We demonstrate a coupled equipment-

We demonstrate a coupled equipment- and feature-scale process simulation and its application to plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) as part of a sequence for the fabrication of a through-silicon via (TSV) interconnect.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราแสดงให้เห็นถึงการจำลองกระบวนการควบคู่อุปกรณ์ และคุณลักษณะมาตราส่วนและการประยุกต์เพื่อสะสมเพิ่มพลาสม่าไอสารเคมี (PECVD) เป็นส่วนหนึ่งของลำดับการผลิตที่ผ่านซิลิคอนผ่าน (TSV) เชื่อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราแสดงให้เห็นถึงคู่อุปกรณ์การและการจำลองกระบวนการคุณลักษณะที่ขนาดและการประยุกต์ใช้กับไอสารเคมีสะสมเพิ่มพลาสม่า (PECVD) เป็นส่วนหนึ่งของลำดับสำหรับการผลิตของผ่านซิลิกอนผ่าน (TSV) เชื่อมต่อระหว่างกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราแสดงคู่ - อุปกรณ์และคุณลักษณะการจำลองแบบกระบวนการและการประยุกต์ใช้ในพลาสม่าเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition ( pecvd ) เป็นส่วนหนึ่งของลำดับสำหรับการขึ้นรูปซิลิคอน ( TSV ) ผ่านทางคอมพิวเตอร์ .