4.3. Resistance lossesSeries resist

4.3. Resistance losses

Series resistance is due to the bulk resistance of semiconductor, bulk resistance of metal electrodes and due to the contact resistance between semiconductor and metal. Series resistance can be controlled by careful design of the top contact and emitter resistance [27]. Series resistance should be low for better efficiency of the solar cell because higher value of series resistance reduces the short circuit current. The shunt resistance is due to the leakage across the p–n junction, impurities and crystal defects. The value of shunt resistance should be low. This low value of shunt resistance causes reduction in open circuit voltage. Both series and shunt resistance losses decrease the efficiency and fill factor of the solar cell.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4.3. ความต้านทานการสูญเสียชุดความต้านทานได้เนื่อง จากความต้านทานจำนวนมากของสารกึ่งตัวนำ ความต้านทานจำนวนมากของขั้วไฟฟ้าโลหะ และเนื่อง จากความต้านทานติดต่อระหว่างสารกึ่งตัวนำและโลหะ ชุดความต้านทานสามารถควบคุมได้ โดยระมัดระวังการออกแบบด้านติดต่อและยิงกัน [27] ความต้านทานของชุดควรจะต่ำกว่าประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ เพราะสูงกว่าค่าของความต้านทานชุดลดกระแสลัดวงจร ความต้านทาน shunt คือเนื่องจากการรั่วไหลเชื่อมต่อ p – n สิ่งสกปรก และความบกพร่องของผลึก ค่าของความต้านทาน shunt ควรต่ำ ค่านี้ต่ำต้าน shunt ทำให้ลดในแรงดันเปิดวงจร สูญเสียความต้านทานทั้งชุดและ shunt ลดตัวคูณประสิทธิภาพและเติมของเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4.3 ต้านทานการสูญเสียความต้านทาน Series เป็นเนื่องจากความต้านทานเป็นกลุ่มของสารกึ่งตัวนำความต้านทานกลุ่มของขั้วไฟฟ้าโลหะและเนื่องจากความต้านทานติดต่อระหว่างเซมิคอนดักเตอร์และโลหะ ต้านทานชุดสามารถควบคุมได้โดยการออกแบบอย่างระมัดระวังของด้านบนติดต่อและอีซีแอต้านทาน [27] ต้านทานชุดควรจะต่ำให้มีประสิทธิภาพที่ดีขึ้นของเซลล์แสงอาทิตย์เพราะค่าที่สูงขึ้นของความต้านทานชุดลดวงจรปัจจุบันสั้น ความต้านทานแบ่งเป็นเนื่องจากการรั่วไหลข้ามทางแยก P-N ที่สิ่งสกปรกและข้อบกพร่องคริสตัล ค่าของความต้านทานแบ่งควรจะต่ำ นี้ค่าต่ำของความต้านทานแบ่งเป็นสาเหตุของการลดลงของแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด ทั้งสองชุดและแบ่งต้านทานการสูญเสียลดประสิทธิภาพและเติมปัจจัยจากเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4.3 . การสูญเสียความต้านทานชุดความต้านทานเนื่องจากความต้านทานของสารกึ่งตัวนำ , ต้านทานกลุ่มโลหะ electrodes และเนื่องจากความต้านทานการติดต่อระหว่างสารกึ่งตัวนำ และเหล็ก ชุดความต้านทานที่สามารถควบคุมได้ โดยการออกแบบ ระวังการติดต่อด้านบนและอีซีต้านทาน [ 27 ] ชุดความต้านทานควรจะต่ำสำหรับประสิทธิภาพที่ดีขึ้นของเซลล์แสงอาทิตย์เพราะมีค่าชุดต้านทานลดวงจรปัจจุบัน shunt ต้านทานเนื่องจากการรั่วไหลผ่าน p และ n Junction , สิ่งสกปรกและข้อบกพร่องของคริสตัล ค่าความต้านทานของหลอดเลือดที่ควรจะต่ำ ค่าต่ำของหลอดเลือดต้านทานทำให้ลดแรงดันเปิดวงจร ทั้งชุดและ shunt การสูญเสียความต้านทานลดประสิทธิภาพและเติมปัจจัยของโซล่าเซลล์