Optical band gap of un-doped and Al

Optical band gap of un-doped and Al-doped ZnO thin films depended on negative bias and
RF power and in both cases showed tendency to narrowing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ช่องว่างของวงแสงของ ZnO ยัง doped และอัล doped ฟิล์มบาง ๆ ขึ้นอยู่กับความโน้มเอียงที่เป็นค่าลบ และRF ใช้พลังงาน และแนวโน้มทั้งสองกรณีแสดงให้เห็นว่าการจำกัดให้แคบลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ช่องว่างแถบแสงของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ยกเลิกการเจือและอัลเจือขึ้นอยู่กับอคติและลบ
RF อำนาจและในทั้งสองกรณีแสดงให้เห็นแนวโน้มที่จะลดลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ช่องว่างแถบเชิงแสงของสหประชาชาติและฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอัลขึ้นอยู่กับลบอคติและ
พลังงาน RF และในทั้งสองกรณีพบว่า มีแนวโน้มที่จะแคบลงเรื่อยๆ