3. Resultsanddiscussion3.1. Effecto

3. Resultsanddiscussion
3.1. Effectoftemperatureonthethermodynamicphase
diagramandreactionproduct
Fig. 1 shows thethermodynamicphasediagramwithdiffe-
rent temperaturesfrom973.15Kto1473.15K.Thedetailed
discussionsareasfollows:
For CþSi3N4, thedoublephase field ofCþSi3N4 appears
from 973.15Kto1173.15Kandthisareadecreaseswiththe
rising temperaturebecauseoftheincreasingofSiCphaseand
the decreasingofSi3N4 phase. Above1273.15K,thereisno
CþSi3N4 double phase filed.
ForSiCþCþSi3N4, thethreephase field ofSiCþCþ
Si3N4 also appearsfrom973.15Kto1173.15Kandits
proportion increases firstly andthenremainsalmostthesame
because oftheincreasingofSiCandthedecreasingofSi3N4 at
higher temperature.Above1273.15K,thethreephase field of
SiCþCþSi3N4 disappeared.
ForSiCþSi3N4, thedoublephase field ofSiCþSi3N4 only
appears at1273.15K.Highertemperaturehindersthegenera-
tion ofSi3N4 and thephaseofCdisappearsatspecific
condition.
ForCþSiC, thedoublephase field ofCþSiC appearsfrom
1173.15 Kto1473.15Kandthisareaincreasesdramatically
and thendecreasesslightlywiththerisingtemperature.The
maximum valueobtainsat1273.15K.
ForSiC,thesinglephase field ofSiCappearsfrom
1273.15 Kto1473.15Kandtheareaincreaseswiththerising
temperature.Thissystemisappropriateforthedeposition
of SiC,andtheproductiscarbon-richSiCorSiCabove
1373.15 K.
The positionandproportionofthephase field differwith
that of3[NH3]/[SiCl3CH3] slightlywhenthetemperature
changes,becauselowertemperaturemakesforthegeneration
of Si3N4. AlsoitwasdemonstratedthatSi3N4 does notemerge
and thedepositionproductisSiCorcarbon-richSiCabove
1373.15 K.
The effectof[H2]/[SiCl3CH3] istremendous,wherethe
proportion ofSiCphaseincreasesandCphasedecreaseswith
the increaseof[H2]/[SiCl3CH3].
Fig.2 showsthethree-dimensionalyieldmapofC–SiC–
Si3N4 from973.15Kto1473.15K. Fig.2a–c showsthatmoles
of condensedphasesofCandSi3N4 presentarisingtrendwhile
thephaseofSiCwasoppositetrendunder1173.15K.Whenthe
molarratioof3[NH3]/[SiCl3CH3] isbigenough,thecondensed
phasesareCandSi3N4 under1273.15Kandthesaturation
concentrationof3[NH3]/[SiCl3CH3] increaseswiththeincreas-
ingtemperature.Asshownin Fig.2d–f showsthemain
condensedphasesareSiCandthereisalsoasmallamountof
C phaseabove1273.15K.Thisconsequenceisnot fit forthe
phasediagramiftakingintoconsiderationofSi3N4 phasein
1273.15K.ThisisbecauseoftheappearanceofSi3N4 when3
[NH3]/[SiCl3CH3] reaches30anditsyieldtoolowtobe
ignored.Highmolarratioof[H2]/[SiCl3CH3] isinfavorof
thegenerationofSiCandgoesagainsttheproductionofCand
Si3N4. Molarratioof[H2]/[SiCl3CH3] hasnoeffectontheyield
mapofSiCandCabove1273.15K,whiletemperatureplaysa
keyroleinboththeformationandproductyieldofC–SiC–
Si3N4.
In conclusion,Si–C–N withdifferentmolarratioofSiC,
Si3N4 and Ccouldbeobtainedbychangingtheparameterof
precursor ratiounder1173.15K.
3.2. Effectoftotalpressureonthethermodynamicphase
diagram andreactionproductat1173.15K
The thermodynamicphasediagramandthree-dimensional
yield mapofC–SiC–Si3N4 at 1173.15Kwithtotalpressure
of 0.05atmand0.1atmareshownin Figs. 3 and 4. Thereare

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. Resultsanddiscussion3.1. Effectoftemperatureonthethermodynamicphasediagramandreactionproductแสดง fig. 1 thethermodynamicphasediagramwithdiffe-temperaturesfrom973.15Kto1473.15K.Thedetailed ให้เช่าdiscussionsareasfollows:สำหรับ CþSi3N4, ofCþSi3N4 thedoublephase ฟิลด์ปรากฏขึ้นจาก 973.15Kto1173.15Kandthisareadecreaseswiththeเพิ่มขึ้น temperaturebecauseoftheincreasingofSiCphaseandระยะ decreasingofSi3N4 Above1273.15K, thereisnoCþSi3N4 คู่ขั้นตอนการเก็บข้อมูลForSiCþCþSi3N4, thethreephase ฟิลด์ ofSiCþCþSi3N4 ยัง appearsfrom973.15Kto1173.15Kanditsสัดส่วนเพิ่มขึ้นประการแรก andthenremainsalmostthesameเนื่องจาก oftheincreasingofSiCandthedecreasingofSi3N4 ที่อุณหภูมิสูงขึ้นAbove1273.15K เขต thethreephaseSiCþCþSi3N4 หายไปForSiCþSi3N4, thedoublephase ofSiCþSi3N4 ฟิลด์เท่านั้นปรากฏ at1273.15K.Highertemperaturehindersthegenera-ofSi3N4 สเตรชันและ thephaseofCdisappearsatspecificเงื่อนไขการForCþSiC, thedoublephase ฟิลด์ ofCþSiC appearsfrom1173.15 Kto1473.15Kandthisareaincreasesdramaticallyและ thendecreasesslightlywiththerisingtemperatureที่valueobtainsat1273.15K สูงสุดForSiC, thesinglephase ฟิลด์ ofSiCappearsfrom1273.15 Kto1473.15KandtheareaincreaseswiththerisingอุณหภูมิThissystemisappropriateforthedepositionของ SiC, andtheproductiscarbon-richSiCorSiCabove1373.15 คุณDifferwith ฟิลด์ positionandproportionofthephaseof3 นั้น [NH3] / slightlywhenthetemperature [SiCl3CH3]เปลี่ยนแปลง becauselowertemperaturemakesforthegenerationของ Si3N4 AlsoitwasdemonstratedthatSi3N4 ไม่ notemergeและ thedepositionproductisSiCorcarbon-richSiCabove1373.15 คุณEffectof [H2] / [SiCl3CH3] istremendous, wheretheสัดส่วน ofSiCphaseincreasesandCphasedecreaseswithincreaseof [H2] / [SiCl3CH3]Fig.2 showsthethree-dimensionalyieldmapofC – SiC –Si3N4 from973.15Kto1473.15K Fig.2a–c showsthatmolesของ condensedphasesofCandSi3N4 presentarisingtrendwhilethephaseofSiCwasoppositetrendunder1173.15K.Whenthemolarratioof3 [NH3] / [SiCl3CH3] isbigenough, thecondensedphasesareCandSi3N4 under1273.15Kandthesaturationconcentrationof3 [NH3] / increaseswiththeincreas [SiCl3CH3] -ingtemperatureShowsthemain Asshownin Fig.2d–fcondensedphasesareSiCandthereisalsoasmallamountofC phaseabove1273.15K.Thisconsequenceisnot พอสำหรับการphasediagramiftakingintoconsiderationofSi3N4 phasein1273.15KThisisbecauseoftheappearanceofSi3N4 when3[NH3] / reaches30anditsyieldtoolowtobe [SiCl3CH3]ละเว้นHighmolarratioof [H2] / isinfavorof [SiCl3CH3]thegenerationofSiCandgoesagainsttheproductionofCandSi3N4 Molarratioof [H2] / hasnoeffectontheyield [SiCl3CH3]mapofSiCandCabove1273.15K, whiletemperatureplaysakeyroleinboththeformationandproductyieldofC – SiC –Si3N4ในสรุป ศรี-C-N withdifferentmolarratioofSiCSi3N4 และ Ccouldbeobtainedbychangingtheparameterofสารตั้งต้น ratiounder1173.15K3.2. Effectoftotalpressureonthethermodynamicphaseandreactionproductat1173.15K ไดอะแกรมThermodynamicphasediagramandthree มิติผลผลิต mapofC – SiC – Si3N4 ที่ 1173.15Kwithtotalpressure0.05atmand0.1atmareshownin Figs. 3 และ 4 Thereare

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. Resultsanddiscussion
3.1 Effectoftemperatureonthethermodynamicphase
diagramandreactionproduct
รูป ที่ 1 แสดง thethermodynamicphasediagramwithdiffe-
เช่า temperaturesfrom973.15Kto1473.15K.Thedetailed
discussionsareasfollows:
สำหรับCþSi3N4ฟิลด์ofCþSi3N4 thedoublephase ปรากฏ
จาก 973.15Kto1173.15Kandthisareadecreaseswiththe
เพิ่มขึ้น temperaturebecauseoftheincreasingofSiCphaseand
เฟส decreasingofSi3N4 Above1273.15K, thereisno
CþSi3N4เฟสสองยื่น.
ForSiCþCþSi3N4ฟิลด์ thethreephase ofSiCþCþ
Si3N4 ยัง appearsfrom973.15Kto1173.15Kandits
สัดส่วนเพิ่มแรก andthenremainsalmostthesame
เพราะ oftheincreasingofSiCandthedecreasingofSi3N4 ที่
สูงขึ้น temperature.Above1273.15K ฟิลด์ของ thethreephase
SiCþCþSi3N4หายไป.
ForSiCþSi3N4ฟิลด์ thedoublephase ofSiCþSi3N4เท่านั้น
ปรากฏ at1273 .15K.Highertemperaturehindersthegenera-
การ ofSi3N4 และ thephaseofCdisappearsatspecific
สภาพ.
ForCþSiCฟิลด์ thedoublephase ofCþSiC appearsfrom
1,173.15 Kto1473.15Kandthisareaincreasesdramatically
และ thendecreasesslightlywiththerisingtemperature.The
สูงสุด valueobtainsat1273.15K.
ForSiC ฟิลด์ thesinglephase ofSiCappearsfrom
1,273.15 Kto1473.15Kandtheareaincreaseswiththerising
temperature.Thissystemisappropriateforthedeposition
ของ SiC, andtheproductiscarbon-richSiCorSiCabove
1373.15 K .
สนาม positionandproportionofthephase differwith
ที่ of3 [NH3] / [SiCl3CH3] slightlywhenthetemperature
เปลี่ยนแปลง becauselowertemperaturemakesforthegeneration
ของ Si3N4 AlsoitwasdemonstratedthatSi3N4 ไม่ notemerge
และ thedepositionproductisSiCorcarbon-richSiCabove
1,373.15 เค
effectof [H2] / [SiCl3CH3] istremendous, wherethe
สัดส่วน ofSiCphaseincreasesandCphasedecreaseswith
increaseof [H2] / [SiCl3CH3].
รูปที่ 2 showsthethree-dimensionalyieldmapofC-SiC-
Si3N4 from973.15Kto1473.15K Fig.2a-C showsthatmoles
ของ condensedphasesofCandSi3N4 isbigenough, thecondensed phasesareCandSi3N4 under1273.15Kandthesaturation concentrationof3 [NH3] / [SiCl3CH3] increaseswiththeincreas- ingtemperature.Asshownin Fig.2d-F showsthemain condensedphasesareSiCandthereisalsoasmallamountof C phaseabove1273.15K.Thisconsequenceisnot พอดีวงphasediagramiftakingintoconsiderationofSi3N4 phasein 1273.15K.ThisisbecauseoftheappearanceofSi3N4 when3 [NH3] / [SiCl3CH3] reaches30anditsyieldtoolowtobe ignored.Highmolarratioof [H2] / [SiCl3CH3] isinfavorof thegenerationofSiCandgoesagainsttheproductionofCand Si3N4 Molarratioof [H2] / [SiCl3CH3] สรุป Si-C-N withdifferentmolarratioofSiC, Si3N4 และ Ccouldbeobtainedbychangingtheparameterof ratiounder1173.15K ปูชนียบุคคล. 3.2 Effectoftotalpressureonthethermodynamicphase แผนภาพ andreactionproductat1173.15K thermodynamicphasediagramandthree มิติผลผลิต mapofC-SIC-Si3N4 ที่ 1173.15Kwithtotalpressure ของ 0.05atmand0.1atmareshownin มะเดื่อ 3 และ 4 ไม่ปรากฎว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . resultsanddiscussion
3.1 . รูปที่ 1 แสดง diagramandreactionproduct effectoftemperatureonthethermodynamicphase

-
thethermodynamicphasediagramwithdiffe เช่า temperaturesfrom973.15kto1473.15k . thedetailed
discussionsareasfollows :
c þ Si3N4 , thedoublephase สนามแจกþ Si3N4 ปรากฏ


temperaturebecauseoftheincreasingofsicphaseand 973.15kto1173.15kandthisareadecreaseswiththe เพิ่มขึ้นจากthe decreasingofSi3N4 phase. Above1273.15K,thereisno
CþSi3N4 double phase filed.
ForSiCþCþSi3N4, thethreephase field ofSiCþCþ
Si3N4 also appearsfrom973.15Kto1173.15Kandits
proportion increases firstly andthenremainsalmostthesame
because oftheincreasingofSiCandthedecreasingofSi3N4 at
higher temperature.Above1273.15K,thethreephase field of
SiCþCþSi3N4 disappeared.
ForSiCþSi3N4,thedoublephase สนาม ofsic þ Si3N4 เท่านั้น
-
highertemperaturehindersthegenera ปรากฏ at1273.15k . ofsi3n4 tion และเงื่อนไข thephaseofcdisappearsatspecific
.
forc þ Sic , thedoublephase สนามแจกþ SIC appearsfrom

1173.15 kto1473.15kandthisareaincreasesdramatically และ thendecreasesslightlywiththerisingtemperature .

valueobtainsat1273.15k สูงสุด forsic thesinglephase , สนาม ofsicappearsfrom
แฮะ .15 kto1473.15kandtheareaincreaseswiththerising

ของอุณหภูมิ thissystemisappropriateforthedeposition Sic , andtheproductiscarbon richsicorsicabove
1373.15 K .
positionandproportionofthephase สนาม differwith
ที่ 3 [ nh3 ] / [ เปลี่ยนแปลง ] slightlywhenthetemperature sicl3ch3

ของ becauselowertemperaturemakesforthegeneration Si3N4 . alsoitwasdemonstratedthatsi3n4 ไม่ notemerge
และ thedepositionproductissicorcarbon richsicabove 1373.15 K .

ถึง [ H2 ] / [ sicl3ch3 ] istremendous ว่าสัดส่วน ofsicphaseincreasesandcphasedecreaseswith

, เพิ่ม [ H2 ] / [ sicl3ch3 ] .
fig.2 showsthethree dimensionalyieldmapofc – SIC –
ดิฟ from973.15kto1473.15k . fig.2a –ซี showsthatmoles
ของ condensedphasesofcandsi3n4 presentarisingtrendwhile
thephaseofsicwasoppositetrendunder1173.15k .เมื่อ molarratioof3 nh3
[ ] / [ sicl3ch3 ] isbigenough thecondensed

, phasesarecandsi3n4 under1273.15kandthesaturation concentrationof3 [ nh3 ] / [ sicl3ch3 ] increaseswiththeincreas -
ingtemperature.asshownin fig.2d – F showsthemain

b condensedphasesaresicandthereisalsoasmallamountof phaseabove1273.15k.thisconsequenceisnot พอดีสำหรับ phasediagramiftakingintoconsiderationofsi3n4 phasein

1273.15k .thisisbecauseoftheappearanceofsi3n4 when3
[ nh3 ] / [ sicl3ch3 ] reaches30anditsyieldtoolowtobe
ละเว้น highmolarratioof [ H2 ] / [

] isinfavorof sicl3ch3 thegenerationofsicandgoesagainsttheproductionofcand Si3N4 . molarratioof [ H2 ] / [ sicl3ch3 ] hasnoeffectontheyield

keyroleinboththeformationandproductyieldofc mapofsicandcabove1273.15k whiletemperatureplaysa ( SIC ) , Si3N4
.
สรุปSi–C–N withdifferentmolarratioofSiC,
Si3N4 and Ccouldbeobtainedbychangingtheparameterof
precursor ratiounder1173.15K.
3.2. Effectoftotalpressureonthethermodynamicphase
diagram andreactionproductat1173.15K
The thermodynamicphasediagramandthree-dimensional
yield mapofC–SiC–Si3N4 at 1173.15Kwithtotalpressure
of 0.05atmand0.1atmareshownin Figs. 3 and 4. Thereare