. Results of thermal analysis (TGA/

. Results of thermal analysis (TGA/DSC) showed a more reactive carbon to form the composite SiO2/C as precursor from SiC synthesis, being more thermally stable, due it has at lowest weight loss at higher temperature (950 C); in addition, results of TGA exhibited that synthesized SiC can be considered as stable supports to effectively increase the lifetime of devices that have to withstand harsh oxidative and thermal environments.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

. ผลการวิเคราะห์ความร้อน (TGA DSC) แสดงให้เห็นว่าคาร์บอนปฏิกิริยาขึ้นฟอร์มคอมโพสิต SiO2/C เป็นสารตั้งต้นจาก SiC สังเคราะห์ การขึ้นแพคอก ครบกำหนดมันมีที่ต่ำน้ำหนักที่อุณหภูมิสูง (950 C); นอกจากนี้ ผลลัพธ์ของ TGA จัดแสดงว่า SiC สังเคราะห์ถือได้ว่าเป็นคอกสนับสนุนเพื่อเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อสภาพแวดล้อม oxidative และความร้อนที่รุนแรงได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

. ผลการวิเคราะห์ความร้อน (TGA / DSC) พบคาร์บอนปฏิกิริยามากขึ้นในรูปแบบคอมโพสิต SiO2 / C เป็นสารตั้งต้นจากการสังเคราะห์ SiC เป็นความร้อนที่มีเสถียรภาพมากขึ้นเนื่องจากจะมีการสูญเสียน้ำหนักที่ต่ำสุดที่อุณหภูมิสูงกว่า (950 C); นอกจากนี้ผลของการจัดแสดงผลงานที่ TGA สังเคราะห์ดังนี้ถือได้ว่าเป็นการสนับสนุนที่มีเสถียรภาพได้อย่างมีประสิทธิภาพเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อการเกิดออกซิเดชันที่รุนแรงและสภาพแวดล้อมในการระบายความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

. ผลของการวิเคราะห์ทางความร้อน ( DSC / TGA ) พบมากขึ้นปฏิกิริยาคาร์บอนในรูปแบบคอมโพสิต SiO2 / C เป็นสารตั้งต้นจาก SIC การสังเคราะห์ การได้รับมีเสถียรภาพมากขึ้น เนื่องจากมันมีน้ำหนักการสูญเสียที่น้อยที่สุดที่อุณหภูมิ 950 องศาเซลเซียส นอกจากนี้ผลของ TGA พบว่าสังเคราะห์ SIC ถือได้ว่าเป็นสนับสนุนมั่นคงมีประสิทธิภาพเพิ่มอายุการใช้งานของอุปกรณ์ที่ต้องทนต่อความร้อนและสภาพแวดล้อมอันโหดร้าย