3.1. Hot-Injection Technique. This

3.1. Hot-Injection Technique. This technique involves the
rapid injection of a room temperature solution of precursors
into an extremely hot reaction medium in the presence of
carefully chosen surfactant molecules. The rapid injection of
the precursor solution induces the sudden supersaturation
of the solution resulting in a short burst of nucleation.
The injected solution reduces the reaction temperature and
dilutes the concentration of reactants. With the reaction
temperature dropping in response to addition of the cold
precursor solution, coupled with the low concentration of
the remaining precursor molecules, further nucleation is
prevented. The eventual growth of the nanocrystals follows
at a lower temperature than that of the nucleation process.
This sequential separation of the nucleation and growth
processes generally leads to a precise control of the size
and shape of the semiconductor nanocrystals. This latter
process forms the strength of this technique. A pioneering
example of this technique was reported by Murray et al.
[33]. They injected cadmium and selenium precursors into a
hot (300◦C) solution of tri-n-octylphosphine oxide (TOPO).
The growth temperature used was 230–260◦C. Here the
surfactant acts in fourfold. Firstly, it is as a coordinating
solvent that controls the growth process while at the same
time stabilizing the nanocrystal core. Secondly, the surfactant
binds to the surface of the nanocrystals providing a barrier
to the addition of more material to the surface of the
nanocrystals slowing down the growth kinetics [24]. Thirdly,
it serves to prevent the aggregation of particles and finally
passivates the surface of the nanocrystals.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.1. ร้อนฉีดเทคนิค เทคนิคนี้เกี่ยวข้องกับการการแก้ปัญหาอุณหภูมิห้องของ precursors ฉีดอย่างรวดเร็วเป็นสื่อความร้อนปฏิกิริยาหน้าระมัด surfactant โมเลกุล ฉีดอย่างรวดเร็วsupersaturation ฉับพลันก่อให้เกิดการแก้ปัญหาสารตั้งต้นของการแก้ปัญหาที่เกิดขึ้นในระเบิดที่สั้นของ nucleationโซลูชันฉีดลดอุณหภูมิปฏิกิริยา และdilutes ความเข้มข้นของ reactants มีปฏิกิริยาปล่อยในการตอบสนองเพิ่มความหนาวอุณหภูมิโซลูชั่นของสารตั้งต้น ควบคู่ไปกับความเข้มข้นต่ำสุดของโมเลกุลสารตั้งต้นที่เหลือ เติม nucleation คือป้องกัน ในการเจริญเติบโตของ nanocrystals ดังต่อไปนี้ที่อุณหภูมิต่ำกว่าการ nucleationแยกนี้ลำดับ nucleation และเจริญเติบโตกระบวนการโดยทั่วไปนำไปสู่การควบคุมความแม่นยำของขนาดและรูปร่างของ nanocrystals สารกึ่งตัวนำ หลังนี้กระบวนการสร้างความแข็งแรงของเทคนิคนี้ การบุกเบิกตัวอย่างของเทคนิคนี้ถูกรายงานโดยเมอร์เรย์ et al[33] จะฉีด precursors แคดเมียมและเกลือในการพร้อมโซลูชั่น (300◦C) ของ tri-n-octylphosphine ออกไซด์ (เดิน)เจริญเติบโตอุณหภูมิที่ใช้คือ 230-260◦C ที่นี่surfactant ทำหน้าที่ใน fourfold ประการแรก มันเป็นการประสานงานตัวทำละลายที่ควบคุมการเจริญเติบโตในขณะที่เดียวกันเวลา stabilizing หลัก nanocrystal ประการที่สอง surfactantbinds ไปยังพื้นผิวของ nanocrystals ให้อุปสรรคการเพิ่มของวัสดุเพิ่มมากขึ้นพื้นผิวของการnanocrystals ชะลอเติบโตจลนพลศาสตร์ [24] ประการบริการเพื่อป้องกันการรวมตัวของอนุภาค และสุดท้ายpassivates ผิว nanocrystals

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.1 เทคนิคร้อนฉีด เทคนิคนี้เกี่ยวข้องกับ
การฉีดอย่างรวดเร็วของการแก้ปัญหาที่อุณหภูมิห้องของสารตั้งต้นที่
เป็นสื่อกลางในการเกิดปฏิกิริยาความร้อนสูงในการปรากฏตัวของ
โมเลกุลเลือกอย่างระมัดระวังลดแรงตึงผิว การฉีดอย่างรวดเร็วของ
การแก้ปัญหาสารตั้งต้นที่ก่อให้เกิดความเข้มข้นเกินจุดอิ่มตัวฉับพลัน
ของการแก้ปัญหาที่เกิดขึ้นในการออกมาสั้น ๆ ของนิวเคลียส.
แก้ปัญหาฉีดลดอุณหภูมิของปฏิกิริยาและ
เจือจางความเข้มข้นของสารตั้งต้น ด้วยปฏิกิริยา
อุณหภูมิที่ลดต่ำลงในการตอบสนองต่อการเพิ่มขึ้นของความหนาวเย็น
แก้ปัญหาสารตั้งต้นคู่ที่มีความเข้มข้นต่ำของ
โมเลกุลของสารตั้งต้นที่เหลือนิวเคลียสเพิ่มเติม
ป้องกัน การเจริญเติบโตในตอนท้ายของนาโนคริสตัลดังนี้
ที่อุณหภูมิต่ำกว่าของกระบวนการนิวเคลียส.
นี้การแยกลำดับของนิวเคลียสและการเติบโตของ
กระบวนการโดยทั่วไปจะนำไปสู่การควบคุมที่แม่นยำของขนาด
และรูปร่างของนาโนคริสตัลเซมิคอนดักเตอร์ นี้หลัง
กระบวนการรูปแบบความแข็งแรงของเทคนิคนี้ การสำรวจ
ตัวอย่างของเทคนิคนี้ได้รับการรายงานโดยเมอร์เร et al.
[33] พวกเขาฉีดแคดเมียมและสารตั้งต้นของซีลีเนียมเป็น
ร้อน (300◦C) วิธีการแก้ปัญหาของ Tri-n-octylphosphine ออกไซด์ (TOPO).
อุณหภูมิการเจริญเติบโตที่ใช้เป็น230-260◦C นี่คือ
การกระทำที่ลดแรงตึงผิวในสี่เท่า ประการแรกมันเป็นเหมือนการประสานงาน
เป็นตัวทำละลายที่ควบคุมกระบวนการการเจริญเติบโตในขณะที่ในเวลาเดียวกัน
เวลาเสถียรภาพแกน nanocrystal ประการที่สองลดแรงตึงผิว
ผูกกับพื้นผิวของนาโนคริสตัลให้อุปสรรค
ที่นอกเหนือจากวัสดุอื่น ๆ อีกมากมายกับพื้นผิวของ
นาโนคริสตัลชะลอตัวลงจลนพลศาสตร์การเจริญเติบโต [24] ประการที่สาม
ก็ทำหน้าที่ในการป้องกันไม่ให้เกิดการรวมตัวของอนุภาคและในที่สุดก็
passivates พื้นผิวของนาโนคริสตัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.1 . เทคนิคฉีดร้อน เทคนิคนี้เกี่ยวข้องกับ
ฉีดอย่างรวดเร็วของอุณหภูมิห้องสารละลายตั้งต้น
เป็นสื่อที่แสนร้อน ปฏิกิริยาในการปรากฏตัวของ
เลือกอย่างระมัดระวัง สูตรโมเลกุล ฉีดอย่างรวดเร็วของสารละลายตั้งต้น )

ตอนนี้ต่ำของการแก้ปัญหาที่เกิดในระเบิดสั้นของ nucleation .
ฉีดโซลูชั่นที่ช่วยลดอุณหภูมิและ
เจือจางความเข้มข้นของก๊าซ ด้วยปฏิกิริยาในการตอบสนองต่ออุณหภูมิลดลง

นอกจากเย็นนำโซลูชั่นควบคู่กับความเข้มข้นต่ำ
เหลือสารโมเลกุล , nucleation ต่อไป
ป้องกัน การเจริญเติบโตของ nanocrystals ดังนี้
ในที่สุดที่อุณหภูมิต่ำกว่าที่ของกระบวนการ nucleation .
กระบวนการแยกนี้ลำดับของขนาดและการเจริญเติบโต
โดยทั่วไปนำไปสู่การควบคุมที่แม่นยำของขนาดและรูปร่างของสารกึ่งตัวนำ
nanocrystals . กระบวนการหลัง
นี้ฟอร์มแรงของเทคนิคนี้ ตัวอย่างการสำรวจ
ของเทคนิคนี้ถูกรายงานโดย Murray et al .
[ 33 ]พวกเขาฉีดสารแคดเมียมและซีลีเนียมใน
ร้อน ( 300 ◦ C ) โซลูชั่นของ tri-n-octylphosphine ออกไซด์ ( สถานที่ ) .
การเจริญเติบโตที่อุณหภูมิที่ใช้ 230 – 260 ◦ C ที่นี่
สารลดแรงตึงผิวทำสี่เท่า " ประการแรกมันเป็นประสานงาน
ตัวทำละลายที่ควบคุมกระบวนการการเจริญเติบโตในขณะที่ในเวลาเดียวกัน
เสถียรภาพหลัก nanocrystal . ประการที่สอง สารลดแรงตึงผิว
ผูกกับพื้นผิวของ nanocrystals ให้อุปสรรค
การเพิ่มของข้อมูลไปยังพื้นผิวของ
nanocrystals ช้าลงจลนศาสตร์การเจริญเติบโต [ 24 ] 3
มันทำหน้าที่เพื่อป้องกันการรวมตัวของอนุภาคและในที่สุด
passivates พื้นผิวของ nanocrystals .