Impedance spectroscopy measurement

Impedance spectroscopy measurement was performed on Nbdoped
CCTOs. It was found that the conductive response at high
frequency (1MHz to 1 GHz) might have originated from domain
elements inside the grains. The domain boundary resistance
obtained from the high frequency fitting curve are approximately
the same as the grain resistance itself. The grain resistance of
CCTO is much lower compared to its grain boundary resistance.
In this work, the existence of both domain and grain resistance
are believed to strongly influence the dielectric constant of CCTO.
These findings can be explained by the proposed model, where the
large grains of CCTO consist of smaller cubic-shaped grains called
domains. The domains are separated from each other by flat domain
boundaries to form domain arrays inside the grain. As a grouped
domain, the grains are also separated by flat grain boundary. This
proposed model was supported by microstructure images which
show a large grain and thick grain boundary with smaller grains
(domains) distributed inside the grain.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สเปกโทรสโกแดนซ์ทำบน NbdopedCCTOs พบว่าการตอบสนองนำไฟฟ้าสูงความถี่ (1MHz ถึง 1 GHz) อาจได้มาจากโดเมนองค์ประกอบภายในเมล็ด ความต้านทานต่อขอบเขตของโดเมนได้จากความถี่สูง โค้งที่เหมาะสมคือประมาณเช่นเดียวกับความต้านทานข้าวเอง ความต้านทานข้าวของCCTO จะต่ำเมื่อเทียบกับความต้านทานของขอบเกรนในงานนี้ การดำรงอยู่ของโดเมนและข้าวต้านทานเชื่อว่าจะมีอิทธิพลต่อค่าคงเป็นฉนวนของ CCTOค้นพบเหล่านี้สามารถอธิบายได้ โดยแบบจำลองนำเสนอ ซึ่งการเม็ดใหญ่ CCTO ประกอบด้วยมีขนาดเล็กรูปทรงลูกบาศก์ธัญพืชเรียกว่าโดเมน โดเมนจะแยกออกจากกัน โดยแบนโดเมนขอบเขตการฟอร์มอาร์เรย์โดเมนภายในธัญพืช เป็นการจัดกลุ่มโดเมน เมล็ดยังถูกแบ่ง ด้วยขอบเขตเกรนแบน นี้แบบจำลองที่เสนอรับการสนับสนุนจากภาพโครงสร้างจุลภาคซึ่งเมล็ดขนาดใหญ่และขอบหนาเมล็ด มีเมล็ดขนาดเล็ก(โดเมน) กระจายภายในข้าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวัดความต้านทานสเปกโทรสโกได้รับการดำเนินการเกี่ยวกับ Nbdoped
CCTOs นอกจากนี้ยังพบว่าการตอบสนองเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าที่สูง
ความถี่ (1MHz ถึง 1 GHz) อาจมีต้นตอมาจากโดเมน
องค์ประกอบภายในเมล็ด ความต้านทานเขตแดนโดเมน
ที่ได้รับจากความถี่สูงที่เหมาะสมโค้งประมาณ
เดียวกับเมล็ดข้าวที่มีความต้านทานของตัวเอง ความต้านทานเม็ด
CCTO ต่ำมากเมื่อเทียบกับความต้านทานเขตแดนเม็ด.
ในงานนี้การดำรงอยู่ของทั้งโดเมนและความต้านทานข้าว
เชื่อว่าจะยิ่งมีอิทธิพลต่อค่าคงที่อิเล็กทริกของ CCTO.
การค้นพบนี้สามารถอธิบายได้โดยการนำเสนอรูปแบบที่
ธัญพืชมาก CCTO ประกอบด้วยธัญพืชลูกบาศก์ที่มีรูปทรงขนาดเล็กที่เรียกว่า
โดเมน โดเมนจะถูกแยกออกจากกันโดยโดเมนแบน
ขอบเขตในรูปแบบอาร์เรย์โดเมนภายในเมล็ดข้าว ในฐานะที่เป็นจัดกลุ่ม
โดเมน, ธัญพืชนอกจากนี้ยังแยกออกจากขอบเกรนแบน นี้
การนำเสนอรูปแบบได้รับการสนับสนุนโดยภาพจุลภาคซึ่ง
แสดงให้เห็นเป็นเม็ดขนาดใหญ่และหนาขอบเกรนธัญพืชที่มีขนาดเล็ก
(โดเมน) กระจายอยู่ภายในเมล็ดข้าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีการ nbdoped การวัดอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปีcctos . พบว่า การตอบสนอง ที่ สูงความถี่ ( 1mhz 1 GHz ) อาจมีที่มาจากโดเมนองค์ประกอบภายในเมล็ด โดเมนเขตแดนความต้านทานที่ได้จากการปรับเส้นโค้งความถี่สูง คือ ประมาณเช่นเดียวกับความต้านทานเม็ดเอง พันธุ์พืชต้านทานของccto ต่ำมากเมื่อเทียบกับของขอบเกรนต้านทานในงานนี้มีทั้งโดเมนและเม็ดความต้านทานเชื่อว่าอิทธิพลอย่างยิ่งต่อค่าไดอิเล็กทริกของ ccto .การค้นพบนี้สามารถอธิบายได้ด้วยแบบจำลองที่ขนาดใหญ่เม็ดเล็กเม็ด ccto ประกอบด้วยลูกบาศก์รูปเรียกว่าโดเมน โดเมนจะถูกแยกออกจากแต่ละอื่น ๆโดยการแบนขอบเขตรูปแบบโดเมนอาร์เรย์ภายในเมล็ด เป็นการจัดกลุ่มโดเมน , ธัญพืชยังแยกตามขอบเกรนแบน นี้การนำเสนอรูปแบบโครงสร้างภาพที่ได้รับการสนับสนุนจากแสดงขนาดใหญ่ของเมล็ดข้าวและธัญพืชเมล็ดเล็ก ขอบหนา( โดเมน ) กระจายอยู่ภายในเมล็ด