกิดขึ้น หลังจากบิลพัสดุ์ได้เริ่มปิด, (ดับ RBSOA) มันเป็นการตัดสินใจว่า ความล้มเหลวชนิดนี้ควรจะ ทำการจำลองกรณีศึกษา การเลียนแบบ ปิดการทดสอบมาตรฐานคู่ชีพจรเป็นดังต่อไปนี้ล้มเหลว แสดงใน Fig. 11 ตัวเลขแสดงผลบิลพัสดุ์ แรงดันไฟฟ้า (VDUT) และเป็นปัจจุบัน (IDUT) หลังจากบิลพัสดุ์ เปิดปิดที่ t = 100µs จำลองความล้มเหลวครั้ง 110µs (จุดตา), Fig. 12 แสดงภูมิภาคความล้มเหลวขึ้น รายละเอียด ตามบิลพัสดุ์ล้มเหลว VDUT จะหล่นและ IDUT จะได้หรือไม่ เพิ่มเรียกผู้ดำเนินการในวงจร มี เวลาที่ล่าช้าทั้ง ในการควบคุมและสวิตช์ IGBT ดังนั้น IDUT จะยังคงเพิ่มขึ้น ด้วยเป็น di/dt จำกัดโดย inductance จรจัดในวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นการใส่ไดโอดนี้จะเพิ่มขนาดของวงจรและองค์ประกอบจรจัด ดังนั้นจึงได้ตัดสินใจว่าการใช้ไดโอดนี้จะไม่ปรับปรุงวงจรพฤติกรรม ในฐานะที่เป็นส่วนใหญ่ของความล้มเหลว IGBT เกิดขึ้นหลังจากDUT ได้เริ่มปิด (ความล้มเหลว RBSOA) มันก็ตัดสินใจว่าประเภทของความล้มเหลวนี้ควรจะนำไปใช้ในกรณีศึกษาการจำลอง จำลองปิดความล้มเหลวต่อไปนี้การทดสอบการเต้นของชีพจรสองมาตรฐานจะแสดงในรูป 11. รูปที่แสดงให้เห็นถึงการส่งออก DUT แรงดันไฟฟ้า (VDUT) และในปัจจุบัน (IDUT) หลังจากที่ DUT ถูกปิดที่ t = 100μsความล้มเหลวจะถูกจำลองในเวลา110μs (จุดตา) รูป 12 แสดงให้เห็นถึงความล้มเหลวในภูมิภาคในรายละเอียด ในฐานะที่เป็น DUT ล้มเหลว VDUT จะลดลงและ IDUT จะเพิ่มการเรียกการกระทำNDT ในวงจร มีช่วงเวลาที่ล่าช้าทั้งในควบคุมและสวิทช์ IGBT เพื่อ IDUT จะยังคงเพิ่มขึ้นด้วย di / dt จำกัด โดยเหนี่ยวนำจรจัดในวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้น การใส่ไดโอดนี้จะเพิ่มขนาดของ
วงจรและยังหลงทางองค์ประกอบ จึงตัดสินใจใช้ไดโอดนี้

จะไม่ปรับปรุงวงจรของพฤติกรรม ขณะที่สัดส่วนขนาดใหญ่ของ IGBT ความล้มเหลวเกิดขึ้น
หลังจากในการสั่งซื้อ ได้เริ่มปิด ( rbsoa ความล้มเหลว )
ก็ตัดสินใจว่า ความล้มเหลวของชนิดนี้ควร
ดังในการจำลองสถานการณ์กรณีศึกษา โดย
ปิดความล้มเหลวดังต่อไปนี้การทดสอบชีพจรสองมาตรฐานคือ
แสดงในรูปที่ 11 รูปที่แสดงให้เห็นในการสั่งซื้อผลผลิต
แรงดันไฟฟ้า ( vdut ) และปัจจุบัน ( idut ) หลังจากในการสั่งซื้อ
ปิดที่ t = 100 µ S , ความล้มเหลว ) ในเวลาµ
110 S ( จุดตา ) , รูปที่ 12 แสดงให้เห็นความล้มเหลวในภูมิภาคในรายละเอียดเพิ่มเติม

เป็น vdut ล้มเหลวในการสั่งซื้อจะลดลงและจะเพิ่ม idut
เรียก NDT การกระทำในวงจรไฟฟ้ามีการประวิงเวลาในตัวควบคุมและ IGBT สวิตช์
ดังนั้น idut จะยังคงเพิ่มขึ้นด้วยดิ / DT จำกัดโดย
จรจัดตัวเหนี่ยวนำในวงจรไฟฟ้า