As an example, Gao et al. have show

As an example, Gao et al. have shown that HiPIMS may be used for
formation of ultrathin epitaxial NiSi2 films on Si with tunable thickness
where the implantation depth of themetal ions is controlled by the substrate
bias

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นตัวอย่างที่เก้าเอตอัล แสดงให้เห็นว่า hipims อาจจะใช้สำหรับการก่อตัวของ
บางเฉียบภาพยนตร์ nisi2 epitaxial ใน si พริ้งด้วยความหนา
ที่ฝังลึกของไอออน themetal ถูกควบคุมโดยตั้งต้น
อคติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นตัวอย่าง เกา et al. ได้แสดงให้เห็นว่า สามารถใช้ HiPIMS สำหรับ
ก่อ ultrathin epitaxial NiSi2 ภาพยนตร์บนซีมีความหนา tunable
ที่ควบคุมความลึกฤทธิ์ของ themetal กัน โดยพื้นผิว
ความโน้มเอียง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นตัวอย่างที่ถือเป็น et al .ได้แสดงให้เห็นว่า hipims อาจใช้สำหรับ ภาพยนตร์ nisi 2
การเกิด epitaxial ultrathin บนศรีมีความหนา tunable
ซึ่งจะช่วยปลูกที่ความลึกของไอออน themetal จะถูกควบคุมโดยยึดเข้ากับฐาน
ซึ่งจะช่วยการทำงานได้