The growth time is 50 min. Prior to

The growth time is 50 min. Prior to the growth, the quartz substrate was treated
with ethanol in an ultrasonic bath to remove surface contamination and etched
in HCl solution at 80 C for 10 min, and then rinsed in deionized water and lown
dry using high-purity nitrogen.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เวลาเจริญเติบโตคือ ต่ำสุด 50 ก่อนที่จะเจริญเติบโต พื้นผิวควอตซ์ถูกถือว่ามีเอทานอลในการอัลตราโซนิกเอาปนเปื้อนผิว และจารึกในโซลูชัน HCl ที่ 80 C สำหรับ 10 นาที และ rinsed แล้ว ในน้ำ deionized และ lownแห้งโดยใช้ไนโตรเจนบริสุทธิ์สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เวลาการเจริญเติบโตคือ 50 นาที ก่อนที่จะมีการเจริญเติบโตของสารตั้งต้นควอทซ์ได้รับการรักษา
ที่มีเอทานอลในอ่างอัลตราโซนิกที่จะเอาการปนเปื้อนพื้นผิวและฝัง
ในสารละลาย HCl ที่ 80 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 10 นาทีและล้างแล้วในน้ำปราศจากไอออนและ Lown
แห้งโดยใช้ไนโตรเจนความบริสุทธิ์สูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เวลาเพิ่ม 50 นาที ก่อนที่จะเติบโต ผลึกฐานรองรับ
กับเอทานอลในอ่างอาบน้ำด้วยการลบการปนเปื้อนบนพื้นผิวและกัด
ในกรดไฮโดรคลอริกที่ 80  C นาน 10 นาที แล้วล้างในน้ำคล้ายเนื้อเยื่อประสานและมีความบริสุทธิ์สูง เลาน์
แห้งโดยใช้ไนโตรเจน