We want the concentration of intrin

We want the concentration of intrinsic carriers as a function of temperature,
in terms of the band gap. We do the calculation for simple parabolic band
edges. We first calculate in terms of the chemical potential  the number of
electrons excited to the conduction band at temperature T. In semiconductor
physics  is called the Fermi level. At the temperatures of interest we may
suppose for the conduction band of a semiconductor that     kBT, so that
the Fermi-Dirac distribution function reduces to

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราต้องการความเข้มข้นของสายการบินลักษณะเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิในแง่ของช่องว่างของวง เราทำการคำนวณสำหรับวงจานง่ายขอบ เราคำนวณในแง่ศักยภาพทางเคมีจำนวนอิเล็กตรอนที่ตื่นเต้นที่จะนำวงอุณหภูมิที ในสารกึ่งตัวนำฟิสิกส์เรียกว่าระดับพลังงานแฟร์มี ที่อุณหภูมิของเราอาจสนใจสมมติว่า kBT สำหรับวงการนำของสารกึ่งตัวนำที่ให้ฟังก์ชันการแจกแจงพลังงานแฟร์มีดิแรกลดให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราต้องการความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่แท้จริงเป็นหน้าที่ของอุณหภูมิที่
ในแง่ของช่องว่างวง เราทำเช่นการคำนวณสำหรับวงดนตรีที่เรียบง่ายเป็นรูปโค้ง
ขอบ ครั้งแรกที่เราคำนวณในแง่ของสารเคมีหรือไม่ จำนวนของ
อิเล็กตรอนความตื่นเต้นที่จะการนำวงดนตรีที่ T. อุณหภูมิในสารกึ่งตัวนำ
ฟิสิกส์? จะเรียกว่าแฟร์ระดับ ที่อุณหภูมิที่น่าสนใจที่เราอาจจะ
คิดว่าสำหรับการนำวงดนตรีของเซมิคอนดักเตอร์ที่? ? ? KBT เพื่อให้
ฟังก์ชันการกระจายแฟร์แรคลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราต้องการความเข้มข้นที่แท้จริงซึ่งเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิในแง่ของแถบช่องว่าง เราจะคำนวณวงโค้งง่ายขอบ เราคำนวณในแง่ของสารเคมีที่มีศักยภาพจำนวนอิเล็กตรอนตื่นเต้นที่จะนำวงดนตรีในสารกึ่งตัวนำที่อุณหภูมิ Tฟิสิกส์เรียกว่าระดับเฟอร์มิ . ที่อุณหภูมิ ที่น่าสนใจ เราอาจจะสมมติว่า ให้นำวงดนตรีของสารกึ่งตัวนำที่ kbt ดังนั้นที่ช่วยลดการกระจายฟังก์ชันดิแรกเฟอร์มิ