In2O3 is an important functional material and it is being
widely used in photoelectric thin films [1–3], gas sensors [4,5],
as coating material for transparent electric conductors (e.g. as
electrode material in OLED-devices), as infrared reflective
material and chemical gas sensors. Indium (In) included
silicate materials are well-known due to their high chemical
catalytic abilities due to interaction between In and silicon (Si)
[6–10].In2O3 is n-type semiconductor and possesses band gap
(direct band gap: 3.7 eV, indirect band gap: 2.6 eV). Recently,
it was shown that [11] the host material containing In2O3 is
amorphous in nature if In2O3 concentration is 5 mol% and
presence of larger concentrations leads to spontaneous crystal-
lization during the synthesis of the materials. In2O3 is largely
soluble in silicate and borate melts and found to improve the
aqueous corrosion by a factor of 1000 when compared with
that of phosphate glasses and observed to improve the
transparency over a wavelength range 300–800 nm.
The heavy metal oxide (like Bi2O3) containing glasses have
wide range applications in the field of glass technology.
Bismuth oxide cannot be considered as network former
because of the small field strength of Bi
3þ ion, but in
combination with B2O3 and SiO2 it participates in the glass
formation in a relatively large composition range [12]. High
polarizability of the Bi
3þ ion enables the bismuth containing
lead borosilicate glass to have high non-linear optical suscept-
ibility [13] and makes them suitable for non-linear optical/
photonic materials, thermal and mechanical sensors and
reflecting windows. Several recent IR, UV–vis spectroscopic
and thermal studies on bismuth based glasses have revealed the
presence of distorted BiO6 polyhedral as the main structural
units in such glasses [14–16].
Studies on electrical and optical properties of insulating glass
systems like bismuth borosilicate glasses systems doped with
multi-valent transition metal-ions like iron have attracted much
attention over the years due to promising device applications of
these glasses [17–21]. Inclusion of iron oxide into such
amorphous insulating glasses is expected to increase their
electrical conductivity significantly and the conductivity mainly
depends on ionic super exchange interaction (average site–site
distance) depending upon the concentration [22–25].The
addition of In2O3 to these glasses is expected to bring interesting
changes in the electrical properties and make the glasses more
semiconducting in nature. The studies on dielectric dispersion
such as the dielectric constant ε0
(ω), loss tan δ, electrical moduli
(M0
and M″), ac conductivity, sac, over a wide frequency and
temperature range and dielectric break down strength will be
helpful to assess the magnitude of insulating character and to
have some structural information of the glasses. In fact many
recent studies on a variety of inorganic glasses along these lines
are available in literature [26,27]. However most of the studies
are available on In2O3 mixed materials are restricted to thin
films as such the studies including electrical properties on bulk
glass materials containing In2O3 are very rare. The objectives of
the present study are (i) to investigate the influence of In2O3 on
electrical properties of Fe2O3 mixed multi-component lead
bismuth borosilicate glasses over broad ranges of frequency
and temperature and (ii) to analyze the results in the light of
different oxidation states of iron ions and their variable
environment in the presence of octahedrally positioned indium
ions in the glass network for this analysis, these results of other
auxiliary spectroscopic studies like IR, optical absorption and
ESR were also used.
In2O3 เป็นวัสดุทำงานที่สำคัญ และมันกำลังใช้กันแพร่หลายใน photoelectric บาง films [1-3], ก๊าซเซนเซอร์ [4,5],เป็นวัสดุเคลือบผิวสำหรับเป็นตัวนำไฟฟ้าโปร่งแสงเช่นเป็นอิเล็กโทรดวัสดุในอุปกรณ์ OLED), เป็นอินฟราเรด reflectiveวัสดุและสารเคมีก๊าซเซนเซอร์ อินเดียม (In) รวมวัสดุซิลิเคทเป็นที่รู้จักเนื่องจากสารเคมีของพวกเขาสูงความสามารถที่ตัวเร่งปฏิกิริยาเนื่องจากปฏิสัมพันธ์ระหว่างใน และซิลิคอน (Si)[6-10] In2O3 เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และมีช่องว่างของวง(ช่องว่างตรงวง: 3.7 eV ช่องว่างของวงทางอ้อม: 2.6 eV) ล่าสุดจะถูกแสดงที่ [11] วัสดุโฮสต์ที่ประกอบด้วย In2O3ไปในธรรมชาติถ้า In2O3 ความเข้มข้น 5 โมล% และของความเข้มข้นขนาดใหญ่นำไปสู่การขาดคริสตัล-lization ระหว่างการสังเคราะห์วัสดุ In2O3 เป็นส่วนใหญ่ละลายในซิลิเคทและ borate ละลาย และพบการปรับปรุงการกัดกร่อนอควี โดยตัว 1000 เมื่อเปรียบเทียบกับของฟอสเฟตแว่นตา และตรวจสอบเพื่อปรับปรุงการความโปร่งใสมากกว่าความยาวคลื่นช่วง 300-800 nmแว่นตาที่มีออกไซด์ (เช่น Bi2O3) โลหะหนักได้ใช้งานหลากหลายใน field ที่เทคโนโลยีแก้วบิสมัทออกไซด์ไม่ถือว่าเป็นอดีตเครือข่ายแกร่ง field เล็กของ Bi3þ ไอออน แต่ร่วมกับ B2O3 และ SiO2 นั้นเข้าร่วมแก้วผู้แต่งมีองค์ประกอบค่อนข้างมาก [12] สูงpolarizability ของ Bi3þ ไอออนทำให้ประกอบด้วยบิสมัทนำแก้ว borosilicate มีสูงไม่ใช่เชิงเส้นแสง suscept-ibility [13] และทำให้พวกเขาเหมาะสมไม่ใช่เชิงเส้นแสง /วัสดุ photonic เซนเซอร์ความร้อน และเครื่องจักรกล และreflecting windows หลายล่าสุด IR ด้าน UV – visและมีการเปิดเผยการศึกษาแก้วบิสมัทใช้ความร้อนของ BiO6 เพี้ยน polyhedral เป็นโครงสร้างหลักหน่วยในแก้วดังกล่าว [14-16]การศึกษาคุณสมบัติของแสง และไฟฟ้าของกระจกฉนวนระบบเช่นระบบแก้ว borosilicate doped กับบิสมัทโลหะทรานซิชันหลาย valent-ประจุเช่นเหล็กได้ดึงดูดมากสนใจปีเนื่องจากสัญญาอุปกรณ์งานแก้วที่เหล่านี้ [17-21] รวมของเหล็กออกไซด์เป็นเช่นกระจกฉนวนไปคาดว่าจะเพิ่มความsignificantly ค่าการนำไฟฟ้าและตัวนำส่วนใหญ่ขึ้นอยู่กับการโต้ตอบแลกเปลี่ยนซุปเปอร์ ionic (เฉลี่ยไซต์ห่างจากที่พัก) ขึ้นอยู่กับความเข้มข้น [22-25] ที่นี้ของ In2O3 แก้วเหล่านี้คาดว่าจะนำน่าสนใจการเปลี่ยนแปลงในคุณสมบัติทางไฟฟ้า และทำให้แว่นตาเพิ่มเติมตัวในธรรมชาติ ศึกษาการกระจายตัวเป็นฉนวนเช่น ε0 คง dielectric(Ω) ขาดทุน tan δ moduli ไฟฟ้า(M0และ M″), ac นำ sac ช่วงความถี่กว้าง และแบ่งเป็นฉนวนลงแรงและอุณหภูมิจะประโยชน์เพื่อประเมินขนาด ของอักขระฉนวน และการมีบางข้อมูลโครงสร้างของแว่นตา ในความเป็นจริงมากการศึกษาล่าสุดกับหลากหลายแก้วอนินทรีย์ตามบรรทัดเหล่านี้มีวรรณคดี [26,27] อย่างไรก็ตามส่วนใหญ่ของการศึกษามีวัสดุผสมมีจำกัดบาง In2O3films เป็นเช่นศึกษารวมทั้งคุณสมบัติทางไฟฟ้าบนจำนวนมากวัสดุแก้วที่ประกอบด้วย In2O3 หายากมาก วัตถุประสงค์ของการศึกษาปัจจุบันคือ (i) การสอบสวน influence ของ In2O3 บนคุณสมบัติทางไฟฟ้าของ Fe2O3 ผสมส่วนประกอบหลายเป้าหมายแก้ว borosilicate บิสมัทผ่านช่วงกว้างของความถี่และอุณหภูมิและ (ii) การวิเคราะห์ผลใน light ของอเมริกาเกิดออกซิเดชันที่แตกต่างกันเหล็กและตัวแปรการสภาพแวดล้อมในต่อหน้าของอินเดียมเอน octahedrallyกันในเครือข่ายแก้วนี้วิเคราะห์ ผลเหล่านี้กันการศึกษาด้านเสริมเช่น IR ดูดซึมแสง และนอกจากนี้ยังได้ใช้ ESR
การแปล กรุณารอสักครู่..
