Optimum spacing (d) between the RF

Optimum spacing (d) between the RF powered electrode and the substrate in an RF PECVD reactor is usually between 1 and 5 cm for a-Si deposition. Smaller spacing is more desirable for a uniform deposition, while a larger spacing is easier to maintain a plasma. Some of the silicon atoms in the gases directed into the chamber are deposited onto the substrates or the chamber walls; the remainder is pumped to the exhaust.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระยะห่างที่เหมาะสม (d) ระหว่างขั้ว RF พลังงานและพื้นผิวในเครื่องปฏิกรณ์ RF PECVD จะอยู่ระหว่าง 1 และ 5 ซม.สำหรับสะสมมีศรี ระยะห่างขนาดเล็กไม่เหมาะสำหรับการสะสมเหมือนกัน ในขณะที่ระยะห่างที่มีขนาดใหญ่ง่ายต่อการรักษาพลาสม่า บางอะตอมของซิลิคอนก๊าซเข้าห้องจะถูกวางลงบนพื้นผิวหรือผนังห้อง ส่วนเหลือถูกสูบกับท่อไอเสีย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระยะห่างที่เหมาะสม (ง) ระหว่างขั้ว RF ขับเคลื่อนและสารตั้งต้นในเครื่องปฏิกรณ์ RF PECVD มักจะอยู่ระหว่าง 1 ถึง 5 ซม. สำหรับศรีทับถม ระยะห่างขนาดเล็กเป็นที่น่าพอใจมากขึ้นสำหรับการสะสมเครื่องแบบขณะที่ระยะห่างขนาดใหญ่ง่ายต่อการรักษาพลาสม่า บางส่วนของอะตอมซิลิกอนในก๊าซกำกับเข้าไปในห้องจะฝากลงบนพื้นผิวหรือผนังห้องนั้น ส่วนที่เหลือจะถูกสูบไปไอเสีย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระยะห่างที่เหมาะสม ( D ) ระหว่าง RF ขับเคลื่อนไฟฟ้าและพื้นผิวใน pecvd RF เครื่องปฏิกรณ์ โดยปกติจะอยู่ระหว่าง 1 และ 5 ซม. แบบอะมอร์ฟัสซิลิคอน . ระยะห่างที่มีขนาดเล็กเป็นที่พึงปรารถนาสำหรับสะสมชุด ในขณะที่ช่องว่างขนาดใหญ่ง่ายต่อการรักษา พลาสมา บางส่วนของอะตอมซิลิกอนในก๊าซที่เข้าไปในห้องจะฝากบนพื้นผิวหรือผนังห้อง ; ส่วนที่เหลือจะถูกสูบเข้าท่อไอเสีย