The following are some common types

The following are some common types of RAM:
SRAM: Static random access memory uses multiple transistors, typically four to six, for each memory cell but doesn't have a capacitor in each cell. It is used primarily for cache.
DRAM: Dynamic random access memory has memory cells with a paired transistor and capacitor requiring constant refreshing.
FPM DRAM: Fast page mode dynamic random access memory was the original form of DRAM. It waits through the entire process of locating a bit of data by column and row and then reading the bit before it starts on the next bit. Maximum transfer rate to L2 cache is approximately 176 MBps.
EDO DRAM: Extended data-out dynamic random access memory does not wait for all of the processing of the first bit before continuing to the next one. As soon as the address of the first bit is located, EDO DRAM begins looking for the next bit. It is about five percent faster than FPM. Maximum transfer rate to L2 cache is approximately 264 MBps.
SDRAM: Synchronous dynamic random access memory takes advantage of the burst mode concept to greatly improve performance. It does this by staying on the row containing the requested bit and moving rapidly through the columns, reading each bit as it goes. The idea is that most of the time the data needed by the CPU will be in sequence. SDRAM is about five percent faster than EDO RAM and is the most common form in desktops today. Maximum transfer rate to L2 cache is approximately 528 MBps.
DDR SDRAM: Double data rate synchronous dynamic RAM is just like SDRAM except that is has higher bandwidth, meaning greater speed. Maximum transfer rate to L2 cache is approximately 1,064 MBps (for DDR SDRAM 133 MHZ).
RDRAM: Rambus dynamic random access memory is a radical departure from the previous DRAM architecture. Designed by Rambus, RDRAM uses a Rambus in-line memory module (RIMM), which is similar in size and pin configuration to a standard DIMM. What makes RDRAM so different is its use of a special high-speed data bus called the Rambus channel. RDRAM memory chips work in parallel to achieve a data rate of 800 MHz, or 1,600 MBps. Since they operate at such high speeds, they generate much more heat than other types of chips. To help dissipate the excess heat Rambus chips are fitted with a heat spreader, which looks like a long thin wafer. Just like there are smaller versions of DIMMs, there are also SO-RIMMs, designed for notebook computers.
Credit Card Memory: Credit card memory is a proprietary self-contained DRAM memory module that plugs into a special slot for use in notebook computers.
PCMCIA Memory Card: Another self-contained DRAM module for notebooks, cards of this type are not proprietary and should work with any notebook computer whose system bus matches the memory card's configuration.
CMOS RAM: CMOS RAM is a term for the small amount of memory used by your computer and some other devices to remember things like hard disk settings -- see Why does my computer need a battery? for details. This memory uses a small battery to provide it with the power it needs to maintain the memory contents.
VRAM: VideoRAM, also known as multiport dynamic random access memory (MPDRAM), is a type of RAM used specifically for video adapters or 3-D accelerators. The "multiport" part comes from the fact that VRAM normally has two independent access ports instead of one, allowing the CPU and graphics processor to access the RAM simultaneously. VRAM is located on the graphics card and comes in a variety of formats, many of which are proprietary. The amount of VRAM is a determining factor in the resolution and color depth of the display. VRAM is also used to hold graphics-specific information such as 3-D geometry data and texture maps. True multiport VRAM tends to be expensive, so today, many graphics cards use SGRAM (synchronous graphics RAM) instead. Performance is nearly the same, but SGRAM is cheaper.
For a comprehensive examination of RAM types, check out the Kingston Technology Ultimate Memory Guide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต่อไปนี้คือ บางชนิดทั่วไปของ RAM:
SRAM: Static หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใช้ transistors หลาย ทั่วสี่ถึงหก สำหรับแต่ละเซลล์หน่วยความจำ แต่ไม่ได้เป็นตัวเก็บประจุในแต่ละเซลล์ ใช้เป็นหลักสำหรับการแคช.
DRAM: หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกได้เซลล์หน่วยความจำจัดเป็นคู่ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุที่ต้องการฟื้นฟูคง
FPM DRAM: หน้าเร็วโหมดไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มเป็นแบบฉบับของ DRAM รอผ่านกระบวนการทั้งหมดของตำแหน่งบิตของข้อมูลคอลัมน์และแถว และอ่านบิตก่อนที่จะเริ่มต้นในบิตถัดไป อัตราการถ่ายโอนสูงสุด L2 แคชมี 176 ข้อ MBps
เอโดะ DRAM: ไม่ต้องรอขยายข้อมูลออกแบบเข้าถึงโดยสุ่มหน่วยความจำสำหรับการประมวลผลบิตแรกก่อนที่จะถัดไปทั้งหมด เป็นอยู่ของบิตแรกอยู่ เอโดะ DRAM เริ่มหาบิตถัดไป ก็ประมาณห้าร้อยละเร็วกว่า FPM อัตราการถ่ายโอนสูงสุด L2 แคชมี 264 MBps
SDRAM: แบบซิงโครนัสแบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มใช้ประโยชน์จากแนวคิดของโหมดระเบิดเพื่อช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน มันทำตามอยู่แถวที่ประกอบด้วยบิตที่ร้องขอ และเคลื่อนย้ายอย่างรวดเร็วผ่านคอลัมน์ อ่านแต่ละบิตจะเป็นไป ความคิดเป็นว่า ส่วนใหญ่เวลาที่ต้องการข้อมูลโดย CPU จะอยู่ในลำดับ SDRAM เป็นประมาณร้อยละ 5 ได้เร็วกว่า RAM เอโดะ และเป็นแบบฟอร์มทั่วไปในเดสก์ท็อปปัจจุบัน อัตราการถ่ายโอนสูงสุด L2 แคชมี 528 MBps
DDR SDRAM: คู่อัตราข้อมูลชั่วคราว RAM แบบซิงโครนัสคือเช่นเดียวกับ SDRAM ยกเว้นมีแบนด์วิดธ์สูง หมายถึง ความเร็วสูง อัตราการถ่ายโอนสูงสุดแคช L2 เป็นประมาณ 1,064 MBps (สำหรับ DDR SDRAM 133 MHZ) .
RDRAM: Rambus ไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มเป็นระดับรุนแรงจากสถาปัตยกรรม DRAM ก่อนหน้านี้ ออกแบบ โดย Rambus, RDRAM ใช้โมดูในรายการหน่วยความจำ Rambus (RIMM), ซึ่งคล้ายในโครงแบบ DIMM มาตรฐานขนาด และ pin สิ่งที่ทำให้ RDRAM ที่แตกต่างกันดังนั้นจะใช้รถข้อมูลความเร็วสูงพิเศษที่เรียกว่าช่องทาง Rambus ชิหน่วยความจำ RDRAM ทำงานควบคู่กันเพื่อให้บรรลุอัตราข้อมูล 800 MHz หรือ 1600 เมกะบิตต่อวินาที เนื่องจากพวกเขาทำงานที่ความเร็วสูงเช่น พวกเขาสร้างความร้อนมากขึ้นกว่าชนิดอื่น ๆ ของชิ เพื่อช่วยกระจายความร้อนส่วนเกิน Rambus ชิจะไปอาบ spreader ร้อน ซึ่งมีลักษณะเหมือนแผ่นเวเฟอร์บางยาว เหมือนมีรุ่นเล็กของ DIMMs นอกจากนี้ยังมีอื่น ๆ -RIMMs ออกแบบมาสำหรับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ค
เครดิตการ์ดหน่วยความจำ: หน่วยความจำบัตรเครดิตเป็นการกรรมสิทธิ์เพรียบ DRAM หน่วยความจำที่เสียบเข้าช่องพิเศษสำหรับใช้ในคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก
PCMCIA การ์ดหน่วยความจำ: เพรียบ DRAM โมดูลอื่นสำหรับโน๊ตบุ๊ค การ์ดชนิดนี้จะไม่มีกรรมสิทธิ์ และควรทำงานกับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊คระบบบัสซึ่งตรงกับการกำหนดค่าของการ์ดหน่วยความจำ
CMOS RAM: CMOS RAM เป็นคำสำหรับจำนวนหน่วยความจำที่ใช้ โดยคอมพิวเตอร์และอุปกรณ์อื่น ๆ จะจำสิ่งต่าง ๆ เช่นการตั้งค่าฮาร์ดดิสก์ - ดูทำไมไม่คอมพิวเตอร์ของฉันต้องใช้แบตเตอรี่ขนาดเล็ก รายละเอียด หน่วยความจำนี้ใช้แบตเตอรี่ขนาดเล็กเพื่อให้ มีพลังงานที่จะต้องการรักษาเนื้อหาหน่วยความจำ
VRAM: VideoRAM ตติดเป็นไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (MPDRAM), ชนิดของ RAM ที่ใช้โดยเฉพาะสำหรับอะแดปเตอร์วิดีโอ 3 มิติช่วยได้ ส่วน "ตติด" มาจากความจริงที่ว่า VRAM ปกติมีสองอิสระเข้าพอร์ตแทนหนึ่ง อนุญาตให้ตัวประมวลผลของ CPU และกราฟิกถึง RAM พร้อมกัน VRAM อยู่บนการ์ดแสดงผล และมาในหลากหลายรูปแบบ จำนวนมากที่มีกรรมสิทธิ์ จำนวน VRAM เป็นปัจจัยชี้ขาดในความลึกของสีและความละเอียดของจอแสดงผล นอกจากนี้ยังใช้ VRAM ข้อมูลเฉพาะกราฟิกเช่นรูปทรงเรขาคณิต 3 มิติข้อมูล และเนื้อแผนที่ VRAM ตติดจริงมีแนวโน้มที่จะมีราคาแพง ดังนั้นวันนี้ การ์ดกราฟิกมากใช้ SGRAM (แบบซิงโครนัสกราฟิก RAM) แทน ประสิทธิภาพเกือบเหมือนกัน แต่ SGRAM ถูกกว่าด้วย
ตรวจสอบความครอบคลุมของ RAM ชนิด เช็คคิงส์ตันเทคโนโลยีที่ดีที่สุดจำคู่มือ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไปนี้เป็นบางประเภททั่วไปของ RAM:
SRAM: หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มคงใช้ทรานซิสเตอร์หลายปกติ 4-6 สำหรับเซลล์แต่ละหน่วยความจำ แต่ไม่ได้มีตัวเก็บประจุในแต่ละเซลล์ มันถูกใช้สำหรับแคช
DRAM: หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกที่มีเซลล์หน่วยความจำที่มีทรานซิสเตอร์คู่และเก็บประจุต้องคงสดชื่น
FPM DRAM: โหมดหน้าอย่างรวดเร็วหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกเป็นรูปแบบเดิมของ DRAM มันรอผ่านกระบวนการทั้งหมดของตำแหน่งบิตของข้อมูลตามคอลัมน์และแถวแล้วอ่านบิตก่อนที่จะเริ่มในบิตต่อไป อัตราการถ่ายโอนสูงสุดถึงแคช L2 ประมาณ 176 เมกะบิตต่อวินาที
EDO DRAM: ข้อมูลออกขยายแบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มไม่รอสำหรับทุกการประมวลผลของบิตแรกก่อนดำเนินการต่อไปที่หน้าหนึ่ง ทันทีที่อยู่ของบิตแรกตั้งอยู่ EDO DRAM เริ่มมองหาบิตถัดไป มันเป็นเรื่องเกี่ยวห้าเปอร์เซ็นต์เร็วกว่า FPM อัตราการถ่ายโอนสูงสุดถึงแคช L2 ประมาณ 264 เมกะบิตต่อวินาที
SDRAM: หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก Synchronous ใช้ประโยชน์จากแนวคิดโหมดระเบิดเพื่อช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงาน มันไม่นี้โดยการเข้าพักในแถวที่มีบิตร้องขอและการเคลื่อนไหวอย่างรวดเร็วผ่านคอลัมน์อ่านแต่ละบิตเป็นมันไป แนวคิดก็คือว่าส่วนใหญ่ของเวลาที่ข้อมูลที่จำเป็นโดย CPU จะอยู่ในลำดับ SDRAM ประมาณร้อยละห้าเร็วกว่า EDO RAM และเป็นรูปแบบที่พบมากที่สุดในวันนี้เดสก์ท็ อัตราการถ่ายโอนสูงสุดถึงแคช L2 ประมาณ 528 เมกะบิตต่อวินาที
DDR SDRAM: อัตราข้อมูลคู่แรมแบบไดนามิก synchronous ก็เหมือนกับ SDRAM ยกเว้นที่มีแบนด์วิธสูงหมายถึงความเร็วที่มากขึ้น อัตราการถ่ายโอนสูงสุดถึงแคช L2 ประมาณ 1,064 MB ต่อวินาที (สำหรับ DDR SDRAM 133 MHZ)
RDRAM: หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกแรมบัสเป็นออกรุนแรงจากสถาปัตยกรรม DRAM ก่อนหน้านี้ ออกแบบโดย Rambus, RDRAM ใช้หน่วยความจำแรมบัสโมดูลในบรรทัด (RIMM) ซึ่งเป็นที่คล้ายกันในขนาดและการกำหนดค่าขาที่จะ DIMM มาตรฐาน สิ่งที่ทำให้แตกต่างกันเพื่อ RDRAM คือการใช้รถบัสข้อมูลความเร็วสูงพิเศษที่เรียกว่าช่องแรมบัสของ ชิปหน่วยความจำ RDRAM ทำงานในแบบคู่ขนานเพื่อให้บรรลุอัตราข้อมูลที่ 800 MHz หรือ 1,600 เมกะบิตต่อวินาที เนื่องจากพวกเขาทำงานที่ความเร็วสูงดังกล่าวก็สร้างความร้อนมากขึ้นกว่าประเภทอื่น ๆ ของชิป ที่จะช่วยขจัดความร้อนส่วนเกินชิปแรมบัสติดตั้งกระจายความร้อนซึ่งมีลักษณะเหมือนแผ่นเวเฟอร์บางยาว เช่นเดียวกับที่มีรุ่นเล็กของหน่วยความจำยังมี SO-หน่วยความจำ RIMMs ออกแบบสำหรับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ค
หน่วยความจำบัตรเครดิต: หน่วยความจำบัตรเครดิตเป็นตัวเองที่มีโมดูลหน่วยความจำที่เป็นกรรมสิทธิ์ของ DRAM ที่ปลั๊กเข้าไปในช่องพิเศษสำหรับใช้ในคอมพิวเตอร์โน๊ตบุ๊ค
PCMCIA การ์ดหน่วยความจำ: อีกโมดูล DRAM ในตัวเองสำหรับโน๊ตบุ๊คบัตรประเภทนี้ไม่ได้เป็นเจ้าของและควรจะทำงานกับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊คที่มีระบบบัสตรงกับการ์ดหน่วยความจำของการกำหนดค่า
CMOS RAM: CMOS RAM เป็นระยะสำหรับจำนวนเงินขนาดเล็กของหน่วยความจำที่ใช้ โดยเครื่องคอมพิวเตอร์และบางส่วนอุปกรณ์อื่น ๆ ที่จะจดจำสิ่งต่างๆเช่นการตั้งค่าฮาร์ดดิสก์ของคุณ - เห็นทำไมคอมพิวเตอร์ของฉันต้องแบตเตอรี่? สำหรับรายละเอียด หน่วยความจำนี้ใช้แบตเตอรี่ขนาดเล็กที่จะให้มันมีอำนาจมันต้องการที่จะรักษาเนื้อหาหน่วยความจำ
VRAM: VideoRAM ที่เรียกว่าเป็นแบบหลายแบบไดนามิกหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (MPDRAM) เป็นชนิดของแรมที่ใช้เฉพาะสำหรับอะแดปเตอร์วิดีโอหรือ 3-D เร่ง ส่วน "multiport" มาจากความจริงที่ว่า VRAM ปกติมีสองพอร์ตการเข้าถึงอิสระแทนหนึ่งที่ช่วยให้ซีพียูและกราฟิกโปรเซสเซอร์เข้าถึงแรมพร้อมกัน VRAM ตั้งอยู่บนกราฟิกการ์ดและมาในหลากหลายรูปแบบจำนวนมากที่เป็นกรรมสิทธิ์ จำนวน VRAM เป็นปัจจัยในการกำหนดความละเอียดของสีและความลึกของการแสดงผล VRAM นี้ยังใช้ในการเก็บกราฟิกเฉพาะข้อมูลดังกล่าวเป็นข้อมูลเรขาคณิต 3 มิติและแผนที่พื้นผิว VRAM multiport True มีแนวโน้มที่จะมีราคาแพงดังนั้นวันนี้และกราฟิกการ์ดจำนวนมากใช้ SGRAM (RAM กราฟิก synchronous) แทน ประสิทธิภาพการทำงานเกือบเหมือนกัน แต่ SGRAM มีราคาถูก
สำหรับการตรวจสอบที่ครอบคลุมของประเภท RAM, ตรวจสอบคิงส์ตันเทคโนโลยีคู่มือหน่วยความจำที่ดีที่สุด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ต่อไปนี้เป็นบางประเภททั่วไปของ RAM :
SRAM : หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มคงที่ใช้หลายแบบ โดยทั่วไปสี่ถึงหก แต่ละหน่วยเซลล์แต่ไม่มีตัวเก็บประจุในแต่ละเซลล์ มันถูกใช้เป็นหลักสำหรับแคช
DRAM : แรมแบบพลวัต มีเซลล์หน่วยความจำที่มีคู่ทรานซิสเตอร์ตัวเก็บประจุค่าคงที่ที่ต้องการความสดชื่น
FPM DRAM :โหมดหน้าแบบไดนามิกได้อย่างรวดเร็วเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่มเป็นรูปแบบเดิมของ DRAM . มันรอผ่านกระบวนการทั้งหมดของการค้นหาเป็นบิตของข้อมูลโดยคอลัมน์และแถวแล้วอ่านบิตก่อนที่จะเริ่มในบิตต่อไป อัตราการถ่ายโอนสูงสุดกับ L2 แคชประมาณ 176 Mbps .
EDO DRAM :ข้อมูลจากการเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่มแบบไดนามิกไม่รอทั้งหมดของการประมวลผลของบิตแรกก่อนการถัดไป ทันทีที่ที่อยู่ของบิตแรกตั้งอยู่ EDO DRAM เริ่มมองหาบิตต่อไป มันเป็นประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์ เร็วกว่าหรือ . อัตราการถ่ายโอนสูงสุดกับ L2 แคชประมาณ 264 Mbps .
SDRAM :แบบ Synchronous เข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่ม ใช้ประโยชน์จากออกมาโหมดแนวคิดอย่างมากเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ มันไม่นี้โดยการอยู่ในแถวที่มีการร้องขอบิตและย้ายอย่างรวดเร็วผ่านทางคอลัมน์ อ่านแต่ละบิต ตามมันไป ความคิดคือว่าส่วนใหญ่ของเวลาที่ข้อมูลที่ต้องการโดยซีพียูจะอยู่ในลำดับประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์ เร็วกว่า SDRAM เป็น EDO RAM และเป็นรูปแบบที่พบมากที่สุดในพื้นที่วันนี้ อัตราการถ่ายโอนสูงสุดกับ L2 แคชประมาณ 528 Mbps DDR SDRAM
: อัตราข้อมูลแบบไดนามิกแรมเป็นคู่เหมือนกับ SDRAM ยกเว้นมันมีแบนด์วิดธ์ที่สูงขึ้นหมายถึงความเร็วที่มากขึ้น อัตราการถ่ายโอนสูงสุดกับ L2 แคชประมาณ 1064 Mbps ( DDR SDRAM 133 MHz )
rdram :เข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่มเป็นแบบไดนามิกแรมบัสออกรุนแรงจากสถาปัตยกรรมของก่อนหน้านี้ ออกแบบโดยอาจใช้แรมบัส rdram , ในโมดูลหน่วยความจำ ( ประเทศไทย ) ซึ่งมีขนาดใกล้เคียงกับการปรับแต่งเพื่อ pin DIMM มาตรฐาน อะไรที่ทำให้ rdram แตกต่างกันมากคือการใช้งานของข้อมูลความเร็วสูงพิเศษรถเรียกว่าช่อง 4 .rdram หน่วยความจำชิปทำงานในแบบคู่ขนานเพื่อให้บรรลุข้อมูลอัตรา 800 MHz หรือ 1600 Mbps เนื่องจากการใช้งานที่ความเร็วสูงเช่นที่พวกเขาสร้างความร้อนมากขึ้นกว่าประเภทอื่น ๆของชิป ที่จะช่วยขจัดความร้อนส่วนเกิน 4 ชิปที่ติดตั้งกระจายความร้อน ซึ่งดูเหมือนยาวบาง เวเฟอร์ เหมือนมีรุ่นเล็กของ dimms ยังมี rimms มาก ,ที่ออกแบบมาสำหรับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก
หน่วยความจำหน่วยความจำบัตรเครดิต : บัตรเครดิตเป็นกรรมสิทธิ์แบบ DRAM โมดูลหน่วยความจำที่ปลั๊กเข้าไปในช่องพิเศษสำหรับใช้ในคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊ก
การ์ดหน่วยความจำ DRAM แบบ PCMCIA : โมดูลอื่นสำหรับสมุดบันทึก บัตรประเภทนี้จะไม่ได้กรรมสิทธิ์ และควรทำงานกับคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊กที่มีระบบบัสตรงกับการกำหนดค่า
การ์ดหน่วยความจำของCMOS RAM : CMOS RAM เป็นคำสำหรับจำนวนเล็ก ๆของหน่วยความจำที่ใช้โดยคอมพิวเตอร์ของคุณและอุปกรณ์อื่น ๆ ในการจดจำสิ่งต่างๆเช่นการตั้งค่าฮาร์ดดิสก์ -- ดูทำไมคอมพิวเตอร์ต้องใช้แบตเตอรี่ ? รายละเอียด หน่วยความจำนี้จะใช้แบตเตอรี่ขนาดเล็กให้กับพลังงานความต้องการที่จะรักษาเนื้อหาหน่วยความจำ .
วีแรม : วิดิโอแรม เรียกว่า multiport แบบเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่ม ( mpdram )เป็นประเภทของ RAM ที่ใช้เฉพาะสำหรับอะแดปเตอร์วิดีโอหรือ 3-D เร่ง . " ส่วน multiport " มาจากข้อเท็จจริงที่ว่า วีแรมปกติได้สองอิสระเข้าถึงพอร์ตแทนหนึ่งที่ช่วยให้ CPU และหน่วยประมวลผลกราฟิกเข้าถึงแรมพร้อมกัน วีแรมตั้งอยู่บนกราฟิกการ์ด และมาในหลากหลายรูปแบบ มากมายที่เป็นกรรมสิทธิ์ .ปริมาณของวีแรมเป็นปัจจัยในความละเอียดและความลึกสีจอแสดงผล วีแรมถูกใช้เพื่อเก็บข้อมูลเฉพาะกราฟิก 3 มิติรูปทรงเรขาคณิตเช่นข้อมูลแผนที่พื้นผิว วีแรม multiport เป็นจริงมีแนวโน้มที่จะมีราคาแพง ดังนั้นวันนี้ หลายคนกราฟิกการ์ดใช้ sgram ( RAM กราฟิก synchronous ) แทน ประสิทธิภาพเป็นเกือบเดียวกัน แต่ sgram
ราคาถูกสำหรับการตรวจสอบที่ครอบคลุมของประเภท แกะเช็ค คิงส์ตันเทคโนโลยีหน่วยความจำที่ดีที่สุดคู่มือ