On the contrary, solutions presente

On the contrary, solutions presented in literature do not seem to fulfill all these criteria. NC-ZnO can be used to gradually smooth the surface of a LPCVD ZnO layer improving the material quality of mc-Si:H bottom cells resulting in improved Voc and FF in mc-Si:H cells. However, smoothening the ZnO surface leads to a poorer light trapping and lower Jsc.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดอก โซลูชั่นที่นำเสนอในวรรณคดีไม่ดูเหมือน fulfill เงื่อนไขเหล่านี้ทั้งหมด สามารถใช้ NC ZnO ให้ค่อย ๆ เรียบพื้นผิวของชั้น LPCVD ZnO ปรับปรุงคุณภาพวัสดุของ mc-Si:H ด้านล่างเซลล์เกิดขึ้น Voc และ FF ใน mc-Si:H เซลล์ได้ อย่างไรก็ตาม smoothening ผิว ZnO นำกับดักย่อมเบาและล่าง Jsc

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในทางตรงกันข้ามการแก้ปัญหาที่นำเสนอในวรรณคดีดูเหมือนจะไม่สาย ful LL เกณฑ์ทั้งหมดเหล่านี้ NC-ZnO สามารถนำมาใช้จะค่อยๆเร​​ียบพื้นผิวของซิงค์ออกไซด์ LPCVD ชั้นการปรับปรุงคุณภาพของวัสดุ MC-Si: H เซลล์ด้านล่างส่งผลให้ดีขึ้น Voc และ FF ใน MC-Si: H เซลล์ แต่เรียบเนียนผิว ZnO นำไปสู่​​การวางกับดักแสงยากจนและลด Jsc

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในทางตรงกันข้าม โซลูชั่น ที่นำเสนอในวรรณคดีไม่ได้ดูเหมือนจะครบจึงจะเกณฑ์เหล่านี้ทั้งหมด NC ZnO สามารถใช้ค่อยๆเรียบพื้นผิวของ lpcvd ZnO ชั้นการปรับปรุงคุณภาพวัสดุของเอ็มซี : H ด้านล่างเซลล์เป็นผลในการปรับปรุง VOC และ FF ใน MC ศรี ) เซลล์ อย่างไรก็ตาม เรียบเนียนผิวซิงก์ออกไซด์นำไปสู่ยากจนแสงดัก JSC ต่ำกว่า