The Cu+ ions 4 s0 orbitals correspo

The Cu+ ions 4 s0 orbitals correspond to the conduction band lower energy levels
and charge transfer can occur from the hybridized orbitals forming the
valence band to the empty Cu states at the conduction band. The optical
direct band gap value of ~2.4 eV, which was determined following
Tauc's equation [41], is higher than the band gap (~2 eV) measured in
Cu2O films grown by electrodeposition technique [42].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Cu + ประจุ 4 s0 orbitals สอดคล้องกับการนำวงดนตรีระดับต่ำกว่าพลังงานและค่าธรรมเนียมโอนสามารถเกิดขึ้นได้จาก orbitals เป็นการขึ้นรูปวงเวเลนซ์ Cu ว่างอเมริกาที่แถบนำ แบบออปติคอลตรงค่าช่องว่างของวง ~2.4 eV ซึ่งได้กำหนดต่อไปนี้สมการของ Tauc [41], เป็นมากกว่าวงช่องว่าง (~ 2 eV) ในฟิล์ม Cu2O ที่ปลูก ด้วยเทคนิคการเคลือบ [42]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอออน + Cu 4 s0 orbitals
สอดคล้องกับการนำวงดนตรีที่ต่ำกว่าระดับพลังงานและการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายที่อาจเกิดขึ้นจากorbitals
ไฮบริดรูปจุแถบไปยังรัฐCu ว่างที่การนำวงดนตรี แสงค่าช่องว่างแถบโดยตรงของ ~ 2.4 eV ซึ่งถูกกำหนดดังต่อไปนี้สมTauc ของ [41], สูงกว่าช่องว่างวง (~ 2 eV) วัดในภาพยนตร์Cu2O เติบโตขึ้นโดยเทคนิคอิเล็กโทร [42]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

CU ไอออน 4 Name วงโคจรสอดคล้องกับนำวงดนตรีระดับล่างและพลังงาน
ค่าธรรมเนียมโอนสามารถเกิดขึ้นได้จาก 3 วงโคจรขึ้น
2 วงไปอเมริกาลบว่างเปล่าที่นำวงดนตรี . แสง
วงตรงช่องว่างค่า ~ 2.4 วี ซึ่งตั้งใจว่าต่อไปนี้
tauc สมการ [ 41 ] สูงกว่าช่องว่างแถบ ~ i (
2 EV ) วัดcu2o ภาพยนตร์เติบโตโดยการเกาะเทคนิค [ 42 ]