under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustrated
in Figure 5A. The WO3 film was prepared by a similar
anodization method and subsequently calcined at 400 °C for 4
h to achieve a monoclinic structure (sample C in Figure 1). No
significant change in the morphology is observed after
calcination. The onset potential is the minimum potential or
voltage required for continuous anodic photocurrent to be
observed and is illustrated by the interception of the curves
under dark and light conditions. As observed in Figure 5A, the
onset potential values were observed at −0.60 V for Bi2WO6
and −0.23 V for WO3 during the sweeping toward the positive
potential direction. The presence of Bi2WO6 shifted the onset
potential of the electrode by 0.37 V to the negative direction,
which is of practical importance for the PEC water splitting
reactions. Because both Bi2WO6 and WO3 are n-type
semiconductors, the onset potential represents the flat band
potential and also the potential of the conduction band. As
mentioned earlier, Bi2WO6 is composed of a layered structure
with the perovskite-like slab of WO6 and [Bi2O2]
2+ layers. In
general, a metal oxide with a layered structure usually leads to a
wider band energy when compared to its bulk counterpart.
Factors contributing to the wider band include the thickness
and interaction of the perovskite layers that cause the excited
energy state to be more localized.23 Therefore, the conduction
band consisting of W 5d orbitals in the layered Bi2WO6 is more
negative than that of the bulk WO3. The reason for Bi2WO6
having a similar band gap than WO3, regardless of the higher
conduction band, is the presence of Bi. On the basis of density
functional theory calculations, the valence band of Bi2WO6
consists of both Bi 6s and O 2p orbitals, which result in a new
hybridized valence band with energy higher than that of the O
2p orbital in WO3.
21,24,25 The optical behavior of the Bi2WO6
film investigated by the UV−vis absorbance spectra and
wavelength-dependent photocurrent measurements is illustrated
in Figure 5B. The absorption edge is positioned at 440
under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustratedin Figure 5A. The WO3 film was prepared by a similaranodization method and subsequently calcined at 400 °C for 4h to achieve a monoclinic structure (sample C in Figure 1). Nosignificant change in the morphology is observed aftercalcination. The onset potential is the minimum potential orvoltage required for continuous anodic photocurrent to beobserved and is illustrated by the interception of the curvesunder dark and light conditions. As observed in Figure 5A, theonset potential values were observed at −0.60 V for Bi2WO6and −0.23 V for WO3 during the sweeping toward the positivepotential direction. The presence of Bi2WO6 shifted the onsetpotential of the electrode by 0.37 V to the negative direction,which is of practical importance for the PEC water splittingreactions. Because both Bi2WO6 and WO3 are n-typesemiconductors, the onset potential represents the flat bandpotential and also the potential of the conduction band. Asmentioned earlier, Bi2WO6 is composed of a layered structurewith the perovskite-like slab of WO6 and [Bi2O2]2+ layers. Ingeneral, a metal oxide with a layered structure usually leads to awider band energy when compared to its bulk counterpart.Factors contributing to the wider band include the thicknessand interaction of the perovskite layers that cause the excitedenergy state to be more localized.23 Therefore, the conductionband consisting of W 5d orbitals in the layered Bi2WO6 is more
negative than that of the bulk WO3. The reason for Bi2WO6
having a similar band gap than WO3, regardless of the higher
conduction band, is the presence of Bi. On the basis of density
functional theory calculations, the valence band of Bi2WO6
consists of both Bi 6s and O 2p orbitals, which result in a new
hybridized valence band with energy higher than that of the O
2p orbital in WO3.
21,24,25 The optical behavior of the Bi2WO6
film investigated by the UV−vis absorbance spectra and
wavelength-dependent photocurrent measurements is illustrated
in Figure 5B. The absorption edge is positioned at 440
การแปล กรุณารอสักครู่..

ภายใต้ความมืดและความสว่างแสงใน 0.1 M กรดซัลฟิวริกเป็นภาพประกอบ
ในรูป 5A . wo3 ฟิล์มถูกเตรียมโดยวิธีโนไดเซชั่นเหมือนกัน
และถูกเผาที่ 400 องศา C 4
H เพื่อบรรลุโครงสร้างโมโนคลินิก ( ตัวอย่าง C ในรูปที่ 1 ) ไม่มีการเปลี่ยนแปลงในลักษณะ
ถูกพบหลังจากการเผา . การโจมตีที่อาจเกิดขึ้นคือศักยภาพต่ำสุดหรือ
แรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการอย่างต่อเนื่อง บูบูจะ
สังเกตและภาพประกอบ โดยการสกัดกั้นของเส้นโค้ง
ภายใต้ความมืด และสภาพแสง เท่าที่สังเกตในรูป 5A ,
เริ่มทดลองที่อาจเกิดขึ้นสำหรับ bi2wo6
V − 1 , −และ V สำหรับ wo3 ในระหว่างกวาดไปทางทิศทางที่อาจเกิดขึ้นบวก
การปรากฏตัวของ bi2wo6 เปลี่ยนการโจมตี
ศักยภาพของขั้วไฟฟ้าโดย 037 5 ทิศทางลบ
ซึ่งการปฏิบัติสําคัญสําหรับ PEC น้ำแตก
ปฏิกิริยา เพราะทั้งสองและมี bi2wo6 wo3 ทั่วไป
เซมิคอนดักเตอร์ , การโจมตีที่อาจเกิดขึ้น แสดงศักยภาพวงดนตรี
แบนและศักยภาพของการนำวงดนตรี โดย
กล่าวถึงก่อนหน้านี้ bi2wo6 ประกอบด้วยชั้นโครงสร้าง
กับเพอรอฟสไกด์เหมือนแผ่น wo6 และ [ bi2o2 ]
2 ชั้น ใน
ทั่วไปเป็นโลหะออกไซด์ที่มีโครงสร้างชั้นมักจะนำไปสู่
กว้างแถบพลังงานเมื่อเทียบกับคู่ของขนาดใหญ่ .
ปัจจัยที่กว้างวงดนตรีรวมหนา
และปฏิสัมพันธ์ของเพอรอฟสไกต์ชั้นที่ก่อให้เกิดสภาวะพลังงานตื่นเต้น
เป็น localized.23 มากขึ้น ดังนั้น การนำ
วงดนตรีประกอบด้วย W 5D วงโคจรในชั้น bi2wo6 มากขึ้น
ติดลบกว่าของ wo3 เป็นกลุ่ม เหตุผล bi2wo6
มีช่องว่างแถบ wo3 คล้ายกันมากกว่า ไม่สูงกว่า
นำวงดนตรี , การแสดงตนของบี บนพื้นฐานของทฤษฎีการทำงานความหนาแน่น
การคำนวณ ระดับที่ 2 วง bi2wo6
ประกอบด้วยทั้งบี 6S และ O 2p วงโคจร ซึ่งส่งผลให้ใหม่
3 2 วงดนตรีที่มีพลังงานสูงกว่าของ O
21,24 2p โคจรใน wo3 . ,25 ลักษณะแสงของ bi2wo6
ภาพยนตร์สืบสวนโดย UV Vis ดูดกลืนแสงความยาวคลื่นและ− 2 วัดคือ บูบู
ภาพประกอบในรูป 5B การดูดซึมขอบตั้งอยู่ที่ 440
การแปล กรุณารอสักครู่..
