This Letter demonstrates a strategy

This Letter demonstrates a strategy for producing bulk quantities of high quality, dimensionally uniform single-crystal silicon micro- and nanoribbons from bulk silicon (111) wafers. The process uses etched trenches with controlled rippled structures defined on the sidewalls, together with angled evaporation of masking materials and anisotropic wet etching of the silicon, to produce multilayer stacks of ribbons with uniform thicknesses and lithographically defined lengths and widths, across the entire surface of the wafer. Ribbons with thicknesses between tens and hundreds of nanometers, widths in the micrometer range, and lengths of up to several centimeters, can be produced, in bulk quantities, using this approach. Printing processes enable the layer by layer transfer of organized arrays of such ribbons to a range of other substrates. Good electrical properties (mobilities∼190 cm2V-1s-1, on/off >104) can be achieved with these ribbons in thin film type transistors formed on plastic substrates, thereby demonstrating one potential area of application.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จดหมายนี้แสดงให้เห็นถึงกลยุทธ์สำหรับการผลิตปริมาณจำนวนมากคุณภาพ มิติรูปผลึกเดี่ยวซิลิคอนไมโคร และ nanoribbons จากจำนวนมากซิลิคอนรับ (111) การใช้สลัก trenches ด้วยโครงสร้างควบคุมที่กำหนดไว้ใน sidewalls กับระเหยเป็นมุมของกำบังวัสดุและกัดเปียก anisotropic ซิลิคอน rippled ผลิตทุกรุ่นมีความหนาสม่ำเสมอ และ lithographically กำหนดความยาว และความ กว้าง หลายชั้นกองทั่วพื้นผิวทั้งหมดของแผ่นเวเฟอร์ ทุกรุ่น มีความหนาระหว่างหลักสิบและร้อย nanometers ความกว้างในช่วงไมโครมิเตอร์ และความยาวของถึงหลายเซนติเมตร สามารถผลิต ปริมาณจำนวนมาก การใช้วิธีการนี้ กระบวนการพิมพ์เปิดใช้งานการโอนย้ายเลเยอร์โดยเลเยอร์ของอาร์เรย์เป็นระเบียบดังกล่าวทุกรุ่นถึงพื้นผิวอื่น ๆ คุณสมบัติทางไฟฟ้าดี (mobilities∼190 cm2V-1s-1 เปิด/ปิด > 104) สามารถทำได้กับทุกรุ่นเหล่านี้ใน transistors ชนิดฟิล์มบางที่เกิดขึ้นบนพื้นผิวพลาสติก จึงเห็นพื้นที่หนึ่งที่มีศักยภาพของโปรแกรมประยุกต์ได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จดหมายฉบับนี้แสดงให้เห็นถึงกลยุทธ์ในการผลิตปริมาณจำนวนมากที่มีคุณภาพสูงชุดมิติเดียวผลึกซิลิกอนไมโครและนาโนริบบอนด์จากซิลิกอนเป็นกลุ่ม (111) ช็อคโกแลต กระบวนการใช้สนามเพลาะแกะสลักที่มีการควบคุมระลอกโครงสร้างที่กำหนดไว้ชิดร่วมกับการระเหยมุมของวัสดุกำบังและ anisotropic แกะสลักเปียกของซิลิกอนเพื่อผลิตกองหลายของริบบิ้นที่มีความหนาสม่ำเสมอและความยาวที่กำหนด lithographically และความกว้างทั่วพื้นผิวทั้งหมดของ เวเฟอร์ ริบบิ้นที่มีความหนาระหว่างหลายสิบและหลายร้อยนาโนเมตรความกว้างในช่วงไมโครเมตรและความยาวของขึ้นไปหลายเซนติเมตรสามารถผลิตได้ในปริมาณมากโดยใช้วิธีการนี​​้ กระบวนการพิมพ์ให้ชั้นโดยการโอนเงินชั้นของอาร์เรย์จัดของริบบิ้นดังกล่าวในช่วงของพื้นผิวอื่น ๆ คุณสมบัติทางไฟฟ้​​าที่ดี (mobilities~190 cm2V-1S-1, เปิด / ปิด> 104) สามารถทำได้ด้วยริบบิ้นเหล่านี้ในบางทรานซิสเตอร์ชนิดฟิล์มบนพื้นผิวพลาสติกจึงแสดงให้เห็นถึงพื้นที่ที่อาจเกิดขึ้นอย่างใดอย่างหนึ่งของการประยุกต์ใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จดหมายฉบับนี้แสดงให้เห็นถึงกลยุทธ์ในการผลิตขนาดใหญ่ปริมาณของที่มีคุณภาพสูง , มิติเครื่องแบบซิลิกอนผลึกเดี่ยวขนาดเล็กและขนาดใหญ่ ( 111 ) nanoribbons จากซิลิคอนเวเฟอร์ ขั้นตอนการใช้ฝังลึกกับระลอกคลื่นโครงสร้างควบคุมที่กำหนดไว้บนผนังด้านข้างพร้อมกับการระเหยของวัสดุและการบังมุมเปียก Anisotropic ของซิลิคอนผลิตหลายกองทุกรุ่นมีความหนาสม่ำเสมอและ lithographically กำหนดความยาวและความกว้าง ทั่วพื้นผิวทั้งหมดของเวเฟอร์ ทุกรุ่นมีความหนาระหว่างสิบและหลายร้อยนาโนเมตร ความกว้างในช่วงไมโครเมตร และความยาวถึงหลายเซนติเมตร สามารถผลิตได้ในปริมาณที่เป็นกลุ่ม โดยใช้วิธีนี้กระบวนการพิมพ์ให้ชั้นโดยชั้นการจัดระเบียบอาร์เรย์ของริบบิ้นเช่นช่วงของพื้นผิวอื่น ๆ คุณสมบัติทางไฟฟ้า ( mobilities ∼ 190 cm2v-1s-1 , เปิด / ปิด > 104 ) สามารถทำได้ด้วยฟิล์มบางทรานซิสเตอร์ชนิดเหล่านี้ริบบิ้นในรูปแบบบนพื้นผิวพลาสติก จึงแสดงให้เห็นถึงศักยภาพของพื้นที่หนึ่ง
ใบสมัคร