the stress of the thin films was re

the stress of the thin films was reduced after annealing to+0.0005 GPa due to relaxation
of the thin films that was caused by reduction of disruption initiated
by self-diffusion of atoms in the crystal lattice

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความเครียดของฟิล์มบางลดลงหลังจากหลอมไป + 0.0005 GPa เนื่องจากพักผ่อนฟิล์มบางที่เกิดจากการลดเริ่มต้นหยุดชะงักโดยการแพร่ตัวของอะตอมในตาข่ายคริสตัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความเครียดของฟิล์มบางก็ลดลงหลังจากการหลอมถึง + 0.0005 GPa เนื่องจากการผ่อนคลาย
ของฟิล์มบางที่มีสาเหตุมาจากการลดลงของการหยุดชะงักริเริ่ม
ด้วยตนเองการแพร่กระจายของอะตอมในผลึกตาข่าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความเครียดของฟิล์มลดลง หลังอ่อน + 0.0005 GPA เนื่องจากการผ่อนคลายของฟิล์มที่เกิดจากการลดการเริ่มต้นโดยการแพร่ตัวของอะตอมในผลึกตาข่าย