This confirmed the success of the i

This confirmed the success of the introduction of amorphousSiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films on AlN surface asthere is no the Si 2p peak observed on the surface of untreatedAlN.Since the silicon atom is tetravalent, the Si 2p peak is alsoinfluenced by the surrounding atoms bonded to silicon e.g. themore the electronegativity (EN) of element (EN of O > N > C) bondedto Si, the higher the binding energy of the Si 2p peak wasobserved. It has been reported previously that the main lineof Si 2p peak of Si C (SiC), Si-N (Si3N4) and Si O (SiO2) wereobserved at 100.7 ± 3 eV, 102.4 ± 5 eV and 103.7 ± 5 eV, respec-tively [28–31]. This observation indicated that the pyrolysis ofPSZ in various atmospheres resulted in the formation of SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)ceramics with different chemical com-position as the main lines of the Si 2p peak of SiOCairandSiONC(Ar, N2and NH3)films on AlN surface were located at differentbinding energy.For the case of pyrolysis under inert gas (Ar and N2), the mainline of the Si 2p peak of the SiONCArand SiONCN2films on AlNsurface was located at the same binding energy at 103.1 eV. How-ever, for the case of pyrolysis under air, the main line of the Si2p peak of SiOCairfilm on AlN was very intense and located atthe binding energy near Si O (SiO2). The shift of the Si 2p peakto 104.0 eV suggested that during pyrolysis of PSZ under air theoxidation reaction was involved and resulted in the introductionof O atom into SiOCairceramic network. In addition, for the case ofpyrolysis under NH3, the main line of the Si 2p peak of SiONCNH3film was shifted toward the lower binding energy (102.7 eV) alongwith the decrease of the intensity near the binding energy of Si OFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี้ได้รับการยืนยันความสำเร็จของการเปิดตัวของ amorphousSiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์เซรามิกบนพื้นผิว asthere ALN ไม่มียอดศรี 2p สังเกตบนพื้นผิวของอะตอมซิลิกอน untreatedAlN.Since เป็น tetravalent, ศรี 2p สูงสุดเป็น alsoinfluenced โดย อะตอมโดยรอบผูกมัดกับซิลิกอนเช่น themore อิเล็ก (EN) ขององค์ประกอบ (EN ของ O> N> C) bondedto ศรีที่สูงกว่าพลังงานที่มีผลผูกพันศรี 2p สูงสุด wasobserved มันได้รับรายงานก่อนหน้านี้ว่ายอดเขาหลัก lineof ศรี 2p ของศรี C (SIC), Si-N (Si3N4) และศรี O (SiO2) wereobserved ที่ 100.7 ± 3 eV, 102.4 ± 5​​ EV และ 103.7 ± 5 eV ตามลํา ลำดับ [28-31] ข้อสังเกตนี้ชี้ให้เห็นว่าไพโรไลซิ ofPSZ ในสภาพแวดล้อมที่แตกต่างกันส่งผลให้เกิดการก่อตัวของ SiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) เซรามิกที่มีตำแหน่งคอมเคมีที่แตกต่างกันเป็นสายหลักของศรี 2p จุดสูงสุดของ SiOCairandSiONC (Ar, N2and NH3) ในภาพยนตร์ ALN พื้นผิวที่ตั้งอยู่ที่ differentbinding energy.For กรณีของไพโรไลซิภายใต้แก๊สเฉื่อย (Ar และ N2) ฉีดศรี 2p จุดสูงสุดของ SiONCArand SiONCN2films ใน AlNsurface ตั้งอยู่ที่พลังงานที่มีผลผูกพันเดียวกันที่ 103.1 eV วิธีการที่เคยสำหรับกรณีที่มีการไพโรไลซิภายใต้อากาศ, สายหลักของยอด Si2p ของ SiOCairfilm ใน ALN รุนแรงมากและมีผลผูกพันอยู่ atthe พลังงานใกล้ศรี O (SiO2) เปลี่ยนศรี 2p peakto 104.0 eV ชี้ให้เห็นว่าในช่วงไพโรไลซิของ PSZ ภายใต้ปฏิกิริยาอากาศ theoxidation มีส่วนเกี่ยวข้องและมีผลในอะตอม introductionof O เข้าสู่เครือข่าย SiOCairceramic นอกจากนี้สำหรับกรณีที่ ofpyrolysis ภายใต้ NH3, สายหลักของศรี 2p จุดสูงสุดของ SiONCNH3film ขยับไปทางพลังงานที่มีผลผูกพันที่ต่ำกว่า (102.7 eV) alongwith ลดลงของความเข้มพลังงานใกล้ผูกพันของศรี OFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้ยืนยันความสำเร็จของการ amorphoussiocairand sionc ( AR , n2and nh3 ) ฟิล์มบนพื้นผิวเซรามิกไป ALN ไม่ศรี 2p ยอดสังเกตบนพื้นผิวของ untreatedaln เนื่องจากซิลิคอนอะตอมที่ , ศรี 2p สูงสุด alsoinfluenced โดยรอบอะตอมพันธะกับซิลิคอนเช่นรองมีอิเล็กโทรเนกาติวิตี ( en ) ของธาตุ ( en o > N > c ) bondedto ซื่อสูงกว่าพลังงานรวมของจังหวัด 2p สูงสุดลง มีรายงานก่อนหน้านี้ว่า หลัก lineof ศรี 2p ยอดศรี C ( Sic ) si-n ( Si3N4 ) และ ซิโอ ( SiO2 ) wereobserved ที่ 100.7 ± 3 เอฟ 102.4 ± 5 EV และ 103.7 มันอีกกี่สถานีนะ± 5 EV respec มี 28 , [ 31 ] การสำรวจครั้งนี้ พบว่า ในบรรยากาศต่าง ๆผลิต ofpsz ส่งผลให้เกิดการก่อตัวของ siocairand sionc ( อาร์n2and nh3 ) เซรามิกที่มีเคมี com ตำแหน่งเป็นสายหลักของจังหวัด 2p จุดสูงสุดของ siocairandsionc ( AR , n2and nh3 ) ฟิล์มบนพื้นผิว ALN ตั้งอยู่ใน differentbinding พลังงาน สำหรับกรณีของไพโรภายใต้แก๊สเฉื่อย ( AR และ N2 ) , mainline ของศรี 2p สูงสุดของ sioncarand sioncn2films บน alnsurface คือ โรงแรมตั้งอยู่ที่พลังงานผูกพันเดียวกันที่ 103.1 EV วิธีเคยสำหรับกรณีการเผาภายใต้อากาศ สายหลักของยอด si2p ของ siocairfilm ALN รุนแรงมาก และอยู่ในระดับพลังงานยึดเหนี่ยวใกล้ศรี O ( SiO2 ) การเปลี่ยนแปลงของศรี peakto 2p 104.0 EV แนะนำว่าในระหว่างการไพโรไลซิสของ psz ภายใต้ปฏิกิริยาอากาศ theoxidation เกี่ยวข้องและผลในอะตอม introductionof O เป็น siocairceramic เครือข่าย นอกจากนี้สำหรับกรณี ofpyrolysis ภายใต้ nh3 สายหลักของจังหวัด คือ จุดสูงสุดของ sioncnh3film 2p เลื่อนต่อล่างพลังงานยึดเหนี่ยว ( 102.7 EV ) alongwith การลดลงของความเข้มพลังงานรวมของจังหวัด ofig ใกล้กับ