It can be seen than CdS has a much

It can be seen than CdS has a much higher Fermi level than does PB (4.1 eV versus 4.9 eV),
so energetically allowing electron flow from CdS to PB.

The similar analysis has been reported for photoinduced
electron ejection in aggregations of semi-metallic particles
and for spontaneous electron transfer in substrate-enhanced electroless
deposition [47]. Furthermore, we evaluated the electronaccepting
(electro-reduction) kinetics between the CdS/CNT and
the PB/CNT core–shell nanowire by comparing their onset reduction
potential in conjugation with cyclic voltammograms.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จะเห็นได้กว่าซีดีมีระดับที่สูงขึ้นมากแฟร์กว่า PB (? 4.1 eV เมื่อเทียบกับ? 4.9 eV)
เพื่อให้มีพลังที่ช่วยให้การไหลของอิเล็กตรอนจากซีดีไป PB. การวิเคราะห์ที่คล้ายกันได้รับการรายงานสำหรับ photoinduced ออกอิเล็กตรอนในการรวมของกึ่ง อนุภาคโลหะและสำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นเองในการใช้ไฟฟ้าที่เพิ่มพื้นผิวการสะสม[47] นอกจากนี้เราประเมิน electronaccepting (ไฟฟ้าลดลง) จลนศาสตร์ระหว่างซีดี / CNT และPB / ซีเอ็นเส้นลวดนาโนหลักเปลือกโดยการเปรียบเทียบการโจมตีของพวกเขาลดลงที่มีศักยภาพในการเชื่อมต่อกันด้วยvoltammograms วงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จะเห็นได้ว่า ซีดี มีสูงมาก แฟร์ระดับมากกว่า PB (  4.1 EV เมื่อเทียบกับ  4.9 eV )
ดังนั้นสุนัตให้อิเล็กตรอนไหลจากซีดีกับตะกั่ว

การวิเคราะห์ที่คล้ายกันได้รับรายงาน photoinduced
อิเล็กตรอนออกมาเป็นกลุ่มของกึ่งโลหะอนุภาค
และถ่ายโอนอิเล็กตรอนจากสารเพิ่มในอุตสาหกรรมการผลิต
สะสม [ 47 ] นอกจากนี้เราประเมิน electronaccepting
( ลดโรง ) จลนศาสตร์ระหว่างซีดี / CNT และ
PB / CNT หลัก–กะลา nanowire โดยเปรียบเทียบของพวกเขาเริ่มการลดศักยภาพในการ voltammograms
แบบ .