under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustratedin Figu การแปล - under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustratedin Figu ไทย วิธีการพูด

under dark and light illumination i

under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustrated
in Figure 5A. The WO3 film was prepared by a similar
anodization method and subsequently calcined at 400 °C for 4
h to achieve a monoclinic structure (sample C in Figure 1). No
significant change in the morphology is observed after
calcination. The onset potential is the minimum potential or
voltage required for continuous anodic photocurrent to be
observed and is illustrated by the interception of the curves
under dark and light conditions. As observed in Figure 5A, the
onset potential values were observed at −0.60 V for Bi2WO6
and −0.23 V for WO3 during the sweeping toward the positive
potential direction. The presence of Bi2WO6 shifted the onset
potential of the electrode by 0.37 V to the negative direction,
which is of practical importance for the PEC water splitting
reactions. Because both Bi2WO6 and WO3 are n-type
semiconductors, the onset potential represents the flat band
potential and also the potential of the conduction band. As
mentioned earlier, Bi2WO6 is composed of a layered structure
with the perovskite-like slab of WO6 and [Bi2O2]
2+ layers. In
general, a metal oxide with a layered structure usually leads to a
wider band energy when compared to its bulk counterpart.
Factors contributing to the wider band include the thickness
and interaction of the perovskite layers that cause the excited
energy state to be more localized.23 Therefore, the conduction
band consisting of W 5d orbitals in the layered Bi2WO6 is more
negative than that of the bulk WO3. The reason for Bi2WO6
having a similar band gap than WO3, regardless of the higher
conduction band, is the presence of Bi. On the basis of density
functional theory calculations, the valence band of Bi2WO6
consists of both Bi 6s and O 2p orbitals, which result in a new
hybridized valence band with energy higher than that of the O
2p orbital in WO3.
21,24,25 The optical behavior of the Bi2WO6
film investigated by the UV−vis absorbance spectra and
wavelength-dependent photocurrent measurements is illustrated
in Figure 5B. The absorption edge is positioned at 440
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
under dark and light illumination in 0.1 M H2SO4 is illustratedin Figure 5A. The WO3 film was prepared by a similaranodization method and subsequently calcined at 400 °C for 4h to achieve a monoclinic structure (sample C in Figure 1). Nosignificant change in the morphology is observed aftercalcination. The onset potential is the minimum potential orvoltage required for continuous anodic photocurrent to beobserved and is illustrated by the interception of the curvesunder dark and light conditions. As observed in Figure 5A, theonset potential values were observed at −0.60 V for Bi2WO6and −0.23 V for WO3 during the sweeping toward the positivepotential direction. The presence of Bi2WO6 shifted the onsetpotential of the electrode by 0.37 V to the negative direction,which is of practical importance for the PEC water splittingreactions. Because both Bi2WO6 and WO3 are n-typesemiconductors, the onset potential represents the flat bandpotential and also the potential of the conduction band. Asmentioned earlier, Bi2WO6 is composed of a layered structurewith the perovskite-like slab of WO6 and [Bi2O2]2+ layers. Ingeneral, a metal oxide with a layered structure usually leads to awider band energy when compared to its bulk counterpart.Factors contributing to the wider band include the thicknessand interaction of the perovskite layers that cause the excitedenergy state to be more localized.23 Therefore, the conductionband consisting of W 5d orbitals in the layered Bi2WO6 is more
negative than that of the bulk WO3. The reason for Bi2WO6
having a similar band gap than WO3, regardless of the higher
conduction band, is the presence of Bi. On the basis of density
functional theory calculations, the valence band of Bi2WO6
consists of both Bi 6s and O 2p orbitals, which result in a new
hybridized valence band with energy higher than that of the O
2p orbital in WO3.
21,24,25 The optical behavior of the Bi2WO6
film investigated by the UV−vis absorbance spectra and
wavelength-dependent photocurrent measurements is illustrated
in Figure 5B. The absorption edge is positioned at 440
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
ไฟส่องสว่างภายใต้ความมืดและแสงสว่างใน 0.1 M H2SO4
จะแสดงในรูปที่5A ภาพยนตร์เรื่องนี้ WO3
ถูกจัดทำขึ้นคล้ายวิธีanodization และต่อมาเผาที่ 400 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 4
ชั่วโมงเพื่อให้บรรลุโครงสร้าง monoclinic (ตัวอย่างซีในรูปที่ 1) ไม่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในสัณฐานเป็นที่สังเกตหลังจากการเผา ที่มีศักยภาพการโจมตีที่อาจเกิดขึ้นเป็นขั้นต่ำหรือแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการ photocurrent ขั้วบวกอย่างต่อเนื่องที่จะตั้งข้อสังเกตและมีการแสดงโดยการสกัดกั้นของเส้นโค้งที่ภายใต้เงื่อนไขที่มืดและแสงสว่าง ในฐานะที่เป็นข้อสังเกตในรูป 5A ที่ค่าการโจมตีที่อาจเกิดขึ้นถูกตั้งข้อสังเกตที่-0.60 V สำหรับ Bi2WO6 และ -0.23 V สำหรับ WO3 ในช่วงกวาดไปทางบวกทิศทางที่อาจเกิดขึ้น การปรากฏตัวของ Bi2WO6 เปลี่ยนการโจมตีที่อาจเกิดขึ้นของขั้วไฟฟ้าจาก0.37 V ถึงทิศทางเชิงลบที่มีความสำคัญในทางปฏิบัติสำหรับการแยกน้ำPEC ปฏิกิริยา เพราะทั้งสอง Bi2WO6 WO3 และเป็นชนิดเอ็นเซมิคอนดักเตอร์ที่มีศักยภาพการโจมตีหมายถึงวงแบนที่มีศักยภาพและยังมีศักยภาพของการนำวงดนตรีที่ ในฐานะที่เป็นที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้ Bi2WO6 ประกอบด้วยโครงสร้างชั้นด้วยแผ่นperovskite เหมือนของ WO6 และ [Bi2O2] 2+ ชั้น ในทั่วไปโลหะออกไซด์ที่มีโครงสร้างชั้นมักจะนำไปสู่การใช้พลังงานในวงกว้างเมื่อเทียบกับคู่ของกลุ่ม. ปัจจัยที่เอื้อต่อการวงกว้างรวมถึงความหนาและการมีปฏิสัมพันธ์ของชั้น perovskite ที่ทำให้ตื่นเต้นพลังงานจะเป็นภาษาท้องถิ่นมากขึ้น23 ดังนั้นการนำวงดนตรีที่ประกอบด้วยorbitals 5d W ใน Bi2WO6 ชั้นมีมากขึ้นในเชิงลบกว่าWO3 กลุ่ม เหตุผลที่ Bi2WO6 มีช่องว่างแถบที่คล้ายกันกว่า WO3 โดยไม่คำนึงถึงที่สูงกว่าการนำวงดนตรีคือการปรากฏตัวของBi เมื่อ บนพื้นฐานของความหนาแน่นของการคำนวณทฤษฎีการทำงานของวงดนตรีจุของ Bi2WO6 ประกอบด้วย 6s ทั้งไบโอ 2p orbitals ซึ่งส่งผลให้ใหม่จุแถบไฮบริดที่มีพลังงานสูงกว่าโอ2p โคจรใน WO3. 21,24,25 ลักษณะการทำงานของแสง Bi2WO6 ฟิล์มตรวจสอบโดยสเปกตรัมการดูดกลืนแสง UV-Vis และความยาวคลื่นขึ้นอยู่กับการวัดphotocurrent จะแสดงในรูปที่5B ขอบการดูดซึมอยู่ในตำแหน่งที่ 440
































การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
ภายใต้ความมืดและความสว่างแสงใน 0.1 M กรดซัลฟิวริกเป็นภาพประกอบ
ในรูป 5A . wo3 ฟิล์มถูกเตรียมโดยวิธีโนไดเซชั่นเหมือนกัน
และถูกเผาที่ 400 องศา C 4
H เพื่อบรรลุโครงสร้างโมโนคลินิก ( ตัวอย่าง C ในรูปที่ 1 ) ไม่มีการเปลี่ยนแปลงในลักษณะ

ถูกพบหลังจากการเผา . การโจมตีที่อาจเกิดขึ้นคือศักยภาพต่ำสุดหรือ
แรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นสำหรับการอย่างต่อเนื่อง บูบูจะ
สังเกตและภาพประกอบ โดยการสกัดกั้นของเส้นโค้ง
ภายใต้ความมืด และสภาพแสง เท่าที่สังเกตในรูป 5A ,
เริ่มทดลองที่อาจเกิดขึ้นสำหรับ bi2wo6
V − 1 , −และ V สำหรับ wo3 ในระหว่างกวาดไปทางทิศทางที่อาจเกิดขึ้นบวก

การปรากฏตัวของ bi2wo6 เปลี่ยนการโจมตี
ศักยภาพของขั้วไฟฟ้าโดย 037 5 ทิศทางลบ
ซึ่งการปฏิบัติสําคัญสําหรับ PEC น้ำแตก
ปฏิกิริยา เพราะทั้งสองและมี bi2wo6 wo3 ทั่วไป
เซมิคอนดักเตอร์ , การโจมตีที่อาจเกิดขึ้น แสดงศักยภาพวงดนตรี
แบนและศักยภาพของการนำวงดนตรี โดย
กล่าวถึงก่อนหน้านี้ bi2wo6 ประกอบด้วยชั้นโครงสร้าง
กับเพอรอฟสไกด์เหมือนแผ่น wo6 และ [ bi2o2 ]
2 ชั้น ใน
ทั่วไปเป็นโลหะออกไซด์ที่มีโครงสร้างชั้นมักจะนำไปสู่
กว้างแถบพลังงานเมื่อเทียบกับคู่ของขนาดใหญ่ .
ปัจจัยที่กว้างวงดนตรีรวมหนา
และปฏิสัมพันธ์ของเพอรอฟสไกต์ชั้นที่ก่อให้เกิดสภาวะพลังงานตื่นเต้น
เป็น localized.23 มากขึ้น ดังนั้น การนำ
วงดนตรีประกอบด้วย W 5D วงโคจรในชั้น bi2wo6 มากขึ้น
ติดลบกว่าของ wo3 เป็นกลุ่ม เหตุผล bi2wo6
มีช่องว่างแถบ wo3 คล้ายกันมากกว่า ไม่สูงกว่า
นำวงดนตรี , การแสดงตนของบี บนพื้นฐานของทฤษฎีการทำงานความหนาแน่น
การคำนวณ ระดับที่ 2 วง bi2wo6
ประกอบด้วยทั้งบี 6S และ O 2p วงโคจร ซึ่งส่งผลให้ใหม่
3 2 วงดนตรีที่มีพลังงานสูงกว่าของ O

21,24 2p โคจรใน wo3 . ,25 ลักษณะแสงของ bi2wo6
ภาพยนตร์สืบสวนโดย UV Vis ดูดกลืนแสงความยาวคลื่นและ− 2 วัดคือ บูบู

ภาพประกอบในรูป 5B การดูดซึมขอบตั้งอยู่ที่ 440
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: