A doped (boron,phosphorous or both)

A doped (boron,phosphorous or both)silicate glass layer, 5000 A to 10000 A thick, is deposited via loe-temperature CVD tech-niques to provide electrical isolation between the subsequent metal conductor lines and the underlying polycide gates and activce structures. the glass is then prepared for subsequent masking steps.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเจือ (โบรอน ฟอสฟอรัส หรือทั้งสอง) ชั้นแก้วซิลิเกต 5000 A 10000 A หนา เป็นฝากผ่านอุณหภูมิ loe CVD เทค-niques ให้แยกไฟฟ้าระหว่างสายตัวนำโลหะมา และประตู polycide พื้นฐาน และโครงสร้าง activce จากนั้นทำแก้วสำหรับขั้นตอนต่อมากาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เจือ (โบรอนฟอสฟอรัสหรือทั้งสอง) ชั้นแก้วซิลิเกต 5000 10000 หนาจะฝากผ่าน LOE อุณหภูมิ CVD เทคโนโลยี niques เพื่อให้แยกไฟฟ้าระหว่างสายโลหะตัวนำตามมาและประตู polycide พื้นฐานและโครงสร้าง activce แก้วที่เตรียมไว้แล้วสำหรับขั้นตอนการกำบังที่ตามมา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นด้วย ( โบรอน ฟอสฟอรัสหรือทั้งสองอย่าง ) ชั้นแก้วซิลิเกต , 5000 , 000 หนาจะฝากผ่านเลยอุณหภูมิ CVD niques เทคโนโลยีเพื่อให้แยกไฟฟ้าระหว่างตัวนำโลหะเส้นตามมา และ พื้นฐาน polycide ประตูและโครงสร้าง activce . แก้วเตรียมแล้วสำหรับบังภายหลังขั้นตอน