SiO2 is situated at 103.3 eV, which

SiO2 is situated at 103.3 eV, which is ascribed to the OASiAO bond [21]. Apparently, in the case of SiO2@rGO (Fig. 3d), besides the binding energy assigned to the OASiAO bond, a new binding energy of silicon for SiO2@rGO appears at 102.2 eV, indicating the existence of a covalent bond (SiAOAC). Such chemical environ- ment for Si2p is definitely different from that for the pristine SiO2. For the synthesis of GPTMS-rGO, the functional groups, such as hydroxyls, could bond with carbon atoms from rGO via dehydra- tion reaction. A schematic is proposed and is shown in the inset of Fig. 3d. Additionally, the spectrum of the N1s spectra of APES-SiO2 (Fig. 3e) indicates the existence of ANH2 bonds (399.5 eV). Note- worthily, a new binding energy of N1s for SiO2@rGO located at
401.6 eV is observed in Fig. 3f, which is attributable to the NH+
OOC ionic bonds. A corresponding schematic is also present in the inset of Fig. 3f. All of these findings suggested that SiO2@rGO has been successfully synthesized by the combination of chemical reduction and the electrostatic attraction between carboxyl (ACOO ) on the GPTMS-GO and amino (ANH+) on the APES-SiO .

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SiO2 อยู่ที่ 103.3 eV ซึ่งเป็นกำหนดเพื่อ OASiAO [21] เห็นได้ชัด ในกรณีของ SiO2@rGO (รูป 3d), นอกเหนือจากพลังงานรวมที่กำหนดให้กับพันธบัตร OASiAO มีพลังงานยึดเหนี่ยวใหม่ซิลิคอนสำหรับ SiO2@rGO ปรากฏที่ 102.2 eV แสดงการดำรงอยู่ของพันธะโคเวเลนต์ (SiAOAC) เช่นเคมี environ-ment สำหรับ Si2p ไม่แน่นอนแตกต่างจากที่สำหรับ SiO2 บริสุทธิ์ สำหรับการสังเคราะห์ของ GPTMS rGO หมู่ เช่นทใน สามารถผูกพันกับคาร์บอนอะตอมจาก rGO ผ่านปฏิกิริยา dehydra ทางการค้า Schematic เสนอ และจะแสดงในแทรกรูปสามมิติ นอกจากนี้ คลื่นความถี่ของสเปกตรัม N1s ของลิง-SiO2 (มะเดื่อ 3e) ระบุการมีอยู่ของตราสารหนี้ ANH2 (399.5 eV) หมายเหตุ - จง พลังงานรวมตัวใหม่ของ N1s สำหรับ SiO2@rGO ตั้งอยู่ที่401.6 eV เป็นที่สังเกตในรูป 3f ซึ่งเป็นนของ NH + พันธบัตรผมไอออน OOC Schematic ที่สอดคล้องกันอยู่ในแทรกของ 3f รูปปัจจุบัน ทั้งหมดของการค้นพบเหล่านี้แนะนำว่า SiO2@rGO มีการสังเคราะห์เสร็จเรียบร้อย โดยลดสารเคมีและแรงดึงดูดไฟฟ้าสถิตระหว่าง carboxyl (ACOO) ไป GPTMS และอะมิโน (ANH +) ในลิงยืนยันตัว้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiO2 ตั้งอยู่ที่ 103.3 eV ซึ่งเป็นกำหนดพันธบัตร OASiAO [21] เห็นได้ชัดว่าในกรณีของ SiO2 @ RGO (รูป. 3D) ที่นอกเหนือจากปกพลังงานมอบหมายให้พันธบัตร OASiAO เป็นพลังงานที่มีผลผูกพันใหม่ของซิลิกอนสำหรับ SiO2 @ RGO ปรากฏขึ้นที่ 102.2 eV แสดงให้เห็นการดำรงอยู่ของพันธะโควาเลนที่ (SiAOAC) . เช่นสภาพแวดล้อมทางเคมีสำหรับ Si2p แน่นอนแตกต่างจากที่เก่าแก่ SiO2 สำหรับการสังเคราะห์ GPTMS-RGO การทำงานเป็นกลุ่มเช่น hydroxyls อาจผูกพันกับอะตอมของคาร์บอนจาก RGO ผ่านปฏิกิริยาการ dehydra- แผนผังเสนอและแสดงให้เห็นในสิ่งที่ใส่เข้าไปของมะเดื่อ 3D นอกจากนี้สเปกตรัมของสเปกตรัม N1S ลิง-SiO2 (รูป. 3E) บ่งบอกถึงการดำรงอยู่ของพันธบัตร ANH2 นี้ (399.5 EV) Note- คุ้มค่าเป็นพลังงานที่มีผลผูกพันใหม่ N1S สำหรับ SiO2 @ RGO ตั้งอยู่ที่
401.6 eV เป็นที่สังเกตในรูป 3F ซึ่งเป็นส่วนที่เป็นของ NH +
พันธบัตรไอออนิก OOC แผนผังที่สอดคล้องกันในปัจจุบันก็คือสิ่งที่ใส่เข้าไปของมะเดื่อ 3F ทั้งหมดของการค้นพบนี้ชี้ให้เห็นว่า SiO2 @ RGO ได้รับการประสบความสำเร็จในการสังเคราะห์ด้วยการผสมผสานของการลดสารเคมีและสถานที่น่าสนใจไฟฟ้าสถิตระหว่าง carboxyl (ACOO) บน GPTMS-GO และอะมิโน (ANH +) ในลิงซิลิกา