Er doped aluminum nitride (AlN:Er)

Er doped aluminum nitride (AlN:Er) thin films were deposited
on 2 cm  2 cm Si (111) substrates and optical fibers using RF
sputtering in pure nitrogen. Typical parameters are 120W RF
power with a 50 mm diameter pure aluminum target,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เอ้อ อลูมิเนียม doped nitride (AlN:Er) ฟิล์มบางได้ฝากบนพื้นผิว 2 ซม. 2 ซม.ศรี (111) และเส้นใยแสงที่ใช้ RFพ่นในไนโตรเจนบริสุทธิ์ โดยทั่วไปเป็น 120W RFพลังงานกับเส้นผ่าศูนย์กลาง 50 มม.อลูมิเนียมบริสุทธิ์เป้าหมาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Er ไนไตรด์อลูมิเนียมเจือ (ALN: er)
ฟิล์มบางมีเงินเมื่อวันที่2 ซม.? 2 ซมศรี (111)
พื้นผิวและเส้นใยแสงโดยใช้คลื่นความถี่วิทยุสปัตเตอร์ในไนโตรเจนบริสุทธิ์ พารามิเตอร์ทั่วไปเป็น RF 120W
พลังงานที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 50 มมเป้าหมายอลูมิเนียมบริสุทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เอ้อด้วยอลูมิเนียมไนไตรด์ ( ALN : ER ) ฟิล์มบางถูกฝากไว้
2 ซม. ซม.  2 จังหวัด ( 111 ) พื้นผิวและเส้นใยแสงใช้ RF
สปัตเตอริงในไนโตรเจนบริสุทธิ์ พารามิเตอร์ทั่วไปเป็นพลังงาน RF
มาร์คกับ 50 มม. เส้นผ่าศูนย์กลางอลูมิเนียมบริสุทธิ์ เป้าหมาย